公开(公告)号：KR1020160004949A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：KR1020150094551

申请日：2015-07-02

申请人： 티디케이가부시기가이샤

发明人： 시무라요시카즈 ,  이토가즈히코 ,  후지타가즈타카

IPC分类号： H01C7/04 ,  C04B35/46 ,  C04B35/50

CPC分类号： H01C7/025 ,  C04B35/462 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/79 ,  H01C1/14 ,  H01C7/008 ,  H01C7/02

摘要： [과제] 상온비저항이작고저항온도계수(α)가큰 BaTiO계반도체자기조성물을제공한다. [해결수단] 하기일반식 (1)로표시되고:(1) (A는, Na 또는 K로부터선택되는적어도 1종, RE는, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Dy 및 Er로이루어진그룹으로부터선택되는적어도 1종, TM은, V, Nb 및 Ta로이루어진그룹으로부터선택되는적어도 1종, w, x, y, z 및 m은, 하기식 (2) 내지 (5)를만족시킨다.)(2)(3)(4)(5) Sr을 0.010 내지 0.050mol 함유하고, 또한, Sr의 mol비(u)와 Bi의 mol비(x)는하기식 (6)을만족시키는것을특징으로하는반도체자기조성물.(6)

摘要翻译： 本发明涉及半导体陶瓷组合物和PTC热敏电阻。 （Ba_（1-x-y-w）Bi_xA_yRE_w）_m（Ti_（1-z）TM_z）O_3。 A是选自Na或K中的至少一种的元素。Re是选自由Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Gd，Dy和Er组成的组中的至少一种的元素。 TM是选自由V，Nb和Ta组成的组中的至少一种的元素。 w，x，y，z和m满足0.007 <= x <= 0.125，x

公开(公告)号：KR1020170094085A

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：KR1020170016324

申请日：2017-02-06

申请人： 티디케이가부시기가이샤

发明人： 후지타카즈타카 ,  이토카즈히코 ,  시무라요시카즈 ,  모리코시히로키 ,  테라다토모히로

IPC分类号： H01C7/02 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64 ,  C04B35/634 ,  C04B35/465

CPC分类号： C04B35/462 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62615 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62645 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/79 ,  H01C7/02 ,  H01C7/025

摘要： [과제] 큐리점을 120℃보다고온측으로시프트시키고, 25℃비저항을실용화할수 있는수준으로유지하면서, 저항변화율△ρ/ρ이작고, 또한내전압이우수한반도체자기조성물및 이를구비한 PTC 서미스터를제공한다. [해결수단] 식 (1): (BaBiARE)(TiTM)O으로표시되는반도체자기조성물(A는 Na, K로부터선택되는적어도 1종이고, RE는 Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Dy, Er로부터선택되는적어도 1종이다). 이때, (2) 0.750y ≤ x ≤ 1.50y, (3) 0.007 ≤ y ≤ 0.125, (4) 0 ≤ (w+z) ≤ 0.010, (5) v + x + y + w = 1, (6) u + z = 1, (7) 0.950 ≤ m ≤ 1.050이고, 또한, Ca를 0.001 내지 0.055mol 포함하고, Mg, Al, Fe, Co, Cu, Zn의적어도 1종을 0.0005 내지 0.005mol 포함한다.

摘要翻译： [问题]居里点被转移至更高的温度超过120℃，而保持在能够投入实际使用一个25℃的电阻率的电平，且电阻变化率△ρ/ρ是小的，并提供一个PTC热敏电阻，其耐电压被提供有优异的半导体陶瓷组合物，这 的。 [解决问题的手段]等式（1）：和（BaBiARE）（TiTM）O的至少一种构件是半导体陶瓷组合物（选自Na A，K表示由，RE是Y，镧，铈，镨，钕，钐， Gd，Dy和Er）。 此时，（2）0.750y≤X≤1.50y，（3）0.007≤Ý≤0.125，（4）0≤（W + Z）≤0.010，（5）V + X + Y + W = 1，（6 ），和u + Z = 1，（7）0.950≤米≤1.050，另外，即使从0.001含于钙，镁，铝，铁，钴，铜，锌，和0.0005的0.055mol至0.005mol唯一地含有一个或 。

