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公开(公告)号：KR101093064B1
公开(公告)日：2011-12-13
申请号：KR1020100043331
申请日：2010-05-10
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단 , (주)티피에스
IPC: H01L21/301 , H01L21/78
Abstract: 본 발명은 반도체 재료 절단용 와이어의 텍스처링 장치에 관한 것으로서, 평판면에 착탈가능하게 결합되는 베이스 플레이트와; 상기 베이스 플레이트의 상부에 안착설치되고, 그 상부에는 상부 보빈틀이 회전가능하게 설치된 하부 플레이트와; 상기 하부 플레이트에 대하여 승강되고, 그 하부에는 상기 상부 보빈틀과 대응되는 하부 보빈틀이 회전가능하게 설치된 상부 플레이트 및; 상기 상부 보빈틀 또는 하부 보빈틀 사이의 와이어 끼움홈에 설치되어 이 끼움홈을 통과하는 와이어에 텍스처링을 하는 다이아몬드 커터를 포함하는 것을 특징으로 하며, 이에 따라 와이어의 표면에 균일한 텍스처링이 이루어짐으로써, 와이어의 표면에 니켈이나 에폭시 등의 부착제와, 다이아몬드 등의 연마입자가 균일하게 코팅되는바, 단선의 우려가 불식되어 와이어의 소모량을 줄이면서도 절단량을 증가시킬 수 있고, 절단시간을 감소시킬 수 있게 되어 대구경의 잉곳도 용이하게 절단시킬 수 있게 되는 매우 유용한 효과가 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020110123873A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：KR1020100043331
申请日：2010-05-10
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단 , (주)티피에스
IPC: H01L21/301 , H01L21/78
CPC classification number: B24B27/0633 , B28D5/045
Abstract: PURPOSE: A texturing apparatus of a wire for semiconductor material cutting is provided to prevent the occurrence of a disconnection by coating grinding particles in a state of forming texture on the wire. CONSTITUTION: The texturing apparatus of a wire comprises a base plate(20). Connection bolts are installed on the four corners of the base plate. A guide bar is installed on the four corners of the base plate in a vertical direction. A bottom plate(30) installed on the top of the base plate. A top bobbin frame(42) is pivotally installed on the top of the bottom plate. A top plate(40) is ascended and descended corresponding to the bottom plate. A bottom bobbin frame(32) is pivotally installed in the lower part of the top plate. A diamond cutter(60) is installed in a wire fitting groove. The diameter of the diamond cutter is 0.1-0.2mm.
Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体材料切割的导线的纹理装置，以防止在线上形成纹理的状态下通过涂覆研磨颗粒而发生断开。 构成：电线的纹理装置包括基板（20）。 连接螺栓安装在底板的四个角上。 导杆在垂直方向安装在底板的四个角上。 安装在基板顶部的底板（30）。 顶部骨架框架（42）枢转地安装在底板的顶部上。 顶板（40）对应于底板上升和下降。 底架（32）枢转地安装在顶板的下部。 金刚石切割器（60）安装在线材嵌合槽中。 金刚石刀具的直径为0.1-0.2mm。
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公开(公告)号：KR101652965B1
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：KR1020140144820
申请日：2014-10-24
Applicant: (주)티피에스
IPC: C01B31/04
Abstract: 본발명은초음파를이용하여반응시간을획기적으로단축시키는것을특징으로하는그래핀옥사이드의제조방법및 그제조장치에관한것으로서, 더욱구체적으로는반응기에그래파이트(Graphite) 및산을투입하고 1차반응시킨후, 초음파진동을가함으로써단시간내에그래핀옥사이드를생산하는방법에관한것이다. 본발명에따른그래핀옥사이드의제조방법은초음파진동막대가구비된장치를이용하여반응시간을획기적으로단축시킴으로써그래핀옥사이드의생산당생산량이증가하여대량생산이가능한장점이있다. 또한, 필터를이용하여간단하게반응물의정제가가능함으로써종래기술에비해비용이저렴한경제적특징이있다.
