公开(公告)号：KR20180059962A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：KR20187015079

申请日：2016-04-18

IPC分类号： B22F3/24 ,  B22F3/16 ,  C21D7/13 ,  F16C33/58 ,  F16C33/64

CPC分类号： F16C33/64 ,  B22F3/16 ,  B22F3/164 ,  B22F3/24 ,  B22F5/00 ,  B22F2003/166 ,  B22F2003/247 ,  B22F2003/248 ,  B22F2999/00 ,  B23P9/02 ,  B23P15/003 ,  B24B39/00 ,  C21D1/18 ,  C21D7/08 ,  C21D7/13 ,  C21D9/36 ,  C21D9/38 ,  C21D9/40 ,  F16C33/585 ,  F16C2220/20 ,  F16C2223/02 ,  F16C2223/10 ,  B22F2003/185

摘要： 구성요소를제조하는방법은 500 ℉초과의버니싱온도로구성요소를가열하는단계및 표면을조밀화하기위하여구성요소가버니싱온도에있는동안에구성요소의표면을버니싱하는단계를포함한다. 상승된온도에서버니싱공정은소결또는열 처리공정과같은다른공정내로통합될수 있다.

公开(公告)号：KR101849479B1

公开(公告)日：2018-04-16

申请号：KR1020167016700

申请日：2014-12-19

申请人： 도요타 지도샤(주)

发明人： 사쿠마노리츠구 ,  쇼지데츠야 ,  사쿠마다이스케 ,  하가가즈아키

IPC分类号： H01F1/057 ,  H01F41/02

CPC分类号： H01F41/0266 ,  B22F3/10 ,  B22F2998/10 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C38/06 ,  C22C38/16 ,  C22C2202/02 ,  C22F1/16 ,  H01F1/0536 ,  H01F1/057 ,  H01F1/0576 ,  H01F1/0577 ,  H01F41/0293 ,  B22F2003/185 ,  B22F2003/248 ,  B22F2003/208

摘要： 본방법은: (Rl)(Rh)TBM의조성을가진소결체를제조하는단계; 상기소결체에열간변형가공을실시함으로써전구체를제조하는단계; 및 450℃ ~ 700℃의 온도범위에서상기전구체에시효처리를실시함으로써희토류자석을제조하는단계를포함한다. 상기방법에서, 상기주상은 (RlRh)TB 상으로형성된다. 입자계면상에서 (RlRh)TB의함량은 0 질량% 초과 50 질량% 이하이다. Rl 은경희토류원소를나타낸다. Rh 는중희토류원소를나타낸다. T 는천이금속을나타낸다. M 은 Ga, Al, Cu 및 Co 중적어도 1 종을나타낸다. x, y, z, s 및 t 는 R1, Rh, T, B 및 M 의질량% 를나타낸다. x, y, z, s 및 t 는다음의식: 27≤x≤44, 0≤y≤10, z=100-x-y-s-t, 0.75≤s≤3.4, 0≤t≤3 으로나타낸다.

公开(公告)号：KR1020140134258A

公开(公告)日：2014-11-21

申请号：KR1020147004671

申请日：2013-03-08

申请人： 닛토덴코 가부시키가이샤

发明人： 구메가츠야 ,  오쿠노도시아키 ,  오제키이즈미 ,  오무레도모히로 ,  오자키다카시 ,  다이하쿠게이스케 ,  야마모토다카시

IPC分类号： H01F41/02 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  B22F9/04 ,  C22C33/02 ,  H01F1/057 ,  H01F1/08 ,  H01F1/113 ,  C22C38/00

CPC分类号： H01F1/0536 ,  B22F1/0059 ,  B22F3/18 ,  B22F7/04 ,  B22F2003/185 ,  B22F2301/355 ,  B22F2999/00 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  H01F1/0577 ,  H01F1/086 ,  H01F41/0266 ,  B22F2202/05

