公开(公告)号：KR1020010005994A

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019997009072

申请日：1998-04-03

申请人： 유니버시티 오브 써던 캘리포니아

发明人： 코헨아담엘.

IPC分类号： C25D5/02

CPC分类号： C25D5/10 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B81C1/00126 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2201/032 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/12 ,  C25D5/22 ,  C25D17/06 ,  H01L21/2885 ,  H05K3/241 ,  Y10T428/12486 ,  Y10T428/239

摘要： a) 제 1 기판(4)을기판및 기판상의패턴내에배치된유연한(conformable) 마스크를포함하는제 2 전기도금아티클(4)에접촉시키는단계와, b) 금속이온의소스인전기도금조(58)로부터의제 1 금속을유연한마스크패턴의보충물과대응하는제 1 패턴내의제 1 기판상에전기도금하는단계와, c) 제 1 기판으로부터제 1 아티클을제거하는단계를포함하는도금방법을개시한다. 이방법은최소화된장치의미세구조내에서사용될수 있다. 전기도금아티클들및 전기도금장치들또한개시된다.

公开(公告)号：KR1020130103715A

公开(公告)日：2013-09-24

申请号：KR1020137005069

申请日：2011-08-01

申请人： 소니 주식회사 ,  소니 디에이디씨 오스트리아 에이쥐

发明人： 펄먼게르다 ,  넬레스가브리엘 ,  로셀리실비아 ,  크노르니콜라우스 ,  파리스알프레드 ,  카우프만마리아 ,  바우어게오르그

IPC分类号： C08J7/00 ,  C08J7/04 ,  C08J7/12 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81B1/00 ,  B01L3/502707 ,  B01L2300/16 ,  B01L2300/161 ,  B05D1/62 ,  B81C1/00206 ,  B81C3/00 ,  B81C2201/0197 ,  C08J7/04 ,  C08J7/047 ,  C08J7/06 ,  C08J7/123 ,  C08J2383/04 ,  C08L83/04 ,  C23C16/045 ,  Y02P20/582 ,  Y10T156/10

摘要： 본 발명은 유리형 표면, 특히 식각 유리형 표면을 갖는 폴리머 기판, 및 적어도 하나의 상기 폴리머 기판으로 제조된 칩에 관한 것이다. 본 발명은 또한 식가 유리형 표면을 갖는 폴리머 기판을 제공하는 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 폴리머 기판을 이용한 칩의 제조를 위한 키트에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 유리형 표면, 특히 식각 유리형 표면을 갖는 폴리머 기판의 칩 제조를 위한 용도에 관한 것이다.

摘要翻译： 本发明涉及具有玻璃状表面，特别是蚀刻玻璃状表面的聚合物基材和由至少一种这样的聚合物基材制成的芯片。 本发明还涉及提供具有蚀刻玻璃状表面的聚合物基材的方法。 此外，本发明涉及使用这种聚合物基材制造芯片的套件。 此外，本发明涉及具有玻璃状表面的聚合物基材，特别是用于制造芯片的蚀刻玻璃状表面的用途。

公开(公告)号：KR1020080091140A

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：KR1020087016893

申请日：2006-12-19

申请人： 폼팩터, 인코포레이티드

发明人： 매티유개탄엘 ,  팡트렐리안트 ,  홉스에릭디

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC分类号： B81C1/0046 ,  B33Y10/00 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0184 ,  B81C2201/0197 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1844 ,  C25D1/003 ,  C25D1/12 ,  C25D5/02 ,  G01R1/06755 ,  G01R3/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76873 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1461 ,  H05K3/1275 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： Systems and methods for depositing a plurality of droplets in a three-dimensional array are disclosed. The array can comprise a first type of droplets disposed to form a support structure and a second type of droplets forming a conductive seed layer on the support structure. A structure material can be electrodeposited onto the seed layer to create a three-dimensional structure.

