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公开(公告)号：KR1020170088382A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：KR1020177016805
申请日：2015-11-18
Applicant: 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
CPC classification number: H01L51/0035 , C08G61/12 , C08G61/124 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/148 , C08G2261/1646 , C08G2261/312 , C08G2261/3162 , C08G2261/3241 , C08G2261/41 , C08G2261/512 , C08G2261/95 , H01L51/0043 , H01L51/5056
Abstract: 식 I을가지는카르바졸기및 아미노질소를포함하는정공수송중합체가제공된다. 식에서, Ar, Ar, 및 Ar는같거나다르며, 치환또는비치환된아릴기또는중수소화아릴기이다. Ar는치환또는비치환된아릴기또는중수소화아릴기이며; E는각각의경우에같거나다르며 H, D, 할로겐화물, 알킬, 아릴, 실록산, 중수소화알킬, 중수소화아릴, 중수소화실록산, 및가교기로이루어진군에서선택된다; R~R는각각의경우에같거나다르며 D, F, CN, 알킬, 플루오로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 아미노, 실릴, 게르밀, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알콕시, 실록산, 실록시, 중수소화알킬, 중수소화부분플루오르화알킬, 중수소화아릴, 중수소화헤테로아릴, 중수소화아미노, 중수소화실릴, 중수소화게르밀, 중수소화알콕시, 중수소화아릴옥시, 중수소화플루오로알콕시, 중수소화실록산, 중수소화실록시, 및가교기로이루어진군에서선택되며, 여기에서 R및 R로부터선택되는인접하는기들은서로결합하여접합고리를형성할수 있으며; a는 0~4의정수이며; b는 0~3의정수이며; n은 1 이상의정수이다 [식 I]
Abstract translation: 提供了包含具有式I的咔唑基团和氨基氮的空穴传输聚合物。 在该式中，Ar，Ar和Ar相同或不同，并且是取代或未取代的芳基或中等氢化的芳基。 Ar是取代或未取代的芳基或取代或未取代的芳基; E是相同或不同的，并且在每种情况下选自H，d，卤素，烷基，芳基，硅氧烷，氘化的烷基，氘化的芳基，氘化的硅氧烷，以及由交联的组中选择; R〜R是相同或在每种情况下从d，F，CN，烷基，烷基，芳基，杂芳基，氨基，甲硅烷基，锗小麦，烷氧基，芳氧基，氟代烷基氟代烷氧基硅氧烷，甲硅烷氧基，并且平均不同 消化烷基，氘化部分氟化的烷基，氘化的芳基，氘化杂芳基，氘代氨基，甲硅烷基氘，氘化锗小麦，氘化的烷基，氘化的芳基氧基，在氘代氟 - 烷氧基，氘化的硅氧烷 ，氘代甲硅烷氧基和桥连基团，其中选自R和R的相邻基团可以彼此结合形成键合环; a是从0到4的数字; b是从0到3的数字; 并且n是1或更大的整数。
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公开(公告)号：KR1020150119870A
公开(公告)日：2015-10-26
申请号：KR1020157022544
申请日：2014-02-20
Applicant: 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
Inventor： 하워드주니어,마이클,헨리 , 콘다코브,데니스,유리예비치 , 가오,웨이잉 , 초우,스티븐,키트 , 페니모어,아담 , 헤론,노만
IPC: C07D471/04 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D471/04 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , H01L51/0067 , H01L51/5012 , H01L51/5072 , H01L2251/308
Abstract: 화학식 I을갖는화합물이제공된다.화학식 I에서, R내지 R은동일하거나또는상이하고, H, D, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 실릴또는알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시및 실릴의중수소화된유사체일수 있고, 인접한 R 기는함께결합되어고리를형성할수 있고; 모든다른자리는 H 또는 D이다. 추가로, 화학식 I에서 (i) R내지 R중적어도하나, 및 R내지 R중적어도하나는알킬, 알콕시, 실릴, 또는중수소화된유사체이고, (ii) R내지 R중적어도하나, 및 R내지 R중적어도하나는아릴, 아릴옥시, 또는중수소화된유사체이다.