摘要： 자석 특성의 저하를 방지하는 것이 가능하게 된 희토류 영구 자석 및 희토류 영구 자석의 제조 방법을 제공한다. 자석 원료를 자석 분말로 분쇄하고, 분쇄된 자석 분말과 바인더를 혼합함으로써 컴파운드(12)를 생성한다. 그리고, 생성한 컴파운드(12)를 시트 형상으로 성형한 그린 시트(14)를 제작한다. 그 후, 성형한 그린 시트(14)의 자장 배향을 행하고, 또한, 그린 시트(14)를 대기압보다 높은 압력으로 가압한 비산화성 분위기 하에서 200℃ 내지 900℃에서 수시간 유지함으로써 가소 처리를 행한다. 계속해서, 그린 시트(14)를 소성 온도에서 소결함으로써 영구 자석(1)을 제조한다.

公开(公告)号：KR1020170002946A

公开(公告)日：2017-01-09

申请号：KR1020150092907

申请日：2015-06-30

申请人： 삼성전기주식회사

发明人： 이승호 ,  김인규

IPC分类号： H01F41/02 ,  H01F1/147 ,  H01F1/36

CPC分类号： H01F1/015 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/105 ,  B22F3/18 ,  B22F3/20 ,  B22F5/00 ,  B22F7/062 ,  B22F9/04 ,  B22F2003/1051 ,  B22F2003/185 ,  B22F2003/208 ,  B22F2009/043 ,  B22F2301/052 ,  B22F2301/058 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C22C1/04 ,  C22C2202/02

摘要： 본개시의일 실시예에따른자성복합체는자성재료및 금속합금을포함한다. 상기금속합금은자성재료의물성을확보하면서, 자성재료의입자사이에바인더역할을할 수있으며, 이로인해다양한형태의자성복합체의성형이가능할수 있다.

摘要翻译： 提供磁性复合材料及其制造方法。 磁性复合材料包括磁性材料，包括磁性材料颗粒和金属合金。

公开(公告)号：KR1020150002172A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：KR1020130075684

申请日：2013-06-28

申请人： 삼성전기주식회사

发明人： 김학관 ,  안성용 ,  김재영 ,  서정욱

IPC分类号： H01F1/20 ,  H01F17/00

CPC分类号： H01F27/255 ,  B22F1/0044 ,  B22F1/02 ,  B22F2998/10 ,  C22C33/02 ,  H01F1/15333 ,  H01F1/24 ,  H01F1/33 ,  B22F1/0003 ,  B22F2009/041 ,  B22F1/0059 ,  B22F3/22 ,  B22F2003/185 ,  B22F7/02

摘要： 본 발명은 고주파용 칩 부품의 제조를 위한 복합재에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 복합재는 상대적으로 구형을 갖는 자성 분말 및 상기 자성 분말에 비해 상대적으로 비정형의 형상을 가지며 자성 분말에 비해 낮은 경도(hardness)를 갖는 금속 자성체 입자를 포함한다.

摘要翻译： 本发明涉及一种高频芯片部件的制造用复合体。 根据本发明实施方案的复合材料包括具有相对球形形状的磁性粉末和具有比磁性粉末更具无定形形状的金属磁性体颗粒，并且硬度低于磁性粉末的硬度。

公开(公告)号：KR1020140131904A

公开(公告)日：2014-11-14

申请号：KR1020147004672

申请日：2013-03-08

申请人： 닛토덴코 가부시키가이샤

发明人： 오무레도모히로 ,  구메가츠야 ,  오쿠노도시아키 ,  오제키이즈미 ,  오자키다카시 ,  다이하쿠게이스케 ,  야마모토다카시

IPC分类号： H01F41/02 ,  B22F3/00 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10 ,  B22F7/04 ,  C22C33/02 ,  H01F1/057 ,  H01F1/08 ,  C22C38/00

CPC分类号： H01F41/0266 ,  B22F1/0059 ,  B22F3/18 ,  B22F7/04 ,  B22F2003/185 ,  B22F2301/355 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  H01F1/0577 ,  H01F7/021 ,  B22F2202/05 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/105 ,  B22F3/101 ,  B22F2201/013

