-
公开(公告)号：KR1020180066308A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：KR1020160165806
申请日：2016-12-07
申请人： 한국기계연구원
摘要： 본발명은대면적제작및 롤스탬프를이용한연속공정이가능하며, 식각공정을거치지않고메타표면을구현할수 있는전사공정을이용한플라즈모닉메타표면제작방법에관한것이다. 이를위해, 본발명은형성하고자하는기능층의패턴에대응되도록일면에나노구조체가가공된스탬프를준비하는스탬프준비단계; 그리고상기일면에액상물질의도포또는이방성진공증착을통해상기기능층을형성하는기능층형성단계;를포함하며, 상기기능층이증착된상기스탬프는플라즈모닉메타표면으로구현되는것을특징으로하는플라즈모닉메타표면제작방법을제공한다.
-
公开(公告)号：KR1020170137704A
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：KR1020177022364
申请日：2016-01-13
申请人： 자니니 오토 그룹 에스. 에이
发明人： 메이어푸자다스,어구스토 , 사나후자클로트,요세
IPC分类号： C25D5/48 , C25D5/12 , C25D5/56 , B23K26/362 , B44C1/22
CPC分类号： C23F1/02 , B23K26/36 , B23K26/362 , B44C1/22 , C23F17/00 , C25D3/04 , C25D5/12 , C25D5/48 , C25D5/56
摘要： 부품처리방법으로서, 부품상에전해크롬도금층을도포하는단계; 상기부품의전체외부표면에걸쳐코팅을도포하는단계; 적어도하나의코팅부및 적어도하나의비코팅부를갖는부품을만들기위해, 상기코팅의선택적스트리핑단계; 상기비코팅부의적어도일부에서층 상에선택적에칭을수행하는단계; 상기부품의전체표면의금속화단계; 및상기코팅의제거단계를포함하는것을특징으로한다.
摘要翻译： 一种处理部件的方法，包括：在部件上施加电解铬镀层; 在部件的整个外表面上涂覆涂层; 选择性地剥离涂层以形成具有至少一个涂层和至少一个非涂层的部件; 在所述未涂覆部分的至少一部分上对所述层执行选择性蚀刻; 对零件的整个表面进行金属化处理; 并去除涂层。
-
公开(公告)号：KR1020170128617A
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：KR1020177032628
申请日：2014-09-12
申请人： 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤
CPC分类号： C23F1/00 , C23C14/021 , C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23F1/02
摘要： 본발명은, 양호한반송성을갖는금속판을제공하는것을목적으로한다. 금속판의폭 방향의중앙부분에있어서의급준도의최댓값은, 0.4% 이하로되어있다. 또한, 중앙부분에있어서의급준도의최댓값은, 일단부측부분에있어서의급준도의최댓값이하로되어있고, 또한, 타단부측부분에있어서의급준도의최댓값이하로되어있다. 또한, 일단부측부분에있어서의급준도의최댓값과, 타단부측부분에있어서의급준도의최댓값의차는, 0.4% 이하로되어있다.
摘要翻译： 本发明的目的是提供一种具有良好可运输性的金属板。 金属板的宽度方向中央部的陡度的最大值为0.4％以下。 中心部分的陡度的最大值等于或小于一端部分侧的陡度的最大值，并且不大于另一端部分的陡度的最大值。 一端侧部分的陡度的最大值与另一端部侧的陡度的最大值之差为0.4％以下。
-
4.发明授权증착용 마스크로 사용되는 합금 금속박, 증착용 마스크 및 이들의 제조방법과 이를 이용한 유기 발광 소자 제조방법 有权用作蒸镀掩模的合金金属箔，蒸镀掩模，其制造方法以及使用其的有机发光元件的制造方法
公开(公告)号：KR101786391B1
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：KR1020160129265
申请日：2016-10-06
申请人： 주식회사 포스코
摘要： 본발명은금속박에복수개의미세한관통홀을형성한증착용마스크, 이에사용되는금속박및 그제조방법, 그리고, 상기증착용마스크를사용하여유기 EL 소자를제조하는방법에관한것으로서, Ni: 34~46중량%와잔부 Fe 및불가피불순물을포함하는증착용마스크로사용되는 Fe-Ni 합금금속박으로서, 상기금속박은적어도일면에패턴형성영역과무지영역을포함하되, 상기패턴형성영역은상기무지영역에비하여두께가얇고, 표면조도가작으며, 상기무지영역은상기금속박의가장자리에위치하여패턴형성영역을포위하는것인증착용마스크로사용되는 Fe-Ni 합금금속박을제공한다.
