公开(公告)号：KR1020130029563A

公开(公告)日：2013-03-25

申请号：KR1020110092898

申请日：2011-09-15

申请人： 삼성전기주식회사

发明人： 정원규 ,  김종운 ,  박흥우

IPC分类号： B81B3/00 ,  G01C19/5621 ,  G01P15/097 ,  G01C19/56

CPC分类号： G01C19/56 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/0048 ,  G01P15/08 ,  G01P15/14 ,  G01P2015/084 ,  G01P2015/0871 ,  H03B5/30 ,  H03H9/2405

摘要： PURPOSE: A MEMS(Micro Electro Mechanical System) element is provided to prevent interference with peripheral sensors and influence on disturbance or noise by using a predetermined section of a membrane positioned above a space between a post and as topper. CONSTITUTION: A MEMS element comprises a plate-shaped membrane(110), a post(130), a stopper(140), and a cap(150). The post is arranged under the edge of the membrane. The stopper is arranged under the membrane. A space is formed between the post and the stopper. The cap is arranged under the post to cover the post.

摘要翻译： 目的：提供MEMS（微机电系统）元件，以防止外围传感器的干扰，并通过使用位于柱和顶部之间的空间上方的膜的预定部分来影响扰动或噪声。 构成：MEMS元件包括板状膜（110），柱（130），塞子（140）和盖（150）。 该柱布置在膜的边缘下方。 塞子布置在膜下方。 在柱和止动器之间形成空间。 帽子安置在柱子下面以覆盖柱子。

公开(公告)号：KR101792372B1

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：KR1020157019801

申请日：2014-04-15

申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤

发明人： 스즈키겐고 ,  사카구치이사오 ,  가자마아츠시

IPC分类号： G01L9/00 ,  G01F1/86

CPC分类号： G01L9/0051 ,  G01F1/86 ,  G01L9/0044 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/0055 ,  G01L19/04 ,  G05D7/0635 ,  Y10T137/7837

摘要： 본발명은, 스트레인센서의초기제로점의출력오프셋및 온도변화에수반하는제로점의출력변동을개선한압력센서를얻는것을목적으로한다. 본발명의압력센서는, 상기과제를해결하기위하여, 압력에의해변형되는박막부와지지부를포함하는제1 재료로형성된다이어프램과, 해당다이어프램상에접합되고, 제2 재료에복수의스트레인게이지를형성하고있는스트레인센서를구비하고, 상기스트레인센서가상기다이어프램의중심으로부터떨어진단부위치에접합되어있으며, 또한, 상기다이어프램중심으로부터상기스트레인센서가접합된방향에대하여수직인방향이면서, 또한상기스트레인센서와인접또는소정거리떨어진다이어프램상에단차가형성되어있는것을특징으로한다.

摘要翻译： 本发明是为了获得一个压力传感器零点提高造成为目的应变传感器的点的初始零个偏移和温度变化的输出的输出变动。 根据本发明的压力传感器是为了解决上述问题，并且包括薄膜部分和由压力而变形的载体上的第一材料制成的膜片，被接合到所述振膜，在所述第二材料中的多个应变计 提供，并其上形成的应变传感器，并且其中所述应变传感器被结合到从隔膜的中心的远端位置，并且，同时沿垂直于从振膜中心应变传感器接合方向，并且其中所述应变传感器 并且隔膜上距离挡风玻璃预定距离处形成台阶。