摘要： 영구 자석의 자기 특성을 향상시킴과 함께 제조 효율을 대폭 상승시킨 희토류 영구 자석 및 희토류 영구 자석의 제조 방법을 제공한다. 자석 원료를 자석 분말로 분쇄하고, 분쇄된 자석 분말과 바인더를 혼합함으로써 컴파운드(12)를 생성한다. 그리고, 생성한 컴파운드(12)를 핫 멜트 성형에 의해 지지 기재(13) 위에 시트 형상으로 성형한 그린 시트(14)를 제작한다. 그 후, 성형한 그린 시트(14)를 가열하여 연화시키는 동시에, 가열된 그린 시트(14)를 복수매 적층한 상태에서 자장을 인가함으로써 자장 배향을 행하고, 또한, 자장 배향 후의 그린 시트(14)를 소결함으로써 영구 자석(1)을 제조한다.

公开(公告)号：KR1020160122137A

公开(公告)日：2016-10-21

申请号：KR1020167021349

申请日：2015-02-12

申请人： 세라딘, 인크.

发明人： 란드리-데지에티안느 ,  지아쏭제네비에브 ,  나와즈무함마드주바이어

IPC分类号： B22F3/18 ,  B22F3/17 ,  B22F7/08 ,  C22C32/00 ,  B22F3/20

CPC分类号： B22F7/04 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/02 ,  B22F3/17 ,  B22F3/18 ,  B22F3/20 ,  B22F7/08 ,  B22F2003/175 ,  B22F2003/185 ,  B22F2003/208 ,  B22F2007/042 ,  B22F2301/052 ,  B22F2301/058 ,  B22F2301/35 ,  B22F2302/10 ,  B22F2998/10 ,  C22C32/0057

摘要： 본명세서에는 (a) 길이와폭을갖는하단형성판, 길이와높이를갖는제1 쌍의측면형성판, 및폭과높이를갖는제2 쌍의측면형성판을포함하는금속상자를형성하는단계; (b) 금속분말및 세라믹분말을혼합하여혼합분말을제조하는단계; (c) 금속상자를혼합분말로충전하는단계; (d) 혼합분말을금속상자내에서컴팩팅하여컴팩팅된분말프리폼을포함하는금속상자를제공하는단계; (e) 상단형성판을컴팩팅된분말프리폼을포함하는금속상자에대해서단단히접합하게금속상자상에배치하고, 그의모서리둘레를밀봉하여프리-압연어셈블리를제조하는단계; 및 (f) 프리-압연어셈블리상에서열간가공을수행하여금속클래딩을갖는금속매트릭스복합재료를수득하는단계를포함하는, 금속매트릭스복합재료의제조방법이기술되어있다.

公开(公告)号：KR1020160089464A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：KR1020167016700

申请日：2014-12-19

申请人： 도요타 지도샤(주)

发明人： 사쿠마노리츠구 ,  쇼지데츠야 ,  사쿠마다이스케 ,  하가가즈아키

IPC分类号： H01F1/057 ,  H01F41/02

CPC分类号： H01F41/0266 ,  B22F3/10 ,  B22F2998/10 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C38/06 ,  C22C38/16 ,  C22C2202/02 ,  C22F1/16 ,  H01F1/0536 ,  H01F1/057 ,  H01F1/0576 ,  H01F1/0577 ,  H01F41/0293 ,  B22F2003/185 ,  B22F2003/248 ,  B22F2003/208

摘要： 본방법은: (Rl)(Rh)TBM의조성을가진소결체를제조하는단계; 상기소결체에열간변형가공을실시함으로써전구체를제조하는단계; 및 450℃ ~ 700℃의 온도범위에서상기전구체에시효처리를실시함으로써희토류자석을제조하는단계를포함한다. 상기방법에서, 상기주상은 (RlRh)TB 상으로형성된다. 입자계면상에서 (RlRh)TB의함량은 0 질량% 초과 50 질량% 이하이다. Rl 은경희토류원소를나타낸다. Rh 는중희토류원소를나타낸다. T 는천이금속을나타낸다. M 은 Ga, Al, Cu 및 Co 중적어도 1 종을나타낸다. x, y, z, s 및 t 는 R1, Rh, T, B 및 M 의질량% 를나타낸다. x, y, z, s 및 t 는다음의식: 27≤x≤44, 0≤y≤10, z=100-x-y-s-t, 0.75≤s≤3.4, 0≤t≤3 으로나타낸다.

