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    집적된 CMOS 및 MEMS 센서 제조 방법 및 구조
    1.
    发明公开
    집적된 CMOS 및 MEMS 센서 제조 방법 및 구조 审中-实审
    集成CMOS和MEMS传感器制造的方法和结构

    公开(公告)号：KR1020170021846A

    公开(公告)日：2017-02-28

    申请号：KR1020177001572

    申请日：2015-07-06

    申请人： 인벤센스, 인크.

    发明人： 스미스,피터

    IPC分类号： B81B7/02 ,  B81C1/00

    CPC分类号： B81C1/00238 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2203/0792

    摘要： CMOS-MEMS 구조를제공하는방법이개시된다. 본방법은 MEMS 작동기판상에제1 상부금속을및 CMOS 기판상에제2 상부금속을패터닝하는단계를포함한다. 상기 MEMS 작동기판및 상기 CMOS 기판각각은그 위에산화물층을포함한다. 본방법은 MEMS 작동기기판의상기제1 패터닝된상부금속을상기베이스기판의상기제2 패터닝된상부금속에접합하는제1 접합단계를이용하여, MEMS 작동기판및 베이스기판상에각각의산화물층을식각하는단계를포함한다. 마지막으로, 본방법은 MEMS 작동기판내로작동층을식각하는단계및 MEMS 작동기판을 MEMS 핸들기판에접합하는제2 접합단계를이용하는단계를포함한다.

    摘要翻译： 公开了一种用于提供CMOS-MEMS结构的方法。 该方法包括图案化MEMS致动器板上的第一上部金属和CMOS衬底上的第二上部金属。 MEMS操作基板和CMOS基板中的每一个在其上包括氧化物层。 该方法包括以下步骤：应用将MEMS致动器基板的第一图案化的上金属结合到基底基板的第二图案化的上金属以在MEMS工作基板和基底基板上形成相应的氧化物层的第一结合步骤 和蚀刻。 最后，该方法包括使用第二接合步骤将有源层蚀刻到MEMS致动基板中并且将MEMS致动基板接合到MEMS处理基板。