摘要翻译： 公开了用于在三维阵列中沉积多个液滴的系统和方法。 阵列可以包括设置成形成支撑结构的第一类型的液滴和在支撑结构上形成导电种子层的第二类型的液滴。 可以将结构材料电沉积到种子层上以产生三维结构。

公开(公告)号：KR101635126B1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：KR1020157004232

申请日：2013-07-18

申请人： 오스람 오엘이디 게엠베하

发明人： 랑,에르빈 ,  로이쉬,틸로 ,  슈밤프,필리프

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L51/52 ,  H01L51/44

CPC分类号： H01L51/5253 ,  B81C1/00269 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/031 ,  C23C16/45529 ,  H01L23/564 ,  H01L51/448 ,  H01L51/524 ,  H01L2924/0002 ,  H05K5/065 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/13 ,  H01L2924/00

摘要： 본발명은, 다양한실시예들에서, 하나이상의 ALD 전구체(302) 및/또는하나이상의 MLD 전구체(302)가커버된제 1 캐리어(102); 및제 1 캐리어(102)의 ALD 전구체(302) 및/또는 MLD 전구체(302)에상보적인하나이상의 ALD 전구체(304) 및/또는하나이상의 MLD 전구체(304)가커버된제 2 캐리어(104)를포함하며, 제 1 캐리어(102)는제 1 캐리어(102)의 ALD 전구체(302)와제 2 캐리어(104)의 ALD 전구체(304) 사이에서또는제 1 캐리어(102)의 MLD 전구체(302)와제 2 캐리어(104)의 MLD 전구체(304) 사이에서원자결합(118)에의해제 2 캐리어(104)에적어도부분적으로결합되어 ALD 층(118) 또는 MLD 층(118)이형성되는, 장치에관한것이다.

摘要翻译： 装置可以包括覆盖有至少一个ALD前体和/或至少一个MLD前体的第一载体，以及覆盖有至少一个ALD前体和/或与ALD互补的至少一个MLD前体的第二载体 前体和/或第一载体的MLD前体。 第一载体至少部分地通过第一载体的ALD前体与第二载体的ALD前体之间的原子键或第一载体的MLD前体与第二载体的MLD前体之间的原子键连接在第二载体上 这样形成ALD层或MLD层。

公开(公告)号：KR1020060130629A

公开(公告)日：2006-12-19

申请号：KR1020067015149

申请日：2005-01-03

申请人： 마이크로패브리카 인크.

发明人： 쿠마르,아나다,에이치. ,  코헨,아담,엘. ,  로카르드,마이클,에스.

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： C25D5/48 ,  B33Y10/00 ,  B81C1/00492 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0197 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/10 ,  C25D21/12 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76885 ,  Y10T156/1052

摘要： Some embodiments of the present invention provide processes and apparatus for electrochemically fabricating multilayer structures (98) (e.g. mesoscale or microscale structures) with improved endpoint detection and parallelism maintenance for materials (e.g. layers) that are planarized during the electrochemical fabrication process. Some methods involve the use of a fixture during planarization that ensures that planarized planes of material are parallel to other deposited planes within a given tolerance. Some methods involve the use of an endpoint detection fixture (292, 294, 296, 298) that ensures precise heights of deposited materials relative to an initial surface of a substrate (82), relative to a first deposited layer, or relative to some other layer formed during the fabrication process. In some embodiments planarization may occur via lapping while other embodiments may use a diamond fly cutting machine (408).

摘要翻译： 本发明的一些实施例提供了用于电化学制造多层结构（98）（例如中尺度或微结构）的方法和装置，其具有改进的端点检测和在电化学制造过程中被平坦化的材料（例如层）的并行维护。 一些方法涉及在平坦化期间使用夹具，其确保材料的平面化平面平行于给定公差内的其它沉积平面。 一些方法涉及使用端点检测固定装置（292,294,296,298），其相对于第一沉积层相对于衬底（82）的初始表面或相对于某些其它材料确保沉积材料的精确高度 在制造过程中形成的层。 在一些实施例中，平面化可以通过研磨发生，而其他实施例可以使用金刚石切片机（408）。

公开(公告)号：KR1020170054258A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：KR1020160140116

