패턴 형성 방법, 조성물 키트, 및 레지스트막, 및 이들을 이용한 전자 디바이스의 제조 방법, 및 전자 디바이스
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    发明公开
    패턴 형성 방법, 조성물 키트, 및 레지스트막, 및 이들을 이용한 전자 디바이스의 제조 방법, 및 전자 디바이스 审中-实审
    图案形成方法,所述组合物的试剂盒,和抗蚀剂膜,以及使用它们制造电子器件的方法,和电子装置

    公开(公告)号:KR1020170108173A

    公开(公告)日:2017-09-26

    申请号:KR1020177026053

    申请日:2014-04-11

    摘要: 선폭 50nm 이하의미세한패턴형성에있어서, 감도, 해상력, LWR, 및패턴형상을손상시키지않고, 블롭결함을저감시키며, 특히아웃가스발생의억제가우수한패턴형성방법, 조성물키트, 그를이용한레지스트막, 전자디바이스의제조방법, 및전자디바이스를제공한다. (가) (A) 산의작용에의하여분해하여현상액에대한용해성이변화하는수지와, (C) 불소원자, 불소원자를갖는기, 규소원자를갖는기, 알킬기, 사이클로알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 적어도하나의알킬기로치환된방향환기, 및적어도하나의사이클로알킬기로치환된방향환기로이루어지는군으로부터선택되는 1개이상의기를갖는수지를함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물을이용하여기판상에막을형성하는공정, (나) 상기막 상에, 수지 (T)를함유하는톱코트조성물을이용하여톱코트층을형성하는공정, (다) 상기톱코트층을갖는상기막을활성광선또는방사선을이용하여노광하는공정, 및 (라) 상기노광후, 상기톱코트층을갖는상기막을현상하여패턴을형성하는공정을갖는패턴형성방법.

    摘要翻译: 在精细图案形成为50nm或更小的线宽,灵敏度,分辨率,LWR,并且在不损害图案形状,sikimyeo减少团块的缺陷,特别是,以形成气体生成方法,组合物的试剂盒的一个良好的图案抑制,则使用相同的抗蚀剂膜, 一种制造电子装置的方法,以及一种电子装置。 (A)(A)的芳基,基,基,烷基,环烷基,具有含通过酸变化的动作在分解显影液中的树脂溶解性的硅原子,(C),氟原子,氟原子,芳烷基 kilgi,使用通风的方向,和光化射线的意义上或最后封闭的,其中含有由通风与对辐射敏感的树脂组合物取代的方向的该基团被至少一个烷基取代的具有从所述至少一个环烷基基团中选出的至少一种基团的树脂 在基板上形成的膜的形成通过使用含有在所述膜的树脂(T)的顶涂层组合物中,(C)的顶部涂层的步骤,(b)活化所述膜与所述顶涂层 (d)曝光后,使具有面涂层的膜显影以形成图案。

    혐기 경화성 조성물을 위한 경화 촉진제
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    혐기 경화성 조성물을 위한 경화 촉진제 审中-实审
    厌氧固化组合物的固化促进剂

    公开(公告)号:KR1020170067736A

    公开(公告)日:2017-06-16

    申请号:KR1020177008403

    申请日:2015-09-30

    摘要: 혐기경화성조성물, 예컨대접착제및 실란트를위한경화촉진제가제공되며, 이것은하기구조식 I로표현되는화합물을참조로하여정의된다. 상기식에서, A는 CH또는벤질이고, R은 C알킬이고, R'는 H 또는 C알킬이거나, R과 R'는함께벤젠고리에융합된 4원내지 7원고리를형성할수 있고, R"는임의적이지만, R"가존재하는경우, R"는할로겐, 알킬, 알케닐, 시클로알킬, 히드록시알킬, 히드록시알케닐, 알콕시, 아미노, 알킬렌-에테르또는알케닐렌-에테르, 알킬렌 (메트)아크릴레이트, 카르보닐, 카르복실, 니트로소, 술포네이트, 히드록실또는할로알킬이고, 도시된 EWG는전자끄는기, 예컨대니트로, 니트릴, 카르복실레이트또는트리할로알킬이다.