公开(公告)号：KR1020150110776A

公开(公告)日：2015-10-02

申请号：KR1020157023193

申请日：2014-04-01

申请人： 엠케이에스 인스트루먼츠, 인코포레이티드

发明人： 민드린레오니드 ,  바트스테픈에프. ,  구레이

IPC分类号： G01L9/00 ,  G01L27/00

CPC分类号： G01L9/0047 ,  G01L9/0072 ,  G01L27/00 ,  Y10T29/49826

摘要： 자기교정식압력센서시스템은기체또는액체의압력을측정할수 있다. 이시스템은압력센서, 기준센서, 및드리프트보상시스템을포함할수 있다. 압력센서는기체또는액체에노출되는일면및 실링된체임버의벽을형성하는타면을구비하는압력-감지용가요성다이어프램을포함할수 있다. 기준센서는양자모두가동일한실링된체임버내에있거나실링된체임버에노출되는 2 개의면을갖는기준가요성다이어프램을포함할수 있다. 드리프트보상시스템은압력센서로부터의신호에기초하여기체또는액체의압력을나타내는정보를생성할수 있고, 기준센서로부터의신호의변화에기초하여이 신호의드리프트를보상한다. 압력-감지용가요성다이어프램및 기준가요성다이어프램은단일의연속단계로재료의단일층의증착또는성장에의해실질적으로동시에제조될수 있다.

公开(公告)号：KR1020150099827A

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：KR1020157019801

申请日：2014-04-15

申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤

发明人： 스즈키겐고 ,  사카구치이사오 ,  가자마아츠시

IPC分类号： G01L9/00 ,  G01F1/86

CPC分类号： G01L9/0051 ,  G01F1/86 ,  G01L9/0044 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/0055 ,  G01L19/04 ,  G05D7/0635 ,  Y10T137/7837

摘要： 본 발명은, 스트레인 센서의 초기 제로점의 출력 오프셋 및 온도 변화에 수반하는 제로점의 출력 변동을 개선한 압력 센서를 얻는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 압력 센서는, 상기 과제를 해결하기 위하여, 압력에 의해 변형되는 박막부와 지지부를 포함하는 제1 재료로 형성된 다이어프램과, 해당 다이어프램 상에 접합되고, 제2 재료에 복수의 스트레인 게이지를 형성하고 있는 스트레인 센서를 구비하고, 상기 스트레인 센서가 상기 다이어프램의 중심으로부터 떨어진 단부 위치에 접합되어 있으며, 또한, 상기 다이어프램 중심으로부터 상기 스트레인 센서가 접합된 방향에 대하여 수직인 방향이면서, 또한 상기 스트레인 센서와 인접 또는 소정 거리 떨어진 다이어프램 상에 단차가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

摘要翻译： 提供了一种压力传感器，其包括：具有面向流体密封空间的内表面的隔膜，所述隔膜包括作为内表面的一部分并且可以响应于压力施加而变形的隔膜膜，以及隔膜膜支撑件 其是内表面的一部分并且构成隔膜的周边; 应变传感器，其结合到所述内表面，以部分地位于所述周边上并且在其上具有多个应变计; 以及形成在所述内表面上的凹部，当限定从所述内表面的中心到所述应变传感器的接合位置的x方向和在所述内表面上与所述x方向垂直的y方向时，所述凹部延伸 在y方向上的一定长度，凹陷与y方向上的应变传感器的边缘相邻或距离一定距离。

公开(公告)号：KR101273700B1

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：KR1020110092898

申请日：2011-09-15

申请人： 삼성전기주식회사

发明人： 정원규 ,  김종운 ,  박흥우

IPC分类号： B81B3/00 ,  G01C19/5621 ,  G01P15/097 ,  G01C19/56

CPC分类号： G01C19/56 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/0048 ,  G01P15/08 ,  G01P15/14 ,  G01P2015/084 ,  G01P2015/0871 ,  H03B5/30 ,  H03H9/2405

摘要： 본 발명은 MEMS 소자에 관한 것으로, 본 실시예에 따른 MEMS 소자는 판상의 멤브레인(110), 멤브레인(110)의 테두리(115) 하측에 구비된 포스트(130), 멤브레인(110)의 하측에 구비되고 포스트(130)와 공간(143; 空間)이 형성되도록 포스트(130)보다 내측에 구비된 스토퍼(140) 및 포스트(130)를 덮도록 포스트(130)의 하측에 구비된 캡(150)을 포함하는 구성이며, 상기 공간(143)의 상측에 위치한 멤브레인(110)의 소정영역(145)을 이용하여 외부 환경에서 발생하는 디스터번스(Disturbance) 또는 노이즈(Noise)의 영향이나 주변의 센서로부터의 간섭을 차단할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020140110779A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：KR1020140027028