申请日：2016-10-26

申请人： 인피니온 테크놀로지스 아게

发明人： 클라인,볼프강

IPC分类号： B81B7/02

CPC分类号： B81B3/0021 ,  B81B3/0059 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0136 ,  B81B2203/0307 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0197 ,  H01L29/84 ,  H02N1/008 ,  H02N2/02 ,  H04R1/04 ,  H04R1/06 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R31/003 ,  H04R2201/003 ,  H04R2207/021 ,  H04R2231/003 ,  H04R2410/03

摘要： 실시예에따르면, MEMS 디바이스는제1 복수의정전콤 핑거를포함하는편향가능멤브레인, 제1 서브세트의제1 복수의정전콤 핑거와맞물리는제2 복수의정전콤 핑거를포함하는제1 앵커구조, 및제2 서브세트의제1 복수의정전콤 핑거와맞물리는제3 복수의정전콤 핑거를포함하는제2 앵커구조를포함한다. 제2 복수의정전콤 핑거는제1 복수의정전콤 핑거로부터제1 방향으로오프셋되고제3 복수의정전콤 핑거는제1 복수의정전콤 핑거로부터제2 방향으로오프셋되고, 여기서제1 방향은제2 방향과상이하다.

摘要翻译： 根据本实施例中，第一锚到MEMS装置包括偏转潜在的膜，其包含：第一多个静电梳齿指与第二多个包含所述第一多个静电梳齿指所述子集的静电梳齿指的啮合的 以及与第二子集中的第一组多个电子指状物接合的第二组多个静电梳状指状物。 第二组多个电子指状件在第一方向上偏离第一组多个电子指状件，并且第三组多个电子指状件在第二方向上偏离第一组多个电子通信器， 与第二方向不同。

公开(公告)号：KR1020170021846A

公开(公告)日：2017-02-28

申请号：KR1020177001572

申请日：2015-07-06

申请人： 인벤센스, 인크.

发明人： 스미스,피터

IPC分类号： B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00238 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2203/0792

摘要： CMOS-MEMS 구조를제공하는방법이개시된다. 본방법은 MEMS 작동기판상에제1 상부금속을및 CMOS 기판상에제2 상부금속을패터닝하는단계를포함한다. 상기 MEMS 작동기판및 상기 CMOS 기판각각은그 위에산화물층을포함한다. 본방법은 MEMS 작동기기판의상기제1 패터닝된상부금속을상기베이스기판의상기제2 패터닝된상부금속에접합하는제1 접합단계를이용하여, MEMS 작동기판및 베이스기판상에각각의산화물층을식각하는단계를포함한다. 마지막으로, 본방법은 MEMS 작동기판내로작동층을식각하는단계및 MEMS 작동기판을 MEMS 핸들기판에접합하는제2 접합단계를이용하는단계를포함한다.

摘要翻译： 公开了一种用于提供CMOS-MEMS结构的方法。 该方法包括图案化MEMS致动器板上的第一上部金属和CMOS衬底上的第二上部金属。 MEMS操作基板和CMOS基板中的每一个在其上包括氧化物层。 该方法包括以下步骤：应用将MEMS致动器基板的第一图案化的上金属结合到基底基板的第二图案化的上金属以在MEMS工作基板和基底基板上形成相应的氧化物层的第一结合步骤 和蚀刻。 最后，该方法包括使用第二接合步骤将有源层蚀刻到MEMS致动基板中并且将MEMS致动基板接合到MEMS处理基板。

公开(公告)号：KR1020100084527A

公开(公告)日：2010-07-26

申请号：KR1020107009432

申请日：2008-11-12

申请人： 니바록스-파 에스.에이.