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公开(公告)号：KR1020140015299A
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：KR1020137019087
申请日：2011-12-19
Applicant: 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
Inventor： 펠드만,제랄드 , 헤론,노만 , 하워드주니어,마이클,헨리 , 라두,노라,사비나 , 로스토프체프,프세볼로드 , 도브스,케르윈,디. , 페니모어,아담 , 가오,웨이잉 , 우,웨이시 , 왕,잉 , 맥라렌,찰스,디.
CPC classification number: H01L51/0072 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1003 , C09K2211/1029 , C09K2211/1059 , C09K2211/185 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/0087 , H01L51/0558 , H01L51/5016 , H01L2251/5384 , H05B33/14 , C07D209/82 , H01L27/3209 , H01L51/0071 , H01L51/5012 , H01L51/504
Abstract: 본 발명은 (a) 도펀트, (b) 하기 화학식 I의 적어도 하나의 단위를 갖는 제1 호스트, 및 (c) 제2 호스트 화합물을 포함하는 조성물에 관한 것이다. 화학식 I은 하기 구조를 갖는다:
여기서, Q는 화학식
을 갖는 융합 고리 연결기이다.
화학식 I에서: R
1 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 D, 알킬, 아릴, 실릴, 알콕시, 아릴옥시, 시아노, 비닐, 또는 알릴이고; R
2 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 H, D, 알킬, 또는 아릴이거나, 또는 둘 모두의 R
2 가 N-헤테로사이클이고; R
3 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 H, D, 시아노, 알킬, 또는 아릴이고; a는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 0 내지 4의 정수이다.-
公开(公告)号：KR1020130098984A
公开(公告)日：2013-09-05
申请号：KR1020137001141
申请日：2011-06-16
Applicant: 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
Inventor： 박,경-호 , 라두,노라,사비나 , 조한슨,게리,에이. , 델라니,윌리암,제이. , 페니모어,아담 , 레클로욱스,다니엘,데이비드
CPC classification number: B05D3/06 , C08G2261/3162 , C08G2261/95 , G03F7/027 , G03F7/405 , H01L51/0004 , H01L51/0035 , H01L51/50 , H01L51/5048 , H01L51/52 , H01L51/56
Abstract: 제1 표면 에너지를 갖는 제1 층을 형성시키는 단계; 제1 층을 프라이밍 재료로 처리하여 프라이밍 층을 형성시키는 단계; 방사를 이용하여 프라이밍 층을 패턴 방식으로 노광시켜 노광된 영역 및 노광되지 않은 영역을 생성시키는 단계; 프라이밍 층을 현상하여 노광되지 않은 영역으로부터 프라이밍 층을 효과적으로 제거함으로써 프라이밍 층의 패턴을 갖는 제1 층을 생성시키며, 여기서 프라이밍 층의 패턴은 제1 표면 에너지보다 높은 제2 표면 에너지를 갖는 단계; 및 제1 층 상의 프라이밍 층의 패턴 상에 액체 침착에 의해 제2 층을 형성시키는 단계를 포함하는, 제1 층 위에 격리된 제2 층을 형성시키는 방법이 제공된다.