摘要翻译： 本发明涉及一种使用多个细通孔，用于形成蒸汽戴面具，因此使用金属箔及其制造的方法，并且，捐赠给戴面具的金属箔制造的有机EL装置以下，Ni：34〜46 Fe-Ni合金金属箔被用作包括Fe和不可避免的杂质的蒸发掩模，其中金属箔在其至少一个表面上包括图案形成区域和可忽略区域， Fe-Ni合金金属箔被用作厚度薄并且施加有表面粗糙度的认证防磨掩模，并且可忽略区域位于金属箔的边缘处以包围图案形成区域。
-
公开(公告)号：KR101794738B1
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：KR1020157020877
申请日：2014-11-19
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/311 , G11B5/31 , H01L21/02
摘要： 본발명은, 피에칭막의치수를패터닝된치수보다축소시키는플라즈마처리방법에있어서, 치수의축소화에수반되는피에칭막의변형이나도괴를일으키지않고치수를축소시킬수 있는플라즈마처리방법을제공한다. 본발명은, 레지스트와상기레지스트의하방에배치된반사방지막과상기반사방지막의하방에배치된마스크용막을이용하여플라즈마에칭에의해탄탈막을트리밍하는플라즈마처리방법에있어서, 상기레지스트를마스크로하여플라즈마에칭에의해상기반사방지막과상기마스크용막을트리밍하고, 상기트리밍된반사방지막과상기트리밍된마스크용막을플라즈마에의해제거하며, 상기트리밍된레지스트와상기트리밍된반사방지막을플라즈마에의해제거한후의마스크용막을마스크로하여플라즈마에칭에의해상기탄탈막을트리밍하는것을특징으로한다.
摘要翻译： 本发明中，在还原比图案化膜蚀刻尺寸维度的血液等离子体处理方法，提供了在sikilsu减小的尺寸等离子处理，而不会引起变形或折叠伴随尺寸的减小的蚀刻的膜的方法。 在本发明中，抗蚀剂，并使用该抗蚀剂为布置在抗反射涂层膜的底部的掩模和反射下方配置有修剪钽膜的膜通过等离子蚀刻，等离子通过在等离子体处理方法的抗蚀剂作为掩模。 由防反射膜和掩模等离子体修整和，去除之后通过蚀刻对掩模和所述修剪的防反射膜和用于它所述修剪掩模的薄膜通过等离子体去除，并防止所述装饰和所述修剪抗蚀剂反射膜为膜 该膜通过等离子体蚀刻的掩模，其特征在于修剪钽膜。
-
公开(公告)号：KR101781517B1
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：KR1020100095176
申请日：2010-09-30
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
IPC分类号： G03F7/004 , H01L21/027 , G02F1/1335
CPC分类号： B81C1/00031 , B81C2201/0149 , C08F293/005 , C08F2438/03 , C23F1/02 , G03F7/165
摘要： 본발명의한 실시예에따른패턴형성방법은케텐계열랜덤공중합체(ketene based random copolymer)와블록공중합체를이용한다.
摘要翻译： 根据本发明实施方案的图案形成方法使用乙烯酮基无规共聚物和嵌段共聚物。
-
公开(公告)号：KR1020160107527A
公开(公告)日：2016-09-19
申请号：KR1020150030383
申请日：2015-03-04
申请人： 한국전자통신연구원
CPC分类号： C23F1/44 , A61B5/04001 , A61B2562/0215 , A61B2562/0217 , A61B2562/125 , B82Y5/00 , B82Y40/00 , C23F1/02 , C23F1/14 , C23F1/30 , C25D3/46 , C25D3/48 , C25D5/10 , C25D5/48 , C25D7/00 , A61B2562/0209 , A61N1/04
摘要： 본발명의실시예에따른신경전극의표면개질방법은신경전극어레이를형성하는단계; 상기신경전극어레이의표면에식각용액에대한용해도가서로다른제1 금속나노입자와제2 금속나노입자를동시에전기전착하는단계; 및상기제2 금속나노입자를상기식각용액을이용하여선택적으로식각하여상기신경전극어레이표면에상기제1 금속나노입자로구성된다공성구조를형성하는단계를포함할수 있다.
