公开(公告)号：KR101169536B1

公开(公告)日：2012-07-31

申请号：KR1020077008652

申请日：2005-08-16

Applicant: 나노시스, 인크.

Inventor： 스텀보,데이비드 ,  엠페도클레스,스티브 ,  레온,프랑시스코 ,  파스,제이.왈라스

IPC: H01B3/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G11C2213/16 ,  G11C2213/81 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/0537 ,  Y10S977/743 ,  Y10S977/745 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/936

Abstract: 나노와이어와 같은 나노구조를 이용한 의사 유전체가 개시되었다. 실시예들에서, 나노로드, 나노튜브 또는 나노리본 등과 같은 다른 나노구조를 이용한 의사 유전체가 개시되었다. 의사 유전체는 유전체 재료 내에 매립된 복수의 나노와이어 (또는 다른 나노구조)를 갖는 유전체 재료를 포함한다. 매우 높은 유전 상수는 나노구조를 이용한 의사 유전체에 의해 달성될 수 있다. 유전 상수는 나노구조의 길이, 직경, 캐리어 밀도, 형상, 애스펙트비, 배향 및 밀도를 변화시킴으로써 조정될 수 있다. 부가적으로, 나노와이어와 같은 나노구조를 이용한 제어 가능한 의사 유전체가 개시되었으며, 여기에서, 유전 상수는, 전계를, 제어 가능한 의사 유전체에 인가함으로써 동적으로 조정될 수 있다. 전자 소자의 광범위는 성능을 향상시키기 위해 나노구조를 갖는 의사 유전체를 사용할 수 있다. 소자의 일례로서, 커패시터 박막 트랜지스터, 다른 타입의 박막 전자 소자, 마이크로스트립 소자, 표면 탄성파(SAW) 필터, 다른 타입의 필터, 및 레이더 감쇄 재료(RAM) 등이 있다.
의사 유전체, 나노구조, 나노와이어

公开(公告)号：KR1020090003840A

公开(公告)日：2009-01-12

申请号：KR1020070067549

申请日：2007-07-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이은경 ,  한재용 ,  최병룡 ,  조경상

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L33/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B2207/101 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02642 ,  H01L33/0012 ,  H01L33/24 ,  H01L33/507 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/936

Abstract: A method for manufacturing nano wire of the core/shell shape is provided to have a simple manufacturing process and to control density and position. A method for manufacturing nano wire of the core/shell shape comprises steps of: forming an insulating layer(2) patterned on a substrate(1); forming perpendicularly a plurality of nanowires(3) of a cores(core) part on patterning on the substrate from which the insulating layer is removed; forming a first shell part nanowire(4) on a surface of the nanowire of a core part; and removing a substrate.

Abstract translation: 制造芯/壳形状的纳米线的方法具有简单的制造工艺和控制密度和位置。 制造芯/壳形状的纳米线的方法包括以下步骤：在衬底（1）上形成图案化的绝缘层（2）; 在图案化的基板上垂直地形成芯（芯）部分的多个纳米线（3），从绝缘层除去绝缘层; 在芯部的纳米线的表面上形成第一壳部分纳米线（4）; 并除去基板。

公开(公告)号：KR100862131B1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：KR1020077019497

申请日：2001-08-22

Applicant: 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하버드 칼리지

Inventor： 리버,찰스,엠. ,  구이,잉 ,  두안,싱펭 ,  훵,융-쉥

IPC: H01L21/18 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B01J23/50 ,  B01J23/52 ,  B01J23/72 ,  B01J35/0013 ,  B01J37/349 ,  B81C1/0019 ,  B81C1/00206 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B11/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/605 ,  G01N27/4146 ,  G01N33/54373 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0019 ,  G11C13/025 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/81 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/18 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0048 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/858 ,  Y10S977/882 ,  Y10S977/883 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/936 ,  Y10T428/24 ,  H01L2924/00