프라이밍 재료는 하기 화학식 I 또는 화학식 I'을 갖는다:
화학식 I 또는 화학식 I'에서: Ar
1 및 Ar
2 는 동일하거나 상이하며 아릴 기이고; R
1 내지 R
5 는 각각 나타날 때 독립적으로 동일하거나 상이하며 D, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 실릴, 또는 가교결합성 기이고; R
6 은 H, D, 또는 할로겐이며; a 내지 e는 독립적으로 0 내지 4의 정수이고; f는 1 또는 2이며; g는 0, 1 또는 2이고; h는 1 또는 2이며; n은 0보다 큰 정수이다.-
公开(公告)号：KR1020120123353A
公开(公告)日：2012-11-08
申请号：KR1020127019182
申请日：2010-12-21
Applicant: 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
Inventor： 하워드,마이클,헨리주니어 , 라두,노라,사비나 , 우,웨이시 , 가오,웨이잉 , 헤론,노만 , 스미쓰,에릭,마우리스 , 올더,크리스티나,엠. , 페니모어,아담 , 왕,잉 , 레클로욱스,다니엘,데이비드 , 도그라,칼린디 , 로스토프체프,프세볼로드 , 펠드만,제랄드 , 쉐노이,시드하르타
CPC classification number: C09B57/008 , C09B57/00 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , H01L51/0054 , H01L51/006 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H05B33/14 , H05B33/20 , C07D307/78 , C07D471/04 , C07F13/00 , H01L51/50
Abstract: 중수소화된 제1 호스트 재료 및 전계발광 도펀트 재료를 포함하는 전기활성 조성물이 제공된다. 제1 호스트는 화학식 I을 갖는 화합물이다:
[화학식 I]
화학식 I의 화합물은 중수소화된다. 화학식 I에서: Ar
1 내지 Ar
4 는 동일하거나 상이하며 아릴이고; Q는 다가 아릴 기 또는
이고;
T는 (CR')
a , SiR
2 , S, SO
2 , PR, PO, PO
2 , BR, 또는 R이고; R은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 알킬 기 또는 아릴 기이고; R'은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 H, D, 또는 알킬로부터 선택되고; a는 1 내지 6의 정수이고; m은 0 내지 6의 정수이다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120026095A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：KR1020117030135
申请日：2010-05-19
Applicant: 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
Inventor： 레클록스,다니엘,데이빗 , 페니모어,아담 , 가오,웨이잉 , 라두,노라,사비나 , 우,웨이시 , 로스토브체브,브세볼로드 , 호워드주니어,마이클,헨리 , 멩,홍 , 쉔,유롱
CPC classification number: H01L51/0052 , C07B2200/05 , C07C15/28 , C07C2603/24 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/5012 , H05B33/20 , H05B33/14
Abstract: 본 발명은 전자 응용에 유용한 중수소화된 아릴-안트라센 화합물에 관한 것이다. 본 발명은 또한 활성 층이 그러한 중수소화된 화합물을 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020090113907A
公开(公告)日：2009-11-02
申请号：KR1020097019851
申请日：2008-02-22
Applicant: 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
Inventor： 페니모어,아담 , 로치,데이비드,허버트 , 쳉,랩-탁,앤드류
CPC classification number: H01J31/127 , H01J29/085 , H01J29/28 , H01J1/30 , H01J2329/00
Abstract: A field emission device in which a protective material is employed in relation to the anode wherein the protective material is selected from one or more members of the group consisting of amorphous carbon, graphite, diamond-like carbon, fullerenes, carbon nanotubes, a (co)polymer and an organic coating compound.
Abstract translation: 一种场致发射装置，其中使用保护材料相对于阳极，其中保护材料选自无定形碳，石墨，类金刚石碳，富勒烯，碳纳米管，（共 ）聚合物和有机涂料化合物。
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公开(公告)号：KR101884479B1
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：KR1020127019182
申请日：2010-12-21
Applicant: 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
Inventor： 하워드,마이클,헨리주니어 , 라두,노라,사비나 , 우,웨이시 , 가오,웨이잉 , 헤론,노만 , 스미쓰,에릭,마우리스 , 올더,크리스티나,엠. , 페니모어,아담 , 왕,잉 , 레클로욱스,다니엘,데이비드 , 도그라,칼린디 , 로스토프체프,프세볼로드 , 펠드만,제랄드 , 쉐노이,시드하르타
CPC classification number: C09B57/008 , C09B57/00 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , H01L51/0054 , H01L51/006 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H05B33/14 , H05B33/20
Abstract: 중수소화된제1 호스트재료및 전계발광도펀트재료를포함하는전기활성조성물이제공된다. 제1 호스트는화학식 I을갖는화합물이다: [화학식 I]화학식 I의화합물은중수소화된다. 화학식 I에서: Ar내지 Ar는동일하거나상이하며아릴이고; Q는다가아릴기 또는이고; T는 (CR'), SiR, S, SO, PR, PO, PO, BR, 또는 R이고; R은각각의경우에동일하거나상이하며알킬기 또는아릴기이고; R'은각각의경우에동일하거나상이하며 H, D, 또는알킬로부터선택되고; a는 1 내지 6의정수이고; m은 0 내지 6의정수이다.