发明人： 피아카브리노,진-찰스 ,  베랄도,마르코 ,  코누스,씨에리 ,  씨에바우드,진-필리페 ,  피터스,진-베르날드

IPC分类号： B81C99/00 ,  C25D1/00 ,  G04B13/00

CPC分类号： F16H55/06 ,  B81B2201/035 ,  B81C99/0095 ,  B81C2201/0197 ,  C25D1/08 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  G04B13/02 ,  G04B13/022 ,  G04B19/042 ,  Y10T74/1987

摘要： The invention relates to a method for producing a silicon-metal composite micromechanical part, combining DRIE-type and LIGA-type processes. The invention also relates to a micromechanical part comprising a layer containing a silicon part (53) and a metal part in such a way as to form a composite-type micromechanical part. The invention can be used in the field of timekeeping movements.

摘要翻译： 本发明涉及一种组合DRIE型和LIGA型工艺的硅 - 金属复合微机械部件的制造方法。 本发明还涉及一种微机械部件，其包括含有硅部分（53）和金属部分的层，以形成复合型微机械部件。 本发明可用于计时运动领域。

公开(公告)号：KR1020160070073A

公开(公告)日：2016-06-17

申请号：KR1020167009705

申请日：2014-09-08

申请人： 그리피스 유니버시티

发明人： 이아코피,프란체스카 ,  아메드,모신 ,  쿠닝,벤자민,보한

IPC分类号： C01B31/04 ,  C30B1/10 ,  C30B29/02 ,  H01L21/00

CPC分类号： C30B1/026 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0197 ,  C01B32/184 ,  C01B32/188 ,  C30B1/10 ,  C30B29/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02614

摘要： 본발명은그래핀의형성방법에관한것으로서, 이방법은적어도 1종의제1 금속및 적어도 1종의제2 금속을포함하는적어도 2종의금속을탄화규소(SiC)의표면상에증착하는단계; 및 SiC 및제1 금속및 제2 금속을가열하는단계로서, 적어도 1종의제1 금속이탄화규소의실리콘과반응하는것을유도하여탄소및 적어도 1종의안정한실리사이드(silicide)를형성하고, 적어도 1종의안정한실리사이드및 적어도 1종의제2 금속에대한탄소의용해도가충분히낮아서, 실리사이드반응에의해생성된탄소가 SiC 상에그래핀층을형성하는조건에서, SiC 및제1 금속및 제2 금속을가열하는단계;를포함한다.

公开(公告)号：KR1020150038131A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：KR1020157004232

申请日：2013-07-18

申请人： 오스람 오엘이디 게엠베하

发明人： 랑,에르빈 ,  로이쉬,틸로 ,  슈밤프,필리프

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L51/52 ,  H01L51/44

CPC分类号： H01L51/5253 ,  B81C1/00269 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/031 ,  C23C16/45529 ,  H01L23/564 ,  H01L51/448 ,  H01L51/524 ,  H01L2924/0002 ,  H05K5/065 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/13 ,  H01L2924/00

摘要： 본발명은, 다양한실시예들에서, 하나이상의 ALD 전구체(302) 및/또는하나이상의 MLD 전구체(302)가커버된제 1 캐리어(102); 및제 1 캐리어(102)의 ALD 전구체(302) 및/또는 MLD 전구체(302)에상보적인하나이상의 ALD 전구체(304) 및/또는하나이상의 MLD 전구체(304)가커버된제 2 캐리어(104)를포함하며, 제 1 캐리어(102)는제 1 캐리어(102)의 ALD 전구체(302)와제 2 캐리어(104)의 ALD 전구체(304) 사이에서또는제 1 캐리어(102)의 MLD 전구체(302)와제 2 캐리어(104)의 MLD 전구체(304) 사이에서원자결합(118)에의해제 2 캐리어(104)에적어도부분적으로결합되어 ALD 층(118) 또는 MLD 층(118)이형성되는, 장치에관한것이다.

摘要翻译： 装置可以包括覆盖有至少一个ALD前体和/或至少一个MLD前体的第一载体，以及覆盖有至少一个ALD前体和/或与ALD互补的至少一个MLD前体的第二载体 前体和/或第一载体的MLD前体。 第一载体至少部分地通过第一载体的ALD前体与第二载体的ALD前体之间的原子键或第一载体的MLD前体与第二载体的MLD前体之间的原子键连接在第二载体上 这样形成ALD层或MLD层。