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公开(公告)号:KR101660199B1
公开(公告)日:2016-09-26
申请号:KR1020157014417
申请日:2011-10-04
申请人: 아르끄마 프랑스
CPC分类号: C11D7/5009 , C11D3/2003 , C11D3/2068 , C11D3/2093 , C11D3/30 , C11D3/3445 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3227 , C11D7/34 , C11D11/0041
摘要: 본발명은플라스틱물질, 특히폴리우레탄의가공에사용되는장치상에서발견되는중합체잔사의세정에적합한디메틸술폭시드조성물에관한것이다.
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公开(公告)号:KR1020140045120A
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:KR1020120111272
申请日:2012-10-08
申请人: 동우 화인켐 주식회사
发明人: 명중재
CPC分类号: G03F7/425 , C07C217/08 , C11D3/046 , C11D7/08 , C11D7/3227 , G03F7/422 , G03F7/423
摘要: The present invention relates to a photoresist resin releasing agent composition and, more specifically, to a photoresist resin releasing agent composition which improves stability; resist pattern and dry and wet etching residue removal power; and corrosion resistance of metal wiring including aluminum and/or copper by including a compound represented by formula 1, salt thereof, or anhydride thereof.
摘要翻译: 本发明涉及光致抗蚀剂树脂脱模剂组合物,更具体地说,涉及提高稳定性的光致抗蚀剂树脂脱模剂组合物, 抗蚀图案和干湿蚀刻残渣去除力; 通过包括由式1表示的化合物,其盐或其酸酐组成的包括铝和/或铜的金属配线的耐腐蚀性。
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公开(公告)号:KR101017738B1
公开(公告)日:2011-02-28
申请号:KR1020030013708
申请日:2003-03-05
申请人: 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤
IPC分类号: G03F7/42
CPC分类号: C07C217/08 , C11D7/3227 , C11D11/0047 , G03F7/425 , G03F7/426
摘要: 본 발명의 포토레지스트 박리제 조성물은 다음의 식(1)로 표시되는 적어도 하나의 옥시메틸아민 화합물을 함유한다.
여기서 R
1 내지 R
3 는 발명의 상세한 설명에서 정의한 바와 같다. 식(1)의 옥시메틸아민 화합물 중에서, 다음의 식(7)로 표시되는 화합물은 신규 화합물이다.
여기서 R
2 내지 R
5 및 n은 발명의 상세한 설명에서 정의한 바와 같다.-
公开(公告)号:KR1020100108365A
公开(公告)日:2010-10-06
申请号:KR1020107014620
申请日:2008-12-05
申请人: 폰타나 테크놀로지
发明人: 벡,마크,조나단
IPC分类号: H01L21/302
CPC分类号: H01L21/02057 , C07C211/63 , C08F20/06 , C08F26/00 , C11D3/3723 , C11D3/3765 , C11D7/06 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3227 , C11D11/0047
摘要: 본 발명은 전자 기판, 예를 들어 반도체 웨이퍼의 표면 및/또는 경사면으로부터 서브마이크론 입자를 제거하기 위한 세정 용액 및 이를 위한 방법에 관한 것이다. 본 세정 용액은 폴리카르복실레이트 폴리머 또는 에톡실화된 폴리아민을 포함한다. 본 방법은 기판의 표면을, 폴리카르복실레이트 폴리머 또는 에톡실화된 폴리아민을 포함하는 세정 용액과 접촉시키는 단계를 포함한다. 본 방법에서 추가적인 임의의 단계는 음향 에너지를 세정 용액에 가하는 단계 및/또는 음향 에너지가 가하여지거나 가하여지지 않는 린싱 용액으로 표면을 린싱하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号:KR1020020042490A
公开(公告)日:2002-06-05
申请号:KR1020010074906
申请日:2001-11-29
申请人: 토소가부시키가이샤
IPC分类号: G03F7/42
CPC分类号: C11D7/3227 , C11D1/62 , C11D3/3947 , C11D7/02 , C11D7/263 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D11/0047 , G03F7/425 , H01L21/02052 , H01L21/02071
摘要: PURPOSE: A resist stripper is provided, which does not contain unstable and highly dangerous hydroxylamine and is used to strip the remaining resist, especially titanium oxide, after developing a photoresist and forming a circuit. CONSTITUTION: The resist stripper comprises a peroxide; a quaternary ammonium salt; and optionally at least one selected from the group consisting of an amine, a water-soluble organic solvent and water. Preferably the quaternary ammonium salt is at least one selected from the group consisting of a quaternary ammonium hydroxide, a quaternary ammonium carbonate, a quaternary ammonium carboxylate and a quaternary ammonium peroxycarboxylate. The carboxylic acid of the quaternary ammonium carboxylate is an aromatic carboxylic acid. Preferably the organic solvent is at least one selected from the group consisting of a sulfonic acid, a sulfone, an amino, a lactam, an imidazolidine, a glycol and a glycol ether.