公开(公告)号：KR101793895B1

公开(公告)日：2017-11-06

申请号：KR1020157021068

申请日：2014-02-17

申请人： 티디케이가부시기가이샤

发明人： 이토가즈히코 ,  시무라요시카즈

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/64

CPC分类号： H01C7/025 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  H01C1/1406 ,  H01C7/008 ,  H01C7/02

摘要： Pb를사용하지않고퀴리점을 120℃보다고온측으로시프트시키고, 대기중의소성으로도용이하게반도체화되고, 상온비저항이작고, 또한경시변화가작은티탄산바륨계 PTC 서미스터자기조성물을제공하는것을목적으로한다. 하기일반식 (1)로표시되는티탄산바륨계화합물을주성분으로하는소결체를구비하고있고; 상기소결체는, Ti 사이트 1mol에대해, Ca를원소환산으로 0.01mol 이상, 0.05mol 미만의비율로함유하는것을특징으로한다.(1)(2)(3)(4)(5)

公开(公告)号：KR1020150039692A

公开(公告)日：2015-04-13

申请号：KR1020140131970

申请日：2014-09-30

申请人： 티디케이가부시기가이샤

发明人： 시무라요시카즈 ,  이토가즈히코

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/462 ,  C04B35/64

CPC分类号： H01C7/025 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/63416 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  H01C1/1406 ,  H01C7/008 ,  H01C7/027

摘要： [과제] 대기/질소분위기어느쪽 소성에서도용이하게반도체화하고, 상온비저항및 저항온도계수α가우수한반도체자기조성물및 PTC 서미스터를제공한다. [해결수단] 하기일반식 (1)로나타내는화합물을주성분으로하고: (BaBiARE)(TiTM)O(1) (A는 Na 또는 K로부터선택되는적어도 1종, RE는 Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Dy 및 Er로이루어진그룹으로부터선택되는적어도 1종, TM은 V, Nb 및 Ta로이루어진그룹으로부터선택되는적어도 1종, w, x, y, z, 및 m은하기식 (2) 내지 (5)를만족한다: 0.007≤x≤0.125 (2), x

摘要翻译： 本发明提供半导体磁性组合物和PTC热敏电阻，其可以在空气或氮气气氛下容易地半导体，并且具有优异的电阻率/电阻器温度系数α。 包含由下式（1）表示的化合物作为主要成分的半导体陶瓷组合物。 式（1）是{Ba_（1-xyw）Bi_xA_yRE_w）_m {Ti_（1-z）TM_z} O_3，其中A是选自Na或K中的至少一种元素，RE是选自组中的至少一种元素 由Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Gd，Dy和Er组成的TM是选自V，Nb和Ta中的至少一种元素，w，x，y，z和m满足以下 （2） - （5）：0.007 <= x <= 0.125（2），x

公开(公告)号：KR101782326B1

公开(公告)日：2017-09-27

申请号：KR1020150094551

申请日：2015-07-02

申请人： 티디케이가부시기가이샤

发明人： 시무라요시카즈 ,  이토가즈히코 ,  후지타가즈타카

IPC分类号： H01C7/04 ,  C04B35/46 ,  C04B35/50

CPC分类号： H01C7/025 ,  C04B35/462 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/79 ,  H01C1/14 ,  H01C7/008 ,  H01C7/02

摘要： [과제] 상온비저항이작고저항온도계수(α)가큰 BaTiO계반도체자기조성물을제공한다. [해결수단] 하기일반식 (1)로표시되고:(1) (A는, Na 또는 K로부터선택되는적어도 1종, RE는, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Dy 및 Er로이루어진그룹으로부터선택되는적어도 1종, TM은, V, Nb 및 Ta로이루어진그룹으로부터선택되는적어도 1종, w, x, y, z 및 m은, 하기식 (2) 내지 (5)를만족시킨다.)(2)(3)(4)(5) Sr을 0.010 내지 0.050mol 함유하고, 또한, Sr의 mol비(u)와 Bi의 mol비(x)는하기식 (6)을만족시키는것을특징으로하는반도체자기조성물.(6)