Abstract: 그 길이 방향 축에 따른 임의의 지점에서 500㎚보다 작은 최대 단면 치수를 가지는 단결정, 봉형 및 벌크 도핑된 반도체, 및 500㎚보다 작은 최소폭을 가지는 적어도 한 부분을 갖는 자유 설치형의 벌크 도핑된 반도체 중 적어도 하나인 벌크 도핑된 반도체. 그러한 반도체는 제1 반도체를 포함하는 내부 코어 및 제1 반도체와 다른 재료를 포함하는 외부 쉘(shell)을 포함할 수 있다. 그러한 반도체는 봉형이고, 그러한 반도체의 길이 방향 섹션을 따른 임의의 지점에서 4:1, 또는 10:1, 또는 100:1, 또는 심지어 1000:1보다 큰 섹션의 길이 대 최장 폭의 비율을 가질 수 있다. 그러한 반도체의 적어도 한 부분은 200㎚, 150㎚, 100㎚, 80㎚, 70㎚, 60㎚, 40㎚, 20㎚, 10㎚, 또는 심지어 5㎚보다 작은 최소폭을 가질 수 있다. 그러한 반도체는 단결정일 수 있고, 자유 설치형(free-standing)일 수 있다. 그러한 반도체는 소량 n-도핑, 다량 n-도핑, 소량 p-도핑 또는 다량 p-도핑될 수 있다. 그러한 반도체는 성장 동안에 도핑된다. 그러한 반도체는 다양한 디바이스 및 그 조합 중 임의의 것을 포함하는 디바이스의 일부가 될 수 있고, 다양한 조립 기술들이 그러한 반도체로부터 디바이스를 제조하는데 이용될 수 있다. 그러한 반도체의 어레이를 포함하는 2개 이상의 그러한 반도체가 조합되어, 디바이스를 형성하고, 예를 들면 디바이스의 교차 pn 접합을 형성한다. 특정 크기의 그러한 디바이스는 양자 구속 및 다른 양자 현상을 나타낼 수 있고, 하나 이상의 그러한 반도체로부터 방출된 광의 파장은 그러한 반도체의 폭을 선택함으로써 제어될 수 있다. 이것으로부터 만들어지는 이러한 반도체 및 디바이스는 다양한 응용에 이용될 수 있다.
봉형 반도체, 도핑, 성장, 벌크-도핑, 디바이스 제조

公开(公告)号：KR1020080005613A

公开(公告)日：2008-01-14

申请号：KR1020077030228

申请日：2001-08-22

Applicant: 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하버드 칼리지

Inventor： 리버,찰스,엠. ,  구이,잉 ,  두안,싱펭 ,  훵,융-쉥

IPC: B01J2/02 ,  B82B1/00 ,  B82Y15/00

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B01J23/50 ,  B01J23/52 ,  B01J23/72 ,  B01J35/0013 ,  B01J37/349 ,  B81C1/0019 ,  B81C1/00206 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B11/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/605 ,  G01N27/4146 ,  G01N33/54373 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0019 ,  G11C13/025 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/81 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/18 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0048 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/858 ,  Y10S977/882 ,  Y10S977/883 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/936 ,  Y10T428/24 ,  H01L2924/00

Abstract: A bulk-doped semiconductor that is at least one of the following: a single crystal, an elongated and bulk-doped semiconductor that, at any point along its longitudinal axis, has a largest cross-sectional dimension less than 500 nanometers, and a free-standing and bulk-doped semiconductor with at least one portion having a smallest width of less than 500 nanometers. Such a semiconductor may comprise an interior core comprising a first semiconductor; and an exterior shell comprising a different material than the first semiconductor. Such a semiconductor may be elongated and may have, at any point along a longtiudinal section of such a semiconductor, a ratio of the length of the section to a longest width which is greater than 4:1, or greater than 10:1, or greater than 100:1, or even greater than 1000:1. At least one portion of such a semiconductor may a smallest width of less than 200 nanometers, or less than 150 nanometers, or less than 100 nanometers, or less than 80 nanometers, or less than 70 nanometers, or less than 60 nanometers, or less than 40 nanometers, or less than 20 nanometers, or less than 10 nanometers, or even less than 5 nanometers. Such a semiconductor may be a single crystal and may be free-standing. Such a semiconductor may be either lightly n-doped, heavily n-doped, lightly p-doped or heavily p-doped. Such a semiconductor may be doped during growth. Such a semiconductor may be part of a device, which may include any of a variety of devices and combinations thereof, and a variety of assembling techniques may be used to fabricate devices from such a semiconductor. Two or more of such a semiconductors, including an array of such semiconductors, may be combined to form devices, for example, to form a crossed p-n junction of a device. Such devices at certain sizes may exhibit quantum confinement and other quantum phenomena, and the wavelength of light emitted from one or more of such semiconductors may be controlled by selecting a width of such semiconductors. Such semiconductors and device made therefrom may be used for a variety of applications.