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公开(公告)号：KR101524748B1
公开(公告)日：2015-06-02
申请号：KR1020130166721
申请日：2013-12-30
Applicant: (주)티피에스
Abstract: 본발명은단결정성장로히터용전극냉각용냉각수관로구조에관한것으로서, 구체적으로는일반적인단결정성장로에서공정조건으로중요한위치를차지하는관로내 온도분포를단결정공정에맞게개선하기위한것으로단결정성장로의도가니온도분포개선을위해히터용전극내 냉각수관로구조를새로이구성한단결정성장로히터용전극냉각용냉각수관로구조에관한것이다. 본발명은단결정성장로의히터용전극내 냉각수관로구조의개선을통해전극의온도분포개선을통해히터의온도분포를일정하게유지하도록함으로써단결정성장에필요한도가니의온도분포를고르게형성시키도록할 수있다는장점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于冷却单晶生长炉加热器的电极的冷却剂管结构，更具体地说，涉及一种用于冷却用于单晶生长炉加热器的电极的冷却剂管结构，其电极中的冷却剂管结构用作加热器 改进以改善单晶生长炉的坩埚中的温度分布，并且根据单晶工艺改善管中的温度分布，因为冷却剂管是单晶生长炉的工艺条件中的重要位置。 用于单晶生长炉的加热器的电极中的冷却剂管的结构改进被允许改善电极的温度分布并保持加热器中的温度分布，从而均匀地形成加热器的温度分布，这是需要增长的 单晶生长。
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公开(公告)号：KR1020150036857A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020130115809
申请日：2013-09-30
Applicant: (주)티피에스
CPC classification number: B01D71/34 , B01D69/08 , B01D71/022 , B01D71/38
Abstract: 본발명은중공사막조성물및 이를이용한중공사막에관한것으로서, 보다자세히는폴리불화비닐리덴(PVDF, Polyvinylidenefluoride); 첨가제로사용되는폴리에틸렌글리콜(PEG, Poly ethylene glycol); 용매로사용되는디메틸아세트아미드(DMAC);가포함되어이루어짐을특징으로하는중공사막조성물을제공한다. 따라서중공사막의원료가되는폴리불화비닐리덴에중공사막의친수성을부여하도록폴리에틸렌글리콜을첨가제로사용하고디메틸아세트아미드를용매제로사용되는중공사막조성물로하여금내화학성및 내구성이향상되어정수및 오폐수공정에유용하게사용될수 있는중공사막을제조할수 있는효과를발휘한다.
Abstract translation: 本发明涉及中空纤维膜组合物和使用其的中空纤维膜。 更具体地说，中空纤维膜组合物包括：聚偏二氟乙烯（PVDF）; 用作添加剂的聚乙二醇（PEG）; 和二甲基乙酰胺（DMAC），其用作溶剂。 因此，可以制造用于净化水和处理废水的中空纤维膜，因为中空纤维膜通过使用使用聚乙二醇作为添加剂的中空纤维膜组合物和二甲基乙酰胺作为溶剂而具有改善的耐化学性和耐久性，以便 将中空纤维膜的亲水性赋予作为中空纤维膜的原料的聚偏二氟乙烯。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150036852A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020130115800
申请日：2013-09-30
Applicant: (주)티피에스
Abstract: 본발명은중공사막의제조방법및 이를이용한중공사막에관한것으로서, 폴리불화비닐리덴(PVDF, Polyvinylidenefluoride), 용매인디메틸아세트아미드(DMAC), 염화리튬(LiCl)인기공형성제, 기공성장억제제인염화아연(Zinc Chloride)으로이루어지는방사용액을제1저장탱크에서투입하고, 첨가제인폴리에틸렌글리콜(PEG, Poly ethylene glycol)을제2저장탱크에투입하고, 내부응고액인디메틸아세트아미드(DMAC) 또는물을제3저장탱크에저장하는준비단계; 상기제1저장탱크내부에저장된방사용액을 75 ~ 80℃의온도로유지시킨후 교반기에의해교반시켜혼합된방사용액을제2저장탱크로투입하여제2저장탱크에저장된첨가제와혼합된후 혼합된방사용액과제3저장탱크에저장된내부응고제를 2중관형노즐을통하여방사용액과내부응고액을방사하는방사단계; 상기 2중관형노즐의하부에 75 ~ 80℃로유지되는응고액이담수되는응고조를구비한후 방사단계를통해방사된방사물에다수의롤러를통해응고액이담수된응고액이침지되도록안내되어막이형성되도록응고시키는응고단계; 상기응고단계를거친방사물을다수의롤러를통해 55 ~ 65℃로유지되는물이담수되어있는안정조에침지, 배출을반복하도록안내되어안정조에담수된물에의해그 형태를안정화시키는안정화단계; 상기안정화단계를거친방사물을다수의롤러를통해 45 ~ 55℃로유지되는물이담수되어있는권취조내부에서권취되어권취된상태를 23 ~ 25시간동안유지시켜방사단계에서잔존하는용매의배출이이루어지는권취단계;가포함되어이루어짐을특징으로하는중공사막의제조방법을제공한다. 또한상기중공사막의제조방법을이용하여표면스킨층의기공크기가 0.01 ~ 0.05㎛이고, 기공율이 70% ~ 95%로이루어짐을특징으로하는중공사막을제공한다. 