公开(公告)号：KR1020170072216A

公开(公告)日：2017-06-26

申请号：KR1020177010848

申请日：2015-09-18

申请人： 로베르트 보쉬 게엠베하

发明人： 노일,라인하르트 ,  옴스,토르스텐 ,  호익,프리트요프 ,  안테,프레데릭 ,  셸링,크리스토프 ,  하타스,미르코

IPC分类号： B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00238 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/16225

摘要： 본발명은다수의기판을포함하는마이크로전자부품조립체및 상응하는제조방법에관한것이다. 다수의기판을포함하는상기마이크로전자부품조립체는제 1 집적도의회로기판으로서설계된제 1 기판(C1), 제 2 집적도의회로기판으로서설계된제 2 기판(C2), 및 MEMS 센서기판으로설계되며제 2 기판(C2) 상에본딩되는제 3 기판(C3)을포함한다. 제 2 및제 3 기판은제 1 기판(C1) 상에본딩된다. 제 1 집적도는제 2 집적도보다실질적으로더 높다.

摘要翻译： 本发明涉及一种包括多个基板的微电子元件组件以及相应的制造方法。 包括多个基板的微电子部件组件包括被设计为第一集成电路板的第一基板（C1），被设计为第二集成电路板的第二基板（C2）以及MEMS传感器基板 和结合在第二基板（C2）上的第三基板（C3）。 第二基板和第三基板接合到第一基板（C1）上。 第一个整合度远高于第二个整合度。

公开(公告)号：KR101718194B1

公开(公告)日：2017-03-20

申请号：KR1020147002250

申请日：2012-06-29

申请人： 인벤센스, 인크.

发明人： 데인맨,마이클,제이. ,  림,마틴 ,  시거,조셉 ,  체르트코브,이고르 ,  나시리,스티븐,에스.

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L29/84

CPC分类号： H01L23/10 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/047 ,  B81B2207/115 ,  B81C1/00238 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0792 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G02B26/0833 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 외부환경에노출된부분을갖는 MEMS 디바이스를제공하기위한방법및 시스템이개시된다. 방법은핸들웨이퍼를디바이스웨이퍼에접합하여핸들웨이퍼와디바이스웨이퍼사이에놓인절연층을구비한 MEMS 기판을형성하는단계를포함한다. 방법은디바이스웨이퍼상에적어도하나의이격부를리소그래피방식을이용해서정의하는단계및 적어도하나의이격부를집적회로기판에접합하여 MEMS 기판과집적회로기판사이에밀봉캐비티를형성하는단계를포함한다. 방법은핸들웨이퍼, 이격부, 또는집적회로기판내에적어도하나의개구부를정의하여, 디바이스웨이퍼의부분을외부환경에노출시키는단계를포함한다.

摘要翻译： 公开了一种用于提供具有暴露于外部环境的部分的MEMS器件的方法和系统。 该方法包括将处理晶片接合到器件晶片以形成在处理晶片和器件晶片之间具有绝缘层的MEMS衬底。 该方法包括使用光刻方法在器件晶片上限定至少一个间隔并且将该至少一个间隔结合到集成电路衬底以在MEMS衬底和集成电路衬底之间形成密封腔。 该方法包括在操作晶片，间隔或集成电路衬底中限定至少一个开口以将器件晶片的一部分暴露于外部环境。

公开(公告)号：KR101615990B1

公开(公告)日：2016-04-28

申请号：KR1020117006220

申请日：2009-09-15

申请人： 고쿠리츠다이가쿠호우진 도쿄다이가쿠

发明人： 오바,타카유키

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07

CPC分类号： H01L21/76898 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00238 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0792 ,  H01L23/481 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 주면측에반도체집적회로를갖는복수의반도체칩이형성된반도체기판을적층하고, 상이한층의상기반도체기판을구성하는상기반도체칩끼리를신호전달가능하게접속하고, 그후 상기반도체칩부분을개편화하는반도체장치의제조방법을제공한다. 본발명에따른반도체장치의제조방법은제 1 반도체기판및 제 2 반도체기판을준비하는제 1 공정과, 상기제 2 반도체기판을박형화하는제 2 공정과, 박형화된상기제 2 반도체기판의주면과반대측의면을절연층을통하여상기제 1 반도체기판의주면에고착하는제 3 공정과, 박형화된상기제 2 반도체기판에상기제 2 반도체기판의주면에서상기주면과반대측의면을관통하는비아홀을형성하는제 4 공정과, 상기비아홀을통하여상기제 1 반도체기판의상기반도체칩과상기제 2 반도체기판의상기반도체칩사이의신호전달을가능하게하는접속부를형성하는제 5 공정을갖는다.