申请日：2014-03-07

申请人： 센사타 테크놀로지스, 인크

发明人： 호프만비코 ,  반데르돈크게오르게 ,  반노르덴마르텐 ,  디스테파노션

IPC分类号： G01L9/00 ,  G01L9/12 ,  G01L19/00 ,  G01L7/08

CPC分类号： G01L1/146 ,  G01L1/2243 ,  G01L7/08 ,  G01L7/082 ,  G01L9/0016 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0044 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/0054 ,  G01L9/0072 ,  G01L9/0073 ,  G01L9/0075

摘要： In an embodiment, a device includes a first substrate. The first substrate may have a first side for accommodating a first diaphragm. The first substrate may also have a second side. The second side may include a polygonal depression part that is sized to accommodate a second diaphragm associated with a second substrate. The first substrate and first diaphragm may be included in a first assembly, and the second substrate and second diaphragm may be included in a second assembly. The first assembly and the second assembly may be included in a stack where at least a portion of the second diaphragm is positioned to be inserted into the polygonal depression part in the stack.

摘要翻译： 在一个实施例中，装置包括第一基板。 第一基板可以具有用于容纳第一隔膜的第一侧。 第一衬底也可以具有第二面。 第二侧可以包括多边形凹陷部分，其尺寸适于容纳与第二基底相关联的第二隔膜。 第一基板和第一隔膜可以包括在第一组件中，并且第二基板和第二隔膜可以包括在第二组件中。 第一组件和第二组件可以包括在堆叠中，其中第二隔膜的至少一部分被定位成插入堆叠中的多边形凹陷部分中。

公开(公告)号：KR1020130062587A

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：KR1020110128939

申请日：2011-12-05

申请人： 한국과학기술연구원

发明人： 김진석 ,  서준교 ,  강성철 ,  이정훈

IPC分类号： G01L9/00

CPC分类号： H01L29/84 ,  A61B5/031 ,  A61B2562/0247 ,  A61B2562/046 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00206 ,  B82Y15/00 ,  B82Y99/00 ,  G01L1/16 ,  G01L1/165 ,  G01L7/08 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/0098 ,  H01L29/66007 ,  Y10S977/90 ,  Y10S977/936 ,  Y10S977/956

摘要： PURPOSE: A pressure sensor with a nanostructure and a manufacturing method thereof are provided to improve a response speed and the sensitivity of a sensor due to the nanostructure adhered to the surface of the sensor. CONSTITUTION: A pressure sensor(100) with a nanostructure comprises a substrate(110), a source electrode(120), a drain electrode(130), and flexible sensor layer(140). The source and the drain electrodes are arranged separately on the substrate on a predetermined distance. The flexible sensor layer is arranged on the source and drain electrodes. The nanostructure adhered to a surface of the flexible sensor layer includes a zigzagged portions of a nano size.

摘要翻译： 目的：提供具有纳米结构的压力传感器及其制造方法，以提高由于纳米结构粘附到传感器表面而导致的传感器的响应速度和灵敏度。 构成：具有纳米结构的压力传感器（100）包括基底（110），源电极（120），漏电极（130）和柔性传感器层（140）。 源电极和漏电极以预定距离分开布置在衬底上。 柔性传感器层布置在源极和漏极上。 附着在柔性传感器层的表面上的纳米结构包括纳米尺寸的锯齿形部分。

公开(公告)号：KR101222746B1

公开(公告)日：2013-01-15

申请号：KR1020110032211

申请日：2011-04-07

申请人： 아즈빌주식회사

发明人： 도쿠다도모히사 ,  도조히로후미 ,  기다노조미

IPC分类号： G01L9/04 ,  G01L7/08 ,  G01L13/06

CPC分类号： G01L9/0054 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/065 ,  G01L15/00 ,  G01L19/02