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公开(公告)号：KR101599563B1
公开(公告)日：2016-03-03
申请号：KR1020107013523
申请日：2008-11-18
Applicant: 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
Inventor： 조안슨,개리,에이. , 스미스,에릭,모리스 , 체스터필드,레이드,존 , 하워드주니어,마이클,헨리 , 박,경호 , 라두,노라,사비나 , 로시,진,엠. , 젠트리,프레데릭,피. , 게렛,트로이,씨. , 레클록스,다니엘,데이비드 , 페니모어,아담
CPC classification number: H01L51/0035 , C07C211/54 , C07C211/58 , C07C217/92 , C08G73/026 , C08L79/02 , C09B69/109 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1416 , C09K2211/1425 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0077 , H01L51/0081 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L2251/308
Abstract: 화학식 I, 화학식 II, 또는화학식 III을갖는화합물을개시한다. 화학식중, Ar은독립적으로페닐렌, 치환된페닐렌, 나프틸렌, 또는치환된나프틸렌일수 있다. Ar는각각나타날때 동일하거나상이하고, 아릴기이다. M은각각나타날때 동일하거나상이하고, 컨쥬게이트된부분이다. T및 T는각각나타날때 독립적으로동일하거나상이하고, 비평면형태로연결된컨쥬케이트된부분이며; a 및 e는각각나타날때 동일하거나상이하고, 1 내지 6의정수이며; b, c, 및 d는 b + c + d = 1.0이도록하는몰 분율이며, 단 c는 0이아니며, b와 d 중적어도하나는 0이아니며, 그리고 b가 0일때 M은적어도두 개의트라이아릴아민단위를가지며; n은 1보다큰 정수이다.
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公开(公告)号：KR101547410B1
公开(公告)日：2015-08-25
申请号：KR1020137019087
申请日：2011-12-19
Applicant: 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
Inventor： 펠드만,제랄드 , 헤론,노만 , 하워드주니어,마이클,헨리 , 라두,노라,사비나 , 로스토프체프,프세볼로드 , 도브스,케르윈,디. , 페니모어,아담 , 가오,웨이잉 , 우,웨이시 , 왕,잉 , 맥라렌,찰스,디.
CPC classification number: H01L51/0072 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1003 , C09K2211/1029 , C09K2211/1059 , C09K2211/185 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/0087 , H01L51/0558 , H01L51/5016 , H01L2251/5384 , H05B33/14
Abstract: 본발명은 (a) 도펀트, (b) 하기화학식 I의적어도하나의단위를갖는제1 호스트, 및 (c) 제2 호스트화합물을포함하는조성물에관한것이다. 화학식 I은하기구조를갖는다:여기서, Q는화학식을갖는융합고리연결기이다. 화학식 I에서: R은각각의경우에동일하거나상이하며 D, 알킬, 아릴, 실릴, 알콕시, 아릴옥시, 시아노, 비닐, 또는알릴이고; R는각각의경우에동일하거나상이하며 H, D, 알킬, 또는아릴이거나, 또는둘 모두의 R가 N-헤테로사이클이고; R은각각의경우에동일하거나상이하며 H, D, 시아노, 알킬, 또는아릴이고; a는각각의경우에동일하거나상이하며 0 내지 4의정수이다.
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