摘要翻译： 将具有多个半导体芯片的半导体衬底层叠在一起，并且将构成不同层的半导体衬底的半导体芯片彼此连接以能够进行信号传输， 提供了一种制造半导体器件的方法。 根据本发明的制造半导体器件的方法包括：准备第一半导体衬底和第二半导体衬底的第一步骤;使第二半导体衬底减薄的第二步骤;形成薄膜化的半导体衬底的步骤; 第三步骤，通过绝缘层将第一半导体衬底的相对侧接合到第一半导体衬底的主表面;以及第三步骤，从第二半导体衬底的主表面形成穿过变薄的第二半导体衬底的通孔， 以及第五步骤，形成使得能够经由通孔在第一半导体基板的半导体芯片和第二半导体基板的半导体芯片之间传输信号的连接部分。

公开(公告)号：KR1020150031244A

公开(公告)日：2015-03-23

申请号：KR1020147036187

申请日：2013-06-28

申请人： 인텔 아이피 코포레이션

发明人： 오프너제랄드 ,  메이어토르스텐

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01L25/18

CPC分类号： B81C1/00238 ,  B81B7/008 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/10 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/053 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/0023 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  B81B7/02 ,  H01L25/18 ,  H01L2924/1461

摘要： 실시예들에서, 패키지 어셈블리는 활성면 및 비활성면을 구비하는 마이크로 전자기계 시스템(MEMS) 및 주문형 집적 회로(ASIC)를 포함할 수 있다. 실시예들에서, MEMS는 하나 이상의 인터커넥트를 거쳐 ASIC에 직접 연결될 수 있다. MEMS, ASIC, 및 하나 이상의 인터커넥트는 캐비티를 정의하거나 형성함으로써 MEMS의 활성면 일부가 캐비티 내에 존재한다. 일부 실시예들에서, 패키지 어셈블리는 복수의 하나 이상의 인터커넥트를 거쳐 ASIC에 직접 연결된 복수의 MEMS를 포함할 수 있다. 다른 실시예들이 설명되고/되거나 특허청구될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080008330A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：KR1020077023947

申请日：2006-03-09

申请人： 인벤센스, 인크.

发明人： 나시리스티븐에스. ,  플래너리안토니프란시스제이알.

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： B81C1/00238 ,  B23K20/023 ,  B81B3/0018 ,  B81B7/007 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/094 ,  B81C1/00269 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/038 ,  B81C2203/0792 ,  H01L21/187

摘要： A method of bonding of germanium to aluminum between two substrates to create a robust electrical and mechanical contact is disclosed. An aluminum-germanium bond has the following unique combination of attributes: (1) it can form a hermetic seal; (2) it can be used to create an electrically conductive path between two substrates; (3) it can be patterned so that this conduction path is localized; (4) the bond can be made with the aluminum that is available as standard foundry CMOS process. This has the significant advantage of allowing for wafer-level bonding or packaging without the addition of any additional process layers to the CMOS wafer.

摘要翻译： 公开了一种在两个基板之间将锗键合到铝以产生牢固的电气和机械接触的方法。 铝 - 锗键具有以下独特的属性组合：（1）可形成气密封; （2）可用于在两个基板之间形成导电路径; （3）可以对其进行图案化，使得该导电路径被定位; （4）可以用作为标准铸造CMOS工艺的铝制成。 这具有允许晶片级接合或封装而不向CMOS晶片添加任何附加工艺层的显着优点。

公开(公告)号：KR1020170030605A

公开(公告)日：2017-03-17

申请号：KR1020177003696

申请日：2015-07-14

申请人： 버터플라이 네트워크, 인크.

发明人： 로스버그,조나단,엠. ,  에일리,수잔,에이. ,  파이프,키스,지. ,  산체스,네바다,제이. ,  랠스턴,타일러,에스.

IPC分类号： B06B1/02 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  A61B8/00 ,  G01N29/24

CPC分类号： G01N29/2406 ,  A61B8/4483 ,  B06B1/0292 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/146 ,  H01L2924/1461

摘要： 상보형금속산화물반도체(CMOS) 기판과통합된미세가공된초음파트랜스듀서들뿐만아니라이러한디바이스들의제작방법들이설명된다. 제작은 2개의별개의웨이퍼본딩단계를수반할수 있다. 웨이퍼본딩은기판(302) 내에밀봉된캐비티들(306)을제작하는데 이용될수 있다. 웨이퍼본딩은또한, 기판(302)을 CMOS 웨이퍼와같은다른기판(304)에본딩하는데 이용될수 있다. 적어도제2 웨이퍼본딩이저온에서수행될수 있다.