摘要翻译： 本发明提供一种室温比电阻和高电阻温度系数（β）小的BaTiO类半导体陶瓷组合物。 （1）其中A是选自Na或K中的至少一种，RE是选自Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Gd，Dy和 选自由V，Nb和Ta组成的组中的至少一种，w，x，y，z和m优选选自下列式（2）至（5） 是满意的。）（2）（3）（4）（5）含有0.010〜锶0.050摩尔，并且进一步地，满足摩尔比率（x）中的摩尔比Sr（U），和Bi是下述式（6） （6）根据（6）所述的半导体磁性组合物，

公开(公告)号：KR101644412B1

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：KR1020140131970

申请日：2014-09-30

申请人： 티디케이가부시기가이샤

发明人： 시무라요시카즈 ,  이토가즈히코

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/462 ,  C04B35/64

CPC分类号： H01C7/025 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/63416 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  H01C1/1406 ,  H01C7/008 ,  H01C7/027

摘要： [과제] 대기/질소분위기어느쪽 소성에서도용이하게반도체화하고, 상온비저항및 저항온도계수α가우수한반도체자기조성물및 PTC 서미스터를제공한다. [해결수단] 하기일반식 (1)로나타내는화합물을주성분으로하고: (BaBiARE)(TiTM)O(1) (A는 Na 또는 K로부터선택되는적어도 1종, RE는 Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Dy 및 Er로이루어진그룹으로부터선택되는적어도 1종, TM은 V, Nb 및 Ta로이루어진그룹으로부터선택되는적어도 1종, w, x, y, z, 및 m은하기식 (2) 내지 (5)를만족한다: 0.007≤x≤0.125 (2), x

公开(公告)号：KR1020170094086A

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：KR1020170016332

申请日：2017-02-06

申请人： 티디케이가부시기가이샤

发明人： 이토카즈히코 ,  시무라요시카즈 ,  후지타카즈타카 ,  모리코시히로키 ,  테라다토모히로

IPC分类号： H01C7/02 ,  C04B35/468 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64 ,  C04B35/634

CPC分类号： C04B35/4682 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/784 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  H01C7/025 ,  H01L41/1871

摘要： [과제] 큐리점을 120℃보다고온측으로시프트시키고, 25℃비저항이작고, 또한내전압및 기계적강도가우수한반도체자기조성물및 PTC 서미스터를제공한다. [해결수단] BaTiO계의반도체자기조성물에있어서, Ba의일부가적어도 A(Na 또는 K로부터선택되는적어도 1종), Bi 및 RE(Y를포함하는희토류원소로부터선택되는적어도 1종)로치환되어있고, 또한 Ti의일부가적어도 TM(V, Nb 및 Ta로부터선택되는적어도 1종)으로치환되어있고, (Ti 함유량 + TM 함유량)을 1mol로했을때, 0.7 ≤ {(Bi 함유량)/(A 함유량)} ≤ 1.43, 0.017 ≤ {(Bi 함유량) + (A 함유량)} ≤ 0.25, 0

摘要翻译： [问题]居里点被转移至更高的温度超过120℃，25℃比电阻小，并且还提供了介电强度和机械强度，优异的半导体陶瓷组合物及PTC热敏电阻。 [解决问题的手段]在基于钛酸钡的半导体陶瓷组合物，钡uiil部分是，至少A，（从Na或K中的至少一种）环Bi和RE罗奇（至少一个元件从稀土元素包括Y选择的） （至少一种选自V，Nb和Ta中的至少一种）代替Ti（Bi含量）/（A含量）/（Ti含量） （RE含量+ TM含量）≤0.01，晶粒尺寸在1.1〜4.0的范围内。 并且峰值的分配频率为20％以上。