摘要翻译: 目的:提供抗蚀剂剥离器,其不含不稳定和高度危险的羟胺,并且用于在显影光致抗蚀剂并形成电路之后剥离剩余的抗蚀剂,特别是氧化钛。 构成:抗蚀剂剥离剂包含过氧化物; 季铵盐; 和任选的选自胺,水溶性有机溶剂和水的至少一种。 优选地,季铵盐是选自季铵氢氧化物,季铵碳酸盐,季铵羧酸盐和季铵过氧羧酸盐中的至少一种。 羧酸季铵盐的羧酸是芳族羧酸。 优选地,有机溶剂是选自磺酸,砜,氨基,内酰胺,咪唑烷,二醇和二醇醚中的至少一种。
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公开(公告)号:KR1020010006024A
公开(公告)日:2001-01-15
申请号:KR1019997009102
申请日:1998-03-17
申请人: 이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드
IPC分类号: C11D7/26
CPC分类号: B24B37/042 , B08B3/08 , C09D9/00 , C11D3/2058 , C11D3/2065 , C11D3/2086 , C11D3/30 , C11D3/3427 , C11D3/3472 , C11D3/43 , C11D7/261 , C11D7/263 , C11D7/265 , C11D7/267 , C11D7/32 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3227 , C11D7/3245 , C11D7/3254 , C11D7/3263 , C11D7/3272 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D7/5013 , C11D11/0047 , C11D11/0052 , C23G1/103 , C23G1/205 , G03F7/42 , G03F7/425 , H01L21/02063 , H01L21/02071 , H01L21/31133 , H01L21/76814 , H01L21/76885
摘要: An ethylenediaminetetraacetic acid or a mono- di- tri- or tetraammonium salt 5 thereof residue cleaning composition removes photoresist and other residue from integrated circuit substrates. The balance of the composition is desirably made up of water, preferably high purity deionized water, or another suitable polar solvent. A process for removing photoresist or other residue from a substrate, such as an integrated circuit semiconductor wafer including titanium metallurgy, comprises contacting the substrate with the composition for a time and at a temperature sufficient to remove the photoresist or other residue from the substrate. Use of the ethylenediaminetetraacetic acid or a mono- di- tri- or tetraammonium salt thereof in the composition and process provides superior residue removal without attacking titanium or other metallurgy, oxide or nitride layers on the substrate.
摘要翻译: 乙二胺四乙酸或其残基清洁组合物的一 - 二 - 或四 - 铵盐5从集成电路基底中除去光致抗蚀剂和其它残留物。 组合物的余量理想地由水,优选高纯度去离子水或其它合适的极性溶剂组成。 用于从衬底(例如包括钛冶金的集成电路半导体晶片)去除光致抗蚀剂或其它残留物的方法包括使衬底与组合物接触足以从衬底去除光致抗蚀剂或其它残余物的时间和温度。 在组合物和方法中使用乙二胺四乙酸或其一 - 二 - 或四铵盐提供优异的残留物去除而不侵蚀基材上的钛或其它冶金,氧化物或氮化物层。
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公开(公告)号:KR101162797B1
公开(公告)日:2012-07-05
申请号:KR1020077002719
申请日:2005-06-23
申请人: 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크.
发明人: 케인,신,엠.