摘要翻译： 该方法包括以下步骤：制备具有以下组成的烧结体：（R1）（Rh）TBM; 对烧结体进行热加工以产生前体; 以及在450℃〜700℃的温度范围内对前体进行时效处理而制造稀土类磁铁的工序。 在上述方法中，柱状相形成为（R 1 R h）TB相。 （R1Rh）TB在颗粒界面上的含量大于0质量％且不大于50质量％。 而R1代表稀土元素。 Rh代表重稀土元素。 T代表过渡金属。 M表示Ga，Al，Cu和Co.中的至少一种 x，y，z，s和t分别表示R1，Rh，T，B和M的质量百分数。 x，y，z，s和t由以下仪式表示：27≤x≤44,0≤y≤10，z = 100-x-y-s-t，0.75≤s≤

公开(公告)号：KR101340113B1

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：KR1020117031208

申请日：2010-06-15

申请人： 게이츠 코포레이션

发明人： 호드야트야야 ,  로우코크로저 ,  쉬바나스로히스

IPC分类号： B22F3/16 ,  B22F3/18

CPC分类号： B22F3/18 ,  B22F5/006 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  H01M8/0208 ,  H01M2008/1293 ,  Y02P70/56 ,  B22F5/003 ,  B22F3/004 ,  B22F2202/01 ,  B22F2003/175 ,  B22F3/1028 ,  B22F2003/185 ,  B22F3/10 ,  B22F2202/07 ,  B22F2201/01 ,  B22F2201/03

摘要： 본 발명은 분말 금속 플레이트를 제조하는 방법을 개시하며, 이 방법은, 미리 정해진 질량의 금속 분말을 이동하는 테이프(200) 상에 공급하는 것; 테이프의 이동 방향에 대해 평행하게 연장하는 진동형 경계벽(201, 202)에 의해 금속 분말을 둘러쌈으로써 금속 분말을 제한하는 것; 주위 온도에서 금속 분말을 압연하여 압착 생형 스트립(GS)을 형성하는 것; 압착 생형 스트립을 노(400) 내에서 연속적으로 소결하는 것; 압착 생형 스트립을 노 내에 있는 동안에 정미 형상 부품(NS)으로 성형하는 것; 및 정미 형상 부품을 1000 ℃를 초과하는 온도의 비산화 분위기(404)에서 냉각하는 것을 포함한다.

公开(公告)号：KR100980205B1

公开(公告)日：2010-09-03

申请号：KR1020080137523

申请日：2008-12-30

申请人： 두산중공업 주식회사

发明人： 문환 ,  류보현 ,  유장용 ,  윤주영 ,  신미영 ,  최운용 ,  이태원 ,  장인갑 ,  문길호

IPC分类号： H01M8/02 ,  H01M8/14

CPC分类号： H01M8/142 ,  B22F1/0074 ,  B22F3/22 ,  B22F7/04 ,  B22F2009/043 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  H01M4/8621 ,  H01M4/8657 ,  H01M4/8857 ,  H01M4/8889 ,  H01M4/8896 ,  H01M4/90 ,  H01M8/0232 ,  H01M8/0245 ,  H01M8/141 ,  H01M2008/147 ,  Y02E60/526 ,  Y02P70/56 ,  Y10T156/1052 ,  B22F9/04 ,  B22F3/10 ,  B22F2003/185 ,  B22F2003/145

摘要： 본 발명은 용융탄산염 연료전지의 인-시츄 소결용 연료극 강화 시트 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 용융탄산염 연료전지 스택의 연료극 제조공정시 슬러리를 통해 성형시트를 형성하고 성형시트와 강도 증진 층을 적층 및 압착하여 궁극적으로 스택의 기계적 안정성 및 연료극의 장기 안정성을 증대시키는 방법 및 이로부터 제조된 연료극에 관한 것이다.
용융탄산염 연료전지, 스택, 연료극, 인-시츄 소성, 크립