公开(公告)号：KR1020170016805A

公开(公告)日：2017-02-14

申请号：KR1020160099345

申请日：2016-08-04

申请人： 티디케이가부시기가이샤

发明人： 후지타가즈타카 ,  이토가즈히코 ,  시무라요시카즈

IPC分类号： H01C7/02 ,  H01C7/00 ,  C04B35/468 ,  C04B35/64

CPC分类号： H01C7/027 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3253 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/9607 ,  H01C1/1406 ,  H01C7/025

摘要： 대기중 소성에서도용이하게반도체화하고, 상온비저항이작고, 장시간통전해도저항값의경시열화를억제할수 있고, 또한내전압이큰 퀴리온도가 120℃이상의 BaTiO계의반도체자기조성물및 PTC 서미스터를제공한다. 화학식 (1)로나타나는화합물을주성분으로하는반도체자기조성물. (BaBiARE)(TiTM)O (1) (A는 Na 및 K, RE는 Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Dy 및 Er로부터선택되는적어도 1종, TM은 V, Nb 및 Ta로부터선택되는적어도 1종) 0.01≤x≤0.15 (2) x≤y≤0.3 (3) 0≤(w+z)≤0.01 (4) v+x+y+w=1 (5) u+z=1 (6) 0.950≤m≤1.050 (7) 또한, Ca을 0.001mol 내지 0.055mol 포함하고, Na/(Na+K)비가 0.1 이상 1 미만포함한다.

摘要翻译： 本发明提供一种半导体陶瓷组合物，其包含由以下通式（1）表示的化合物作为主要成分。 （其中，A表示Na和K的两个元素; RE是选自Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm中的至少一种元素， Gd，Dy和Er; TM是选自V，Nb和Ta中的至少一种元素。）0.1‰¤x‰¤0.15 x‰¤‰¤0.3 0‰¤w + z‰¤0.01 v + x + y + w =​​ 1 u + z = 1 0.950‰¤¤1.050进一步，0.001mol〜0.055mol的Ca含量，Na /（Na + K）的比例为0.1以上且小于1 。

公开(公告)号：KR1020150103726A

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：KR1020157021068

申请日：2014-02-17

申请人： 티디케이가부시기가이샤

发明人： 이토가즈히코 ,  시무라요시카즈

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/64

CPC分类号： H01C7/025 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  H01C1/1406 ,  H01C7/008 ,  H01C7/02

摘要： Pb를 사용하지 않고 퀴리점을 120℃보다 고온측으로 시프트시키고, 대기 중의 소성으로도 용이하게 반도체화되고, 상온 비저항이 작고, 또한 경시 변화가 작은 티탄산바륨계 PTC 서미스터 자기 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 하기 일반식 (1)로 표시되는 티탄산바륨계 화합물을 주성분으로 하는 소결체를 구비하고 있고; 상기 소결체는, Ti 사이트 1mol에 대해, Ca를 원소 환산으로 0.01mol 이상, 0.05mol 미만의 비율로 함유하는 것을 특징으로 한다.
(1)
(2)
(3)
(4)

摘要翻译： 不使用Pb的钛酸钡基PTC热敏电阻陶瓷组合物。 其居里温度转移到高于120℃的温度。即使在空气中烧结，PTC热敏电阻也可以容易地转动半导体。 25℃时的电阻率较低，25℃时的电阻率随时间的变化率很小。 PTC热敏电阻陶瓷组合物包括具有由式（1）表示的钛酸钡系化合物作为主要成分的（Ba1-xy-wBixAyREw）α（Ti1-zTMz）O3（1）的烧结体，其中，1.02y＆nlE; x＆ ; 1.5y（2），0.007＆nlE; y＆nlE; 0.125（3），0＆nlE;（w + z）＆nlE; 0.01（4），0.97＆nlE;α＆nlE; 1.06（5） 相对于元素换算的Ti部位为1摩尔，为0.01摩尔以上且小于0.05摩尔。