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公开(公告)号:KR101514766B1
公开(公告)日:2015-05-12
申请号:KR1020047000529
申请日:2002-05-24
申请人: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
IPC分类号: C23C14/08
摘要: 본 발명은 산화 인듐과 산화 아연으로 이루어지는 In
2 O
3 (ZnO)
m 〔식 중에서, m은 2 내지 7의 정수를 나타낸다.〕으로 표시되는 육방정 층상 화합물을 함유하고, 또한 +4가 이상의 원자가를 갖는 제 3 원소의 산화물을 0.01 내지 1원자% 함유하는 스퍼터링 타겟, 및 그것을 제막하여 이루어지는 투명 도전막에 관한 것이다. 이에 따라, 부피 저항률이 낮고 안정적으로 스퍼터링을 실시할 수 있는 스퍼터링 타겟, 및 그것을 사용하여 제막된, 에칭 가공성이 우수한 투명 도전막을 제공할 수 있다.摘要翻译: 本发明涉及氧化铟
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公开(公告)号:KR1020090038941A
公开(公告)日:2009-04-21
申请号:KR1020097006278
申请日:2002-07-08
申请人: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
CPC分类号: H01L31/1884 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6262 , C04B35/62685 , C04B35/62695 , C04B2235/3229 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C23C14/086 , C23C14/3414 , Y02E10/50
摘要: A sputtering target composed of indium oxide and zinc oxide. The content of zinc atoms ranges from 3 to 20 atom% based on the total of indium atoms and zinc atoms. The maximum particle diameter of the crystals in the sputtering target is 5 mum ore less. Few nodules are produced on the surface of the target while a transparent conductive film is formed by sputtering, and therefore the sputtering is conducted stably.
摘要翻译: 由氧化铟和氧化锌构成的溅射靶。 锌原子的含量相对于铟原子和锌原子的总量为3〜20原子%。 溅射靶中晶体的最大粒径为5毫米以下。 通过溅射形成透明导电膜,在靶的表面产生少量结核,因此能够稳定地进行溅射。
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公开(公告)号:KR101902048B1
公开(公告)日:2018-09-27
申请号:KR1020147013473
申请日:2002-05-24
申请人: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
CPC分类号: C23C14/3414 , C04B35/453 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3289 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/658 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , Y10S428/922
摘要: 본발명은산화인듐과산화아연으로이루어지는 InO(ZnO)〔식중에서, m은 2 내지 7의정수를나타낸다.〕으로표시되는육방정층상화합물을함유하고, 또한 +4가이상의원자가를갖는제 3 원소의산화물을 0.01 내지 1원자% 함유하는스퍼터링타겟, 및그것을제막하여이루어지는투명도전막에관한것이다. 이에따라, 부피저항률이낮고안정적으로스퍼터링을실시할수 있는스퍼터링타겟, 및그것을사용하여제막된, 에칭가공성이우수한투명도전막을제공할수 있다.
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公开(公告)号:KR101024160B1
公开(公告)日:2011-03-22
申请号:KR1020107016107
申请日:2002-07-08
申请人: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
CPC分类号: H01L31/1884 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6262 , C04B35/62685 , C04B35/62695 , C04B2235/3229 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C23C14/086 , C23C14/3414 , Y02E10/50
摘要: 본 발명은, 산화인듐 및 산화주석으로 이루어지고, 이 때 주석 원자의 함유율이 인듐 원자 및 주석 원자의 합계에 대하여 3 내지 20원자%이고, 결정의 최대입경이 5㎛ 이하인, 스퍼터링 타겟에 관한 것이다. 이 스퍼터링 타겟을 사용하여 스퍼터링법으로 투명 전도막을 성막하는 경우 타겟 표면에 발생하는 노쥴의 생성을 억제하여 양호한 안정성으로 스퍼터링을 수행할 수 있다.
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公开(公告)号:KR1020000028088A
公开(公告)日:2000-05-25
申请号:KR1019980046218
申请日:1998-10-30
申请人: 교세라 가부시키가이샤 , 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
IPC分类号: G03G9/113
摘要: PURPOSE: A carrier for electro photograph and a developing agent using the carrier, of high durability and high consumption-resistance, easy for adjustment of electric charges, high conductivity and difficult to receive the effects caused by use environment in charging characteristics, are provided. CONSTITUTION: A carrier for electro photograph consists of a carrier core material having magnetic characteristic and a coating layer, made of polymer polyethylene resin, covering the surface of the carrier core material. A magnetic characteristic is buried in the coating layer. A surface polyethylene layer is formed to cover the magnetic characteristic in the carrier for electro photograph.