    摘要翻译: 提供厌氧固化组合物,例如用于粘合剂和密封剂的固化促进剂,其参照由下面结构式I表示的化合物进行限定。 <结构I>,并且其中,A为CH,或苄基,R是“为H或C烷基,R和R”可以在稠合于与苯环的4至7元环可形成C 1-4烷基,R ,R如果为“是任意的,但是,R”目前,R“是卤素,烷基,烯基,环烷基,羟烷基,羟基链烯基,烷氧基,氨基,亚烷基醚或亚烯基醚, 亚烷基(甲基)丙烯酸酯,羰基,羧基,亚硝基,磺酸基,羟基,被羟基,或到,示出的是EWG的吸E组,例如,硝基,腈,羧酸酯,或烷基,三卤代烷基 。

    메틸 메타크릴레이트의 정제 방법
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    메틸 메타크릴레이트의 정제 방법 审中-实审
    纯化甲基丙烯酸甲酯的方法

    公开(公告)号:KR1020170063981A

    公开(公告)日:2017-06-08

    申请号:KR1020177014505

    申请日:2009-12-11

    IPC分类号: C07C67/60 C07C67/31 C08F20/28

    摘要: 메틸메타크릴레이트(MMA)를정제하는방법이기술된다. 상기방법은불순물을가진액체 MMA를포름알데하이드또는하기정의된바와같은화학식 I을갖는적합한메틸렌또는에틸렌공급원의존재하에서설폰산수지와접촉시키는단계를포함한다:여기서 R및 R는 C-C탄화수소또는 H에서독립적으로선택되고; X는 O 또는 S이고; n은 1 내지 100의정수이고; 및 m은 1 또는 2이다. 화학식 I의화합물은적합한포름알데하이드공급원일수 있다.

    摘要翻译: 描述了一种纯化甲基丙烯酸甲酯(MMA)的方法。 该方法包括在具有式(I)作为甲醛或限定合适的亚甲基或亚乙基源的存在下,磺酸树脂和液体MMA杂质接触的步骤:其中R和R是在CC烃或H 独立选择; X是O或S; n是从1到100的数字; 而m是1或2。 式I化合物可以是合适的甲醛源。

    표면 개질 재료, 레지스트 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 방법
    9.
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    표면 개질 재료, 레지스트 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 방법 审中-实审
    表面改性材料电阻形成方法和图案形成方法

    公开(公告)号:KR1020160130198A

    公开(公告)日:2016-11-10

    申请号:KR1020160143560

    申请日:2016-10-31

    CPC分类号: C08F20/28 C08L63/00 G03F7/11

    摘要: 지지체와레지스트막사이에형성되는표면개질층을형성하기위한, 질량평균분자량이 1000 ∼ 50000 인에폭시수지를함유하는표면개질재료 ; 지지체상에, 당해표면개질재료를사용하여표면개질층을형성하는공정과, 상기표면개질층이형성된상기지지체상에, 레지스트조성물을사용하여레지스트막을형성하는공정과, 상기레지스트막을노광하는공정과, 상기레지스트막을알칼리현상하여레지스트패턴을형성하는공정을포함하는레지스트패턴형성방법 ; 및상기레지스트패턴형성방법에의해레지스트패턴이형성된지지체에대하여에칭처리를실시하는공정을포함하는패턴형성방법.

    摘要翻译: 一种用于形成表面改性层的表面改性材料,其设置在基材和抗蚀剂膜之间,所述表面改性材料包括重均分子量为1,000至50,000的环氧树脂; 一种形成抗蚀剂图案的方法,包括:使用表面改性材料在基板上形成表面改性层,在其上形成表面改性层的基板上形成抗蚀剂膜,使用抗蚀剂组合物,进行曝光 抗蚀剂膜和碱显影抗蚀剂膜以形成抗蚀剂图案; 以及形成图案的方法,包括:通过形成抗蚀剂图案的方法蚀刻已经形成抗蚀剂图案的基板。