따라서중공사막의원료가되는폴리불화비닐리덴에디메틸아세트아미드를용매제로사용되고중공사막의친수성을부여하도록폴리에틸렌글리콜을첨가제로사용함으로서내화학성및 내구성이향상되어정수및 오폐수공정에유용하게사용될수 있는중공사막을제조할수 있는효과를발휘한다. 그리고중공사막은안정적인수처리공정이가능하게됨으로써수처리생산비용및 유지비용을절감할수 있고, 날로엄격해지고있는고도정수처리, 용수처리공정을포함한차세대고효율분리공정산업에유용하게활용되는효과를발휘한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种中空纤维膜的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：将由聚偏氟乙烯（PVDF），二甲基乙酰胺（DMAC），溶剂构成的纺丝溶液，作为孔隙率形成剂的氯化锂（LiCl） 氯化物，其是第一储罐的孔隙率增长抑制剂; 将作为添加剂的聚乙二醇（PEG）注入到第二储罐中; 以及在第三储罐中储存作为内部凝结液的水或二甲基乙酰胺（DMAC）的制备步骤，由此能够制造出中空纤维膜以稳定的方式处理水处理，导致水的生产和维护成本降低 处理和使用其的中空纤维膜。
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公开(公告)号：KR101504118B1
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：KR1020130066555
申请日：2013-06-11
Applicant: (주)티피에스
Abstract: 본 발명은 고온 진공소결로를 이용한 고순도 고밀도 알루미나의 제조방법에 관한 것으로, 기존의 베이어(Bayer)법의 낮은 순도와 생산수율을 보완하고 알콕사이드(Alkoxide)법의 복잡한 제조공정을 단순화시킴으로써 알루미나의 원료물질이 되는 수산화알루미늄의 순도와 수율을 증가시켜 알루미나의 생산량 증가 및 환경오염을 유발하는 문제점을 개선하며, 또한 소결시 발생하는 불순물을 고진공을 통해 보다 효율적으로 제거하기 위해 고온 진공소결로를 이용한 고순도 고밀도 알루미나의 제조방법을 제공한다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 고온 진공소결로를 이용한 고순도 고밀도 알루미나의 제조방법은, 99.9% 이상의 고순도 금속 알루미늄(Al)을 수산화나트륨(NaOH) 용액에 투입하고 용해시켜 수산화알루미늄(Al(OH)
3 , ATH)을 합성하는 제1공정; 상기 합성된 수산화알루미늄(NaOH) 용액을 고액분리기를 이용하여 수산화알루미늄(ATH)을 분리하고 세정하는 제2공정; 상기 수산화알루미늄(ATH)은 고온 진공소결로를 이용하여 알루미나(Al
2 O
3 )를 제조하는 제3공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제1공정에서의 금속 알루미늄(Al)은 30 ~ 100℃의 온도에서 3 ~ 20% 농도의 수산화나트륨(NaOH) 용액에 과포화 용해되어 수산화알루미늄(ATH)을 석출시키게 되며, 상기 제2공정에서 분리된 수산화알루미늄(ATH)은 탈이온수(deionized water)와 산성 용액으로 불순물을 세척하며, 그리고 상기 제3공정에서의 고온 진공소결로는 온도 1700 ~ 2000℃ 및 압력 5×10
-3 ~ 5×10
-6 Torr의 조건으로 가동되는 것을 특징으로 하고 있다.-
公开(公告)号：KR1020140028917A
公开(公告)日：2014-03-10
申请号：KR1020120096298
申请日：2012-08-31
Applicant: (주)티피에스
IPC: C09K3/14
Abstract: The present invention relates to polishing particles and a method for manufacturing the same. The polishing particles, according to an embodiment of the present invention, include a metal alloy matrix formed with a plurality of gaps, and hard particles attached onto the gaps. The metal alloy matrix has a high-spherical, a spherical, or an oval shape, with the diameter ranging from 100 to 100 μm, and the size of gaps ranging from one to ten μm. Moreover, the metal alloy matrix includes 95 to 99 % of Sn, 0.5 to 3 % of Ag, and 0.5 to 2 % of Cu. The diameter of the hard particles range from one to ten μm, and is made of one chosen among diamond, a tungsten compound, a titanium compound, a zirconium compound, a tantalum compound, a silicon compound, and a silicon nitride.