摘要翻译: 目的:提供电摄影载体和使用载体的显影剂,耐久性高,消耗电阻高,容易调节电荷,导电性高,难以获得充电特性中使用环境引起的影响。 构成:用于电子照相的载体由具有磁特性的载体芯材料和由聚合物聚乙烯树脂制成的涂层覆盖载体芯材料的表面。 磁特性埋在涂层中。 形成表面聚乙烯层以覆盖用于电照相的载体中的磁特性。
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公开(公告)号:KR1020100087051A
公开(公告)日:2010-08-02
申请号:KR1020107016107
申请日:2002-07-08
申请人: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
CPC分类号: H01L31/1884 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6262 , C04B35/62685 , C04B35/62695 , C04B2235/3229 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C23C14/086 , C23C14/3414 , Y02E10/50
摘要: 본 발명은, 산화인듐 및 산화주석으로 이루어지고, 이 때 주석 원자의 함유율이 인듐 원자 및 주석 원자의 합계에 대하여 3 내지 20원자%이고, 결정의 최대입경이 5㎛ 이하인, 스퍼터링 타겟에 관한 것이다. 이 스퍼터링 타겟을 사용하여 스퍼터링법으로 투명 전도막을 성막하는 경우 타겟 표면에 발생하는 노쥴의 생성을 억제하여 양호한 안정성으로 스퍼터링을 수행할 수 있다.
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公开(公告)号:KR100941241B1
公开(公告)日:2010-02-10
申请号:KR1020097006278
申请日:2002-07-08
申请人: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
CPC分类号: H01L31/1884 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6262 , C04B35/62685 , C04B35/62695 , C04B2235/3229 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C23C14/086 , C23C14/3414 , Y02E10/50
摘要: 본 발명은, 산화인듐 및 산화주석으로 이루어지고, 이 때 주석 원자의 함유율이 인듐 원자 및 주석 원자의 합계에 대하여 3 내지 20원자%이고, 결정의 최대입경이 5㎛ 이하인, 스퍼터링 타겟에 관한 것이다. 이 스퍼터링 타겟을 사용하여 스퍼터링법으로 투명 전도막을 성막하는 경우 타겟 표면에 발생하는 노쥴의 생성을 억제하여 양호한 안정성으로 스퍼터링을 수행할 수 있다.
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公开(公告)号:KR100909315B1
公开(公告)日:2009-07-24
申请号:KR1020047001480
申请日:2002-07-08
申请人: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
IPC分类号: C23C14/08
CPC分类号: H01L31/1884 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6262 , C04B35/62685 , C04B35/62695 , C04B2235/3229 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C23C14/086 , C23C14/3414 , Y02E10/50
摘要: 본 발명은, 산화인듐 및 산화주석으로 이루어지고, 이 때 주석 원자의 함유율이 인듐 원자 및 주석 원자의 합계에 대하여 3 내지 20원자%이고, 결정의 최대입경이 5㎛ 이하인, 스퍼터링 타겟에 관한 것이다. 이 스퍼터링 타겟을 사용하여 스퍼터링법으로 투명 전도막을 성막하는 경우 타겟 표면에 발생하는 노쥴의 생성을 억제하여 양호한 안정성으로 스퍼터링을 수행할 수 있다.
摘要翻译: 包括氧化铟和氧化锡的溅射靶,其中锡原子的含量百分比为铟原子和锡原子总数的3至20原子%,溅射中氧化铟晶体的最大晶粒尺寸 目标为5亩以下。 当通过溅射形成透明导电膜时,该溅射靶可以抑制靶的表面上的结节的产生并且稳定地进行溅射。
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公开(公告)号:KR101024177B1
公开(公告)日:2011-03-22
申请号:KR1020107016108
申请日:2002-07-08
申请人: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
IPC分类号: C23C14/34 , C23C14/08 , C23C14/52 , H01L21/203
CPC分类号: H01L31/1884 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6262 , C04B35/62685 , C04B35/62695 , C04B2235/3229 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C23C14/086 , C23C14/3414 , Y02E10/50
摘要: 본 발명은, 산화인듐 및 산화주석으로 이루어지고, 이 때 주석 원자의 함유율이 인듐 원자 및 주석 원자의 합계에 대하여 3 내지 20원자%이고, 결정의 최대입경이 5㎛ 이하인, 스퍼터링 타겟에 관한 것이다. 이 스퍼터링 타겟을 사용하여 스퍼터링법으로 투명 전도막을 성막하는 경우 타겟 표면에 발생하는 노쥴의 생성을 억제하여 양호한 안정성으로 스퍼터링을 수행할 수 있다.
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公开(公告)号:KR1020100087052A
公开(公告)日:2010-08-02
申请号:KR1020107016108
申请日:2002-07-08
申请人: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
IPC分类号: C23C14/34 , C23C14/08 , C23C14/52 , H01L21/203
CPC分类号: H01L31/1884 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6262 , C04B35/62685 , C04B35/62695 , C04B2235/3229 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C23C14/086 , C23C14/3414 , Y02E10/50
摘要: 본 발명은, 산화인듐 및 산화주석으로 이루어지고, 이 때 주석 원자의 함유율이 인듐 원자 및 주석 원자의 합계에 대하여 3 내지 20원자%이고, 결정의 최대입경이 5㎛ 이하인, 스퍼터링 타겟에 관한 것이다. 이 스퍼터링 타겟을 사용하여 스퍼터링법으로 투명 전도막을 성막하는 경우 타겟 표면에 발생하는 노쥴의 생성을 억제하여 양호한 안정성으로 스퍼터링을 수행할 수 있다.
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