CPC分类号: G03F7/426 , C11D3/2058 , C11D3/2068 , C11D3/2075 , C11D3/30 , C11D3/43 , C11D7/263 , C11D7/265 , C11D7/3218 , C11D7/3227 , C11D7/5009 , C11D7/5013 , C11D11/0047 , G03F7/425 , H05K3/26
摘要: 1종 이상의 유기 스트리핑 용매, 1종 이상의 친핵성 아민, 수용액 중의 pK 값이 2.0 이상이고 등가 중량이 140 미만인, 스트리핑 조성물의 수성 pH가 약 9.6 내지 약 10.9이도록 친핵성 아민의 약 3 중량% 내지 약 75 중량%를 중화시키기에 충분한 양의 1종 이상의 질소 미함유 약산, 디에틸렌 글리콜 및 디에틸렌 글리콜아민으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속-제거 화합물, 및 물을 포함하는, 마이크로일렉트로닉스 기판을 세정하기 위한 스트리핑 및 세정 조성물 및 상기 조성물로 마이크로일렉트로닉스 기판을 세정하는 방법.
유기 스트리핑 용매, 친핵성 아민, 질소 미함유 약산, 금속-제거 화합물, 마이크로일렉트로닉스 기판, 스트리핑 조성물, 세정 조성물-
公开(公告)号:KR1020100106999A
公开(公告)日:2010-10-04
申请号:KR1020107014619
申请日:2008-12-05
申请人: 폰타나 테크놀로지
发明人: 벡,마크,조나단
CPC分类号: H01L21/02057 , C07C211/63 , C08F20/06 , C08F26/00 , C11D3/3723 , C11D3/3765 , C11D7/06 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3227 , C11D11/0047 , C11D3/37
摘要: A cleaning solution and method for removing submicron particles from the surface and/or the bevel of an electronic substrate such as a semiconductor wafer. The cleaning solution comprises a polycarboxylate polymer or an ethoxylated polyamine. The method comprises the step of contacting a surface of the substrate with a cleaning solution comprised of a polycarboxylate polymer or an ethoxylated polyamine. Additional optional steps in the method include applying acoustic energy to the cleaning solution and/or rinsing the surface with a rinsing solution with or without the application of acoustic energy to the rinsing solution.
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公开(公告)号:KR100859900B1
公开(公告)日:2008-09-23
申请号:KR1020000055425
申请日:2000-09-21
申请人: 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤
IPC分类号: G03F7/32
CPC分类号: H01L21/02071 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/263 , C11D7/268 , C11D7/3209 , C11D7/3227 , C11D11/0047 , G03F7/423 , G03F7/425 , H01L21/31133
摘要: 본 발명의 레지스트 박리조성물은 0.001 내지 0.5중량%의 플루오르 화합물 및 50 내지 99중량%의 에테르용매와 나머지로서 실질적으로 물을 포함한다. 상기한 특정 함량 범위의 에테르용매에 의하여 상기 레지스트 박리조성물은 린스 단계에서 물로 희석될 때 부식성이 감소하며 배선재료 및 기판재료의 부식을 일으킴 없이 레지스트 잔류물을 완전제거할 수 있음을 보여준다.
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公开(公告)号:KR1020070020173A
公开(公告)日:2007-02-20
申请号:KR1020067004203
申请日:2004-04-20
申请人: 아토테크더치랜드게엠베하
发明人: 클로에케너,제임스,알. , 리스트,브라이언,에스. , 레임볼드,에드워드,제이.
CPC分类号: C11D7/3218 , C11D7/265 , C11D7/3227 , C11D11/0029 , C23C22/68 , C23C22/83 , Y10T428/31678
摘要: A composition is described which is useful in improving the adhesion of siccative organic coatings to metal surfaces. The composition generally comprises a liquid carrier, a borate composition which is the reaction product of at least one amino alcohol with boric acid or an analogue of boric acid, and, at least one organic carboxylic acid. ® KIPO & WIPO 2007
摘要翻译: 描述了一种组合物,其可用于改善随机有机涂层对金属表面的粘附性。 组合物通常包含液体载体,硼酸盐组合物,其为至少一种氨基醇与硼酸或硼酸类似物的反应产物,和至少一种有机羧酸。 ®KIPO&WIPO 2007
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