摘要： 본 발명은 소형의 고성능 압력 센서를 제공하는 것을 과제로 한다.
센서 칩(10)과, 센서 칩(10)의 중앙부에 설치된 차압용 다이어프램(4)과, 차압용 다이어프램(4)에 설치된 차압용 게이지(5)와, 차압용 다이어프램(4)의 외측 둘레부에 설치된 정압용 다이어프램(17)과, 정압용 다이어프램(17)의 단부에 형성된 제1 정압용 게이지(16d)와, 정압용 다이어프램(17)의 중앙부에 형성된 제2 정압용 게이지(15b)를 포함한 압력 센서이다.

公开(公告)号：KR101007432B1

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：KR1020087011818

申请日：2006-08-30

申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤

发明人： 이즈오신이치 ,  다구치모토히사 ,  야마시타아키라 ,  요시다유키히사

IPC分类号： H01L29/84 ,  G01L9/00

CPC分类号： G01L9/0047 ,  G01L9/0048 ,  G01L9/0054 ,  G01L19/04

摘要： 반도체 압력 센서는, 실리콘 지지 기판(1)과, 실리콘 지지 기판(1)상에 형성된 절연층(2)과, 절연층(2)상에 형성된 실리콘 박판(3)을 구비하고 있다. 실리콘 지지 기판(1)에는 그 두께 방향으로 연장하는 관통공(1a)이 형성되어 있다. 관통공(1a)의 연장선상에 위치하는 실리콘 박판(3)은, 외부로부터의 압력에 의해 변형하는 다이어프램(23)으로서 기능한다. 절연층(2)은, 다이어프램(23)의 아랫면의 전체에 걸쳐 잔존하고 있다. 절연층(2)의 두께는, 다이어프램(23)의 주연부로부터 중앙부를 향하여 작아지고 있다. 이에 따르면, 오프셋 전압 및 온도 변화에 기인한 출력 전압의 변동량의 쌍방을 저감할 수 있는 반도체 압력 센서 및 그 제조 방법을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080068079A

公开(公告)日：2008-07-22

申请号：KR1020087011818

申请日：2006-08-30

申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤

发明人： 이즈오신이치 ,  다구치모토히사 ,  야마시타아키라 ,  요시다유키히사

IPC分类号： H01L29/84 ,  G01L9/00

CPC分类号： G01L9/0047 ,  G01L9/0048 ,  G01L9/0054 ,  G01L19/04

摘要： A semiconductor pressure sensor comprises a silicon support substrate (1), an insulating layer (2) formed on the silicon support substrate (1), and a silicon thin plate (3) formed on the insulating layer (2). A through-hole (1a) extending in the thickness direction of the silicon support substrate (1) is formed in the silicon support substrate (1). The silicon thin plate (3) located on an extension of the through-hole (1a) functions as a diaphragm (23) that is deformed by an external pressure. The insulating layer (2) remains over the entire lower surface of the diaphragm (23). The thickness of the insulating layer (2) decreases from the peripheral portion toward the central portion of the diaphragm (23). This provides the semiconductor pressure sensor capable of reducing both the offset voltage and the variation of output voltage caused by the variation of temperature and its fabrication method.

摘要翻译： 半导体压力传感器包括硅支撑基板（1），形成在硅支撑基板（1）上的绝缘层（2）和形成在绝缘层（2）上的硅薄板（3）。 在硅支撑基板（1）上形成在硅支撑基板（1）的厚度方向上延伸的通孔（1a）。 位于通孔（1a）的延伸部上的硅薄板（3）用作通过外部压力变形的隔膜（23）。 绝缘层（2）保持在隔膜（23）的整个下表面上。 绝缘层（2）的厚度从隔膜（23）的周边部分向中心部分减小。 这提供了半导体压力传感器能够降低偏移电压和由温度变化引起的输出电压的变化及其制造方法。