摘要翻译： 描述了这些器件的制造方法以及与互补金属氧化物半导体（CMOS）衬底集成的微机械超声换能器。 制造可能涉及两个独立的晶圆键合步骤。 晶片键合可用于制造密封在衬底302内的空腔306。 晶圆键合也可用于将衬底302粘合到另一衬底304，例如CMOS晶圆。 至少第二晶片键合可以在低温下进行。

公开(公告)号：KR1020160140320A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：KR1020150168525

申请日：2015-11-30

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 여쿠오충 ,  위천화

IPC分类号： B81B7/02 ,  B81B7/00 ,  B81C3/00 ,  H01L25/07

CPC分类号： B81C1/00238 ,  B81B7/0006 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/00014

摘要： 마이크로전자기계시스템(MEMS) 패키지들및 그제조방법이설명된다. 실시예에서, MEMS 패키지를제조하는방법은, 웨이퍼레벨 MEMS 패키지를형성하기위해캡핑(capping) 구조물을갖는 MEMS 구조물을, 복수의제1 디바이스들이내부에형성되어있는디바이스웨이퍼에부착시키는단계; 및상기 MEMS 구조물이부착되어있는상기디바이스웨이퍼를단품화하여복수의칩 스케일 MEMS 패키지들을형성하는단계를포함한다.

摘要翻译： 描述了微机电系统（MEMS）封装及其制造方法。 在一个实施例中，制造MEMS封装的方法可以包括将其上具有封盖结构的MEMS结构附接到包括形成在其中的多个第一器件的器件晶片以形成晶片级MEMS封装; 并且将具有MEMS结构的器件晶片单独化以形成多个芯片级MEMS封装。

公开(公告)号：KR1020150123798A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：KR1020157021716

申请日：2014-03-13

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 바스카란,라자스리

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01L23/31

CPC分类号： B81C1/00238 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00015 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/0792 ,  H01L23/315 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002

摘要： 집적된 MEMS 구조들을형성하는방법들이기술된다. 이들방법들과구조들은적어도하나의 MEMS 구조를제1 기판상에형성하고, 다이제1 기판의최상위면상에제1 본딩층을형성하고, 및이후제1 기판상에배치된제1 본딩층을제2 기판에결합하는것을포함할수 있으며, 여기서제2 기판은디바이스층을포함한다. 본딩은층 전사공정을포함할수 있으며, 여기서집적된 MEMS 디바이스가형성된다.

公开(公告)号：KR1020150043993A

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：KR1020140138160

申请日：2014-10-14

申请人： 인벤센스, 인크.

发明人： 리우팡 ,  다네만마이클줄리안 ,  김브라이언 ,  미네르비니안소니

IPC分类号： H04R19/04 ,  H04R31/00

CPC分类号： B81C1/00238 ,  B81B3/0018 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00309 ,  B81C2203/0792 ,  H01L24/05 ,  H01L27/092 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H04R19/005 ,  H01L2924/00

摘要： MEMS 디바이스는가동소자를갖는 MEMS 기판을포함한다. 캐피티를갖는 CMOS 기판이추가로포함되고, MEMS 기판은 CMOS 기판의상부에배치된다. 추가로, 백캐비티는 CMOS 기판에연결되고백 캐비티는 CMOS 기판의캐비티에의해적어도부분적으로형성되고가동소자는백 캐비티에음향적으로결합된다.

摘要翻译： MEMS器件包括具有可移动元件的MEMS衬底。 还包括具有空腔的CMOS衬底，MEMS衬底设置在CMOS衬底的顶部上。 此外，后腔连接到CMOS衬底，后腔至少部分地由CMOS衬底中的空腔形成，并且可移动元件声耦合到后腔。

公开(公告)号：KR1020080078823A

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：KR1020087013838

申请日：2006-11-21

申请人： 무라타 일렉트로닉스 오와이

发明人： 쿠이스마,헤이키 ,  니에미스토,지리

IPC分类号： B81C3/00 ,  G01C19/56 ,  G01C17/38 ,  B81B7/02

CPC分类号： B81C1/0023 ,  B81B7/02 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/015 ,  B81C2203/0792 ,  G01C19/56 ,  G01C19/5783 ,  G01L9/0042 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： The invention relates to microelectromechanical components, like microelectromechanical gauges used in measuring e.g. acceleration, angular acceleration, angular velocity, or other physical quantities. The microelectromechanical component, according to the invention, comprises, suitably bonded to each other, a microelectromechanical chip part (46), (60) sealed by a cover part (24), (28), (33), (41), (47), (48), and at least one electronic circuit part (63), (78), (83). The aim of the invention is to provide an improved method of manufacturing a microelectromechanical component, and to provide a microelectromechanical component, which is applicable for use particularly in small microelectromechanical sensor solutions.

摘要翻译： 本发明涉及微电子机械部件，如用于测量的微机电量规。 加速度，角加速度，角速度或其他物理量。 根据本发明的微电子机械部件包括适当地彼此粘合的由机壳部件（24），（28），（33），（41），（41）密封的微机电芯片部件（46） （48），以及至少一个电子电路部件（63），（78），（83）。 本发明的目的是提供一种制造微机电部件的改进方法，并且提供一种适用于特别是在小型微机电传感器解决方案中的微机电部件。