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    기판처리장치
    4.
    发明授权
    기판처리장치 有权

    公开(公告)号：KR101436765B1

    公开(公告)日：2014-09-01

    申请号：KR1020137002912

    申请日：2011-07-21

    申请人： 구라시키 보세키 가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 케미컬 아트 테크놀로지

    发明人： 키요세,히로미 ,  히라키,사토루 ,  와타나베,히로시

    IPC分类号： H01L21/306

    CPC分类号： B44C1/227 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67109

    摘要： 처리액의 농도를 직접 검출할 수 있기 때문에, 처리액의 온도의 영향을 거의 받지 않고 독립한 농도제어를 행할 수 있고, 기판의 약액 처리를 정도 좋게 행하는 것이 가능한 기판처리장치를 제공한다.
    약액과 희석액을 혼합하여 되는 처리액 중에 기판을 침지하여 처리를 행하는 기판처리장치에 있어서, 처리액을 저류하는 처리조(1)과, 처리액을 가열하는 가열수단(2,3)과, 처리액의 온도를 검출하는 온도검출수단(4)와, 검출온도가 설정온도에 가까워지도록 상기 가열수단(2,3)을 조작하는 온도제어수단(5)와, 처리액에 희석액을 보충하는 보충수단(6)과, 처리액의 흡광 특성을 측정하는 것으로 처리액의 농도를 검출하는 농도검출수단(7)과, 검출농도가 설정농도에 가까워지도록 상기 보충수단(6)을 조작하는 농도제어수단(8)을 구비한다.

    관통 요소의 마스크-에칭을 위한 방법
    6.
    发明公开
    관통 요소의 마스크-에칭을 위한 방법 有权
    一种刺激元件的掩蔽方法

    公开(公告)号：KR1020140051449A

    公开(公告)日：2014-04-30

    申请号：KR1020147007538

    申请日：2012-09-19

    申请人： 에프. 호프만-라 로슈 아게

    发明人： 치펠마르첼리누스 ,  로페즈므라스앙겔

    IPC分类号： A61B5/15 ,  A61B5/151 ,  G01N1/10 ,  B01L3/00

    CPC分类号： A61B5/150282 ,  A61B5/1411 ,  A61B5/150022 ,  A61B5/150358 ,  A61B5/150419 ,  A61B5/150519 ,  A61B5/157 ,  B01D67/0034 ,  B01D67/0058 ,  B44C1/227 ,  C23F1/02

    摘要： 본원은, 세장형 샤프트 (16), 원위방향으로 돌출된 팁 (18), 근위 유지부 (20), 및 체액을 수집하고 샤프트 (16) 를 따라서 팁 (18) 의 영역까지 연장되는 측방향으로 개방된 수집 채널 (22) 을 갖는 관통 요소 (14) 의 마스크-에칭을 위한 방법에 관한 것이다. 이 목적을 위해서, 양면 에칭 마스크 (10) 가 기재 (12) 의 2 개의 측부들에 적용되고, 에칭제의 작용하에서, 관통 요소 (14) 는 화학 블랭킹에 의해서 만들어진 부분으로서 형성되고, 에칭 마스크 (10) 의 채널 측부 (28) 는 수집 채널 (22) 의 일측성 (unilateral) 에칭을 위한 채널 에칭 슬릿 (38) 을 구비한다. 채널 에칭 슬릿 (38) 의 근위 및/또는 원위 단부 (40, 60) 는 슬릿의 단부를 향해서 테이퍼링되도록 구성된다.

    摘要翻译： 公开了一种用于穿孔元件的掩模蚀刻的方法，所述穿孔元件具有细长轴，远端突出尖端，近侧保持部分和侧向开放的收集通道，该收集通道收集体液并且沿轴延伸至该区域 尖端，其中双面蚀刻掩模的一侧分别施加到基板的两侧，并且在蚀刻剂的作用下，穿孔元件形成为通过化学消隐制成的部分，其中通道侧为 蚀刻掩模设置有用于单向蚀刻收集通道的沟道蚀刻狭缝。

