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公开(公告)号:KR101816838B1
公开(公告)日:2018-01-09
申请号:KR1020160086614
申请日:2016-07-08
申请人: 주식회사 기가레인
IPC分类号: G03F7/16 , G03F7/00 , B29C43/02 , B29C35/08 , B29C33/60 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L29/06 , B82B3/00
CPC分类号: B29C33/60 , B29C35/08 , B29C43/02 , B82B3/00 , G03F7/00 , G03F7/16 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L29/06 , G03F7/161 , B29C35/0888 , B29C43/021 , G03F7/0002 , G03F7/2012 , H01L21/0274 , H01L29/0665
摘要: 나노임프린트용레플리카몰드, 그제조방법및 나노임프린트용레플리카몰드제조장치가소개된다.본발명의나노임프린트용레플리카몰드는, 플라스틱필름으로형성된베이스; 상기베이스에형성된전사부; 및상기베이스에분리가능하게형성되고, 상기전사부가노출될수 있도록중공이형성되며, 상기전사부의외주면이번져서경화되어형성된파티클이형성되는가이드필름을포함하고, 상기전사부는레진으로형성되고, 요철형상의패턴이형성된다.
摘要翻译: 纳米压印模子复制品,其制造方法和用于纳米压印复制品装置制造模具是根据本发明的塑料薄膜基材的形成引入复制模的纳米压印; 转印单元形成在基座上; 并可拆卸地形成在基体上,形成一个空心的,以所添加的转印曝光,形成包含导薄膜是形成被硬化,从而外周表面此时形成转印部,并通过转印单元的颗粒树脂,凹凸 正在形成。
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公开(公告)号:KR1020170067665A
公开(公告)日:2017-06-16
申请号:KR1020160166099
申请日:2016-12-07
申请人: 주식회사 기가레인
IPC分类号: H01L21/027 , H01L21/56 , H01L21/677 , G03F7/00 , H05H1/46 , B29C59/02 , B29C59/14 , B29C65/00 , B29C45/26
摘要: 임프린트장치및 방법이소개된다. 본발명의임프린트장치는, 패턴이형성된몰드표면을플라즈마처리하는표면개질부; 플라즈마처리된상기몰드의패턴이기판에스탬핑될수 있도록상기몰드와상기기판을결합시키는결합부; 및결합된상기몰드와상기기판을분리하는분리부를포함한다.
摘要翻译: 介绍了一种压印设备和方法。 本发明的压印装置包括:表面改性单元,用于对形成有图案的模具表面进行等离子体处理; 耦合单元,所述耦合单元耦合所述模具和所述衬底,使得所述等离子体处理的模具的图案被压印在所述衬底上; 以及用于分离所接合的模具和基材的分离器。
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公开(公告)号:KR100958947B1
公开(公告)日:2010-05-19
申请号:KR1020090093846
申请日:2009-10-01
申请人: 주식회사 기가레인 , 한국 고덴시 주식회사
IPC分类号: H01L31/04
摘要: PURPOSE: A method for treating the surface of a photoelectric conversion device is provided to prevent the photoelectric conversion device from damaging by roughening the surface of the photoelectric conversion device. CONSTITUTION: A liquidized gas is deposited on a layer to be treated(10) with a treatment surface in order to form a mask layer(20) with a non-uniform surface roughness. The mask layer is dry-etched in order to expose a part of the treatment surface. The layer to be treated is etched using an etching selectivity of the mask layer and the layer to be treated. The mask layer is removed.
摘要翻译: 目的:提供一种用于处理光电转换装置的表面的方法,以防止光电转换装置通过使光电转换装置的表面粗糙而损坏光电转换装置。 构成:为了形成具有不均匀表面粗糙度的掩模层(20),在处理表面上沉积有待处理层(10)的液化气体。 对掩模层进行干蚀刻以暴露处理表面的一部分。 使用掩模层和待处理层的蚀刻选择性来蚀刻待处理的层。 去除掩模层。
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