摘要翻译： 根据本发明的实施例，神经电极的表面改性方法包括：形成神经电极阵列的步骤; 在神经电极阵列的表面上同时电沉积第一金属纳米颗粒和第二金属纳米颗粒的步骤，其中第一金属纳米颗粒和第二金属纳米颗粒相对于蚀刻溶液具有不同的溶解度; 以及通过蚀刻溶液选择性地蚀刻第二金属纳米颗粒以在神经电极阵列的表面上形成由第一金属纳米颗粒制成的多孔结构的步骤。 因此，该方法降低了阻抗以降低热噪声。
-
公开(公告)号：KR1020160077012A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：KR1020157020877
申请日：2014-11-19
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/311 , G11B5/31 , H01L21/02
CPC分类号： C23F1/02 , C23F1/12 , C23F4/00 , H01L43/12 , H01L21/3065 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , H01L21/02315 , H01L21/31144 , H01L21/32136
摘要： 본발명은, 피에칭막의치수를패터닝된치수보다축소시키는플라즈마처리방법에있어서, 치수의축소화에수반되는피에칭막의변형이나도괴를일으키지않고치수를축소시킬수 있는플라즈마처리방법을제공한다. 본발명은, 레지스트와상기레지스트의하방에배치된반사방지막과상기반사방지막의하방에배치된마스크용막을이용하여플라즈마에칭에의해탄탈막을트리밍하는플라즈마처리방법에있어서, 상기레지스트를마스크로하여플라즈마에칭에의해상기반사방지막과상기마스크용막을트리밍하고, 상기트리밍된반사방지막과상기트리밍된마스크용막을플라즈마에의해제거하며, 상기트리밍된레지스트와상기트리밍된반사방지막을플라즈마에의해제거한후의마스크용막을마스크로하여플라즈마에칭에의해상기탄탈막을트리밍하는것을특징으로한다.
摘要翻译： 提供了一种等离子体处理方法，用于从图案化尺寸减小要蚀刻的膜的尺寸，并且能够减小尺寸，而不会导致待蚀刻的膜的变形或塌陷。 使用抗蚀剂的等离子体蚀刻来修整钽膜的等离子体处理方法，设置在抗蚀剂下方的防反射膜和设置在抗反射膜下的掩模膜的步骤包括以下步骤：通过等离子体蚀刻对抗反射膜和掩模膜进行修整 抗蚀剂作为掩模; 通过等离子体去除经过修整的抗蚀剂和抗反射膜; 作为掩模，通过用抗蚀剂和经过修整的抗反射膜之后获得的掩模膜通过等离子体蚀刻来修整钽膜作为掩模。
-
公开(公告)号：KR1020160075523A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：KR1020167010358
申请日：2014-10-14
申请人： 아토테크더치랜드게엠베하
IPC分类号： C23F1/34 , C23F1/18 , C23F1/44 , C23G1/10 , C23G1/20 , C23C18/18 , C23C18/52 , C23C18/54 , C25D5/34 , H05K3/26 , H05K3/38
CPC分类号： C23C18/1844 , C23C18/31 , C23C18/52 , C23C18/54 , C23F1/02 , C23F1/18 , C23F1/34 , C23F1/44 , C23F17/00 , C23G1/103 , C23G1/20 , C25D5/34 , H01L21/32134 , H05K3/26 , H05K3/383 , H05K2203/0793
摘要： 본발명은다른금속들, 특히주석에영향을미치지않으면서구리또는구리합금들의표면을선택적으로처리하는방법에관한것이다. 방법들은금속층들의추후성막을용이하게하고구리, 구리합금들및 상기추후성막된금속층들의표면들의납땜성을향상시키도록구리또는구리합금들의표면들을처리하기에적합하다. 방법들은인쇄회로기판들 (PCB) 및리드프레임들또는집적회로기판들 (IC 기판들) 에적용된다.
-
公开(公告)号：KR1020160072107A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：KR1020167009298
申请日：2014-09-24
申请人： 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤
CPC分类号： C23C14/042 , C21D6/001 , C21D8/00 , C21D2261/00 , C23F1/00 , C23F1/02 , B21B45/004 , C23F1/28 , H01L51/0011
摘要： 관통구멍의위치의변동이억제된증착마스크를제작할수 있는금속판을제공하는것을목적으로한다. 열처리전의샘플에있어서의 2개의측정점간의거리에대한, 열처리전후에서의거리의차의백만분율을, 열복원율로서정의한다. 이경우, 각샘플에있어서의열 복원율의평균값이 -10ppm 이상 +10ppm 이하이고, 또한, 각샘플에있어서의열 복원율의편차가 20ppm 이하이다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
380 条记录 (耗时 0.029 秒)
