公开(公告)号：KR102433304B1

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：KR1020170102375

申请日：2017-08-11

IPC分类号： C23F1/16 ,  C23F1/30 ,  C23F1/02 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1343

摘要： 본발명의실시예들은식각개시제, 무기산, 유기산, 다가알코올계열프로파일개선제및 여분의물을포함하며, pH가 2 이하인금속막식각액조성물을제공한다. 금속막식각액조성물을사용하여식각불량이감소된미세치수의도전패턴을형성할수 있다.

公开(公告)号：KR102398593B1

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：KR1020170056239

申请日：2017-05-02

IPC分类号： C09K13/06 ,  C23F1/16 ,  C23F1/30

摘要： 본발명은실리콘산화막에대한식각율을최소화하고, 실리콘질화막을선택적으로식각할수 있으며, 장기간사용하여도실리콘질화막및 실리콘산화막의식각속도와식각선택비의변화및 파티클문제를유발하지않는선택적실리콘질화막식각용식각조성물에관한것이다.

公开(公告)号：KR102393829B1

公开(公告)日：2022-05-04

申请号：KR1020140190742

申请日：2014-12-26

IPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/16 ,  H01L21/306

摘要： 실리콘산화물을에칭할수 있는에천트가설명된다. 상기에천트는 1wt% 내지 5wt%의불산, 3wt% 내지 10wt% 불화암모늄, 0.5wt% 내지 3wt%의초산염, 및탈 이온수를포함한다.

公开(公告)号：KR102388085B1

公开(公告)日：2022-04-18

申请号：KR1020170065944

申请日：2017-05-29

IPC分类号： C23F1/16 ,  C23F1/30 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1343

摘要： 본발명의실시예들은조성물총 중량중 유기산화제 35 내지 70중량%, 무기산을포함하는식각증진제 1 내지 10중량%, 및여분의물을포함하는금속막식각액조성물을제공한다. 금속막식각액조성물을사용하여식각불량이감소된도전패턴을형성할수 있다.

公开(公告)号：KR102384921B1

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：KR1020160039353

申请日：2016-03-31

IPC分类号： C23F1/14 ,  C23F1/16 ,  C23F1/18 ,  C23F1/34 ,  C23F1/26 ,  C23F1/38 ,  H01B1/02

摘要： 본기재는, 과황산염, 불소화합물, 무기산, 고리형아민화합물, 유기산및 유기산염중 하나이상, 술폰산화합물, 설파믹산, 및물을포함하는식각액조성물에관한것으로, 환경규제물질을포함하지않는식각액조성물및 이를이용한금속배선을제조하는방법을제공할수 있다.

公开(公告)号：KR102383600B1

公开(公告)日：2022-04-06

申请号：KR1020200137524

申请日：2020-10-22

IPC分类号： B29C45/14 ,  C25F3/02 ,  C23F1/16 ,  C23F1/32 ,  B29C65/70 ,  B29C65/00

摘要： 본발명은금속과플라스틱접합체의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는금속기판에고분자수지를물리적으로결합하는과정에서건조단계와전해단계를개선하여접합력을향상한금속과플라스틱접합체의제조방법이다.

公开(公告)号：KR102368027B1

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：KR1020180017868

申请日：2018-02-13

IPC分类号： C23F1/16 ,  C23F1/30 ,  C23F1/02 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1343

摘要： 본발명의실시예들은 10중량%를초과하며 50중량%이하의유기산화제, 무기산을포함하는식각증진제 1 내지 10중량%, 식각개시제 0.5 내지 15중량% 및여분의물을포함하는금속막식각액조성물을제공한다. 금속막식각액조성물을사용하여식각불량이감소된도전패턴을형성할수 있다.

公开(公告)号：KR102255577B1

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：KR1020140111020

申请日：2014-08-25

申请人： 엘지디스플레이 주식회사 ,  주식회사 이엔에프테크놀로지

发明人： 정강래 ,  신효섭

IPC分类号： C23F1/16 ,  C09K13/04

摘要： 본발명은식각액조성물을개시한다. 개시된본 발명의식각액조성물은, 과산화수소, 식각억제제, 킬레이트제, 식각첨가제, 산화물반도체보호제 pH 조절제및 물을포함한다. 이와같이, 본발명에따른식각액조성물은불소계화합물을포함하지않고 pH가높게형성됨으로써, 구리와몰리브덴합금식각공정중 산화물반도체가식각되지않는것이특징이다. 이를통해, 본발명에따른식각액조성물은식각공정에서발생할수 있는불량을최소할수 있는효과가있다.

公开(公告)号：KR20210003740A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：KR20207028986

申请日：2019-04-25

IPC分类号： C11D7/36 ,  C11D7/08 ,  C11D7/28 ,  C11D11/00 ,  C23F1/16 ,  C23G1/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

摘要： 본발명에따르면, (A)조성물중의불화물이온농도가 0.05~30mmol/L이되는양의불화물이온공급원; (B)조성물중의불화물이온에대한양이온의몰비가, 0.3~20이되는양의양이온공급원; 및 (C)C4-13알킬포스폰산, C4-13알킬포스폰산에스테르, C4-13알킬인산및 그들의염으로부터선택되는 1종이상의화합물을, 조성물전량기준으로 0.0001~10질량% 포함하고, pH가 2~6의범위에있는, 수성조성물을제공할수 있다.

公开(公告)号：KR102091541B1

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：KR1020140021921

申请日：2014-02-25

申请人： 동우 화인켐 주식회사

发明人： 장상훈 ,  김태완 ,  심경보

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L21/3213 ,  C23F1/16 ,  H01L27/32