Abstract translation: 抛光粒子及其制造方法技术领域本发明涉及研磨粒子及其制造方法。 根据本发明的实施例的抛光颗粒包括形成有多个间隙的金属合金基体和附着在间隙上的硬质颗粒。 金属合金基体具有高球形，球形或椭圆形，直径范围为100至100μm，间隙尺寸为1至10μm。 此外，金属合金基体包含95〜99％的Sn，0.5〜3％的Ag和0.5〜2％的Cu。 硬质粒子的直径为1〜10μm，由金刚石，钨化合物，钛化合物，锆化合物，钽化合物，硅化合物，氮化硅等制成。
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公开(公告)号：KR1020160048378A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：KR1020140144820
申请日：2014-10-24
Applicant: (주)티피에스
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B32/184 , C01B2204/00
Abstract: 본발명은초음파를이용하여반응시간을획기적으로단축시키는것을특징으로하는그래핀옥사이드의제조방법및 그제조장치에관한것으로서, 더욱구체적으로는반응기에그래파이트(Graphite) 및산을투입하고 1차반응시킨후, 초음파진동을가함으로써단시간내에그래핀옥사이드를생산하는방법에관한것이다. 본발명에따른그래핀옥사이드의제조방법은초음파진동막대가구비된장치를이용하여반응시간을획기적으로단축시킴으로써그래핀옥사이드의생산당생산량이증가하여대량생산이가능한장점이있다. 또한, 필터를이용하여간단하게반응물의정제가가능함으로써종래기술에비해비용이저렴한경제적특징이있다.
Abstract translation: 本发明涉及用于制造氧化石墨烯的方法和装置，其能够通过使用超声波来显着地减少反应时间。 更具体地，该方法包括：将石墨和酸进料到反应器中以进行第一反应; 并施加超声波振动以在短时间内制造氧化石墨烯。 根据本发明的方法可以通过使用设置有超声波振动棒的装置来显着地减少反应时间，以增加每次生产中的氧化石墨烯的输出，从而可以实现批量生产。 此外，由于通过使用过滤器简单地改进反应物，所以与常规技术相比，该方法可以以低成本经济地进行。
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公开(公告)号：KR101426388B1
公开(公告)日：2014-08-05
申请号：KR1020130066508
申请日：2013-06-11
Applicant: (주)티피에스
Abstract: The present invention relates to an alumina sintering furnace structure that sinters high purity alumina used for single crystal growth, and the alumina sintering furnace structure includes: a chamber; a pot furnace for receiving alumina powder to the chamber to conduct the sintering for the alumina powder; heating means having a heating material adapted to emit high temperature heat for the alumina sintering to the pot furnace, the heating material producing the heat if power is supplied thereto by means of a terminal; a first reflection plate adapted to reflect the high temperature heat emitted from the heating means around the heating means onto the pot furnace; and vacuum means connected to the interior of the chamber to maintain the interior of the chamber to a vacuum state and to accelerate the alumina sintering. Accordingly, through the formation of the heating means formed of the heating material made of tungsten or molybdenum and the first reflection plate made of yttria-stabilized zirconia, the alumina powder can be sintered to a high temperature within a short period of time, thus remarkably reducing the work time, improving the productivity and minimizing the production cost, without having any separate high expensive equipment. Further, the alumina powder can be sintered at the high temperature, thus achieving tight tissues to suppress the formation of bubbles acting as a main defect upon the formation of single crystal, improving the purity of the alumina itself to remove the impurities from the single crystal, and providing a high quality aluminum product advantageous to the single crystal growth.
Abstract translation: 本发明涉及烧结用于单晶生长的高纯度氧化铝的氧化铝烧结炉结构，氧化铝烧结炉结构包括：室; 用于将氧化铝粉末接收到所述室以进行氧化铝粉末的烧结的锅炉; 加热装置，其具有适于向用于氧化铝烧结到锅炉的高温热量的加热材料，所述加热材料在通过端子供电的情况下产生热量; 第一反射板，其适于将来自加热装置的加热装置发出的高温热量反射到加热装置上; 以及连接到室的内部的真空装置，以将室的内部保持在真空状态并加速氧化铝烧结。 因此，通过形成由钨或钼制成的加热材料形成的加热装置和由氧化钇稳定的氧化锆制成的第一反射板，氧化铝粉末可以在短时间内烧结到高温，因此显着地 减少工作时间，提高生产率和最小化生产成本，而不需要任何单独的昂贵的设备。 此外，氧化铝粉末可以在高温下烧结，从而获得紧密的组织以抑制在形成单晶时作为主要缺陷的气泡的形成，提高氧化铝本身的纯度以从单晶中除去杂质 ，并提供有利于单晶生长的高品质铝产品。
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