    그래핀의 직접 전사 방법
    7.
    发明公开
    그래핀의 직접 전사 방법 有权
    石墨的直接转移方法

    公开(公告)号：KR1020130124702A

    公开(公告)日：2013-11-15

    申请号：KR1020120048023

    申请日：2012-05-07

    申请人： 성균관대학교산학협력단

    发明人： 정승부 ,  김용일 ,  이영철

    IPC分类号： C01B31/02 ,  B44C1/22 ,  C08G77/04

    CPC分类号： C01B32/194 ,  B44C1/227 ,  C08G77/04

    摘要： The present invention relates to a direct transferring method of graphene, more specifically the direct transferring method of the graphene which is synthesized on a catalyst metal on a substrate. The direct transferring method, as seen in a drawing 1, comprises the following steps: preparing the graphene synthesized on the catalyst metal (S10); coating a polymer on the substrate for transferring the graphene by spinning (S20); hardening the substrate with the polymer (S30); flipping the graphene on the catalyst metal, and attaching the surface with the graphene to the surface of the substrate with the polymer (S40); etching the catalyst metal for producing the graphene (S50); and washing and drying the substrate with the graphene (S60). [Reference numerals] (S10) Step of preparing the graphene synthesized on the catalyst metal;(S20) Step of coating a polymer on the substrate for transferring the graphene by spinning it;(S30) Step of hardening the polymer-coated substrate;(S40) Step of flipping the graphene on the catalyst metal, and attaching the surface with the graphene to the surface of the substrate with the polyme;(S50) Step of etching the catalyst metal for producing the graphene;(S60) Step of washing and drying the substrate with the graphene

    摘要翻译： 本发明涉及石墨烯的直接转移方法，更具体地说，涉及在基板上的催化剂金属上合成的石墨烯的直接转移方法。 直接转印法如图1所示，包括以下步骤：制备在催化剂金属上合成的石墨烯（S10）; 在基材上涂覆聚合物以通过旋转转移石墨烯（S20）; 用聚合物硬化基材（S30）; 在催化剂金属上翻转石墨烯，并用石墨烯将表面与聚合物粘合到基材表面（S40）; 蚀刻用于制造石墨烯的催化剂金属（S50）; 并用石墨烯洗涤和干燥基材（S60）。 （S10）制备在催化剂金属上合成的石墨烯的步骤;（S20）通过纺丝将聚合物涂布在基板上以转印石墨烯的步骤;（S30）将聚合物涂布的基材硬化的步骤（ S40）将所述石墨烯翻转在所述催化剂金属上，并用所述聚合物将所述石墨烯的表面与所述基板表面贴合;（S50）蚀刻用于制造所述石墨烯的所述催化剂金属的工序;（S60） 用石墨烯干燥基板

    라디칼 에칭 장치 및 방법
    8.
    发明公开
    라디칼 에칭 장치 및 방법 有权
    放射性蚀刻装置及方法

    公开(公告)号：KR1020130121179A

    公开(公告)日：2013-11-05

    申请号：KR1020137023658

    申请日：2012-02-01

    申请人： 가부시키가이샤 알박

    发明人： 이노우에히로아키 ,  히구치야스시 ,  이시카와미치오

    IPC分类号： H01L21/3065

    CPC分类号： B44C1/227 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/31116

    摘要： A radical etching apparatus comprising a vacuum chamber for a substrate to be treated; a pipe pathway, connected to the vacuum chamber, a zone for generating plasma and with a gas introduction device through which N2 and at least one of H2 and NH3 can be introduced; a microwave applying microwaves to the interior of the pipe pathway; a gas introducer as a source of supply for F, between the vacuum chamber and the zone; and a shower plate. A method comprises introducing N2 and at least one of H2 gas and NH3 into a pipe pathway and applying microwaves. The gas mixture is decomposed by the plasma forming decomposition products as active species which react with F during transportation to a the vacuum chamber to make radicals. An SiO2 layer on a the substrate etched in the vacuum chamber, by irradiating the substrate with the radicals through a the shower plate.

    기판처리장치
    10.
    发明公开
    기판처리장치 有权
    基板处理设备

    公开(公告)号：KR1020130023395A

    公开(公告)日：2013-03-07

    申请号：KR1020137002912

    申请日：2011-07-21

    申请人： 구라시키 보세키 가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 케미컬 아트 테크놀로지

    发明人： 키요세,히로미 ,  히라키,사토루 ,  와타나베,히로시

    IPC分类号： H01L21/306

    CPC分类号： B44C1/227 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67109

    摘要： 처리액의 농도를 직접 검출할 수 있기 때문에, 처리액의 온도의 영향을 거의 받지 않고 독립한 농도제어를 행할 수 있고, 기판의 약액 처리를 정도 좋게 행하는 것이 가능한 기판처리장치를 제공한다.
    약액과 희석액을 혼합하여 되는 처리액 중에 기판을 침지하여 처리를 행하는 기판처리장치에 있어서, 처리액을 저류하는 처리조(1)과, 처리액을 가열하는 가열수단(2,3)과, 처리액의 온도를 검출하는 온도검출수단(4)와, 검출온도가 설정온도에 가까워지도록 상기 가열수단(2,3)을 조작하는 온도제어수단(5)와, 처리액에 희석액을 보충하는 보충수단(6)과, 처리액의 흡광 특성을 측정하는 것으로 처리액의 농도를 검출하는 농도검출수단(7)과, 검출농도가 설정농도에 가까워지도록 상기 보충수단(6)을 조작하는 농도제어수단(8)을 구비한다.

    摘要翻译： 本发明提供一种基板处理装置，由于能够直接检测处理液的浓度，因此能够在几乎不受处理液的温度影响的情况下进行独立的浓度控制，并且能够良好地进行基板的药液处理。