Abstract translation: 本发明涉及一种体掺杂半导体，该体掺杂半导体是以下中的至少一种：单晶，细长且体掺杂的半导体，其在沿其纵轴的任何点处具有小于500纳米的最大横截面尺寸， 其中至少一部分具有小于500纳米的最小宽度。 这样的半导体可以包括包含第一半导体的内部核心; 以及包含与第一半导体不同的材料的外壳。 这样的半导体可以是细长的并且可以在沿着这种半导体的长衬底部分的任何点处具有大于4:1或大于10:1的截面的长度与最长宽度的比率，或者 大于100：1，或甚至大于1000：1。 这种半导体的至少一部分可以具有小于200纳米，或小于150纳米，或小于100纳米，或小于80纳米，或小于70纳米，或小于60纳米或更小的最小宽度 超过40纳米，或者少于20纳米，或者少于10纳米，或者甚至少于5纳米。 这样的半导体可以是单晶并且可以是独立式的。 这种半导体可以是轻度n掺杂，重度n掺杂，轻度p掺杂或重度p掺杂。 这种半导体可以在生长期间被掺杂。 这样的半导体可以是器件的一部分，该器件可以包括各种器件中的任何器件及其组合，并且可以使用各种组装技术来制造来自这种半导体的器件。 包括这种半导体阵列的两个或更多个这样的半导体可以被组合以形成器件，例如以形成器件的交叉p-n结。 这些具有特定尺寸的器件可能表现出量子限制和其他量子现象，并且可以通过选择这种半导体的宽度来控制从一个或多个这样的半导体发射的光的波长。 这样的半导体和由其制造的器件可以用于各种应用。

公开(公告)号：KR100791732B1

公开(公告)日：2008-01-04

申请号：KR1020037002636

申请日：2001-08-22

Applicant: 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하버드 칼리지

Inventor： 리버,찰스,엠. ,  구이,잉 ,  두안,싱펭 ,  훵,융-쉥

IPC: H01L21/18 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B01J23/50 ,  B01J23/52 ,  B01J23/72 ,  B01J35/0013 ,  B01J37/349 ,  B81C1/0019 ,  B81C1/00206 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B11/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/605 ,  G01N27/4146 ,  G01N33/54373 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0019 ,  G11C13/025 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/81 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/18 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0048 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/858 ,  Y10S977/882 ,  Y10S977/883 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/936 ,  Y10T428/24 ,  H01L2924/00

Abstract: 그 길이 방향 축에 따른 임의의 지점에서 500㎚보다 작은 최대 단면 치수를 가지는 단결정, 봉형 및 벌크 도핑된 반도체, 및 500㎚보다 작은 최소폭을 가지는 적어도 한 부분을 갖는 자유 설치형의 벌크 도핑된 반도체 중 적어도 하나인 벌크 도핑된 반도체. 그러한 반도체는 제1 반도체를 포함하는 내부 코어 및 제1 반도체와 다른 재료를 포함하는 외부 셀을 포함할 수 있다. 그러한 반도체는 봉형이고, 그러한 반도체의 길이 방향 섹션을 따른 임의의 지점에서 4:1, 또는 10:1, 또는 100:1, 또는 심지어 1000:1보다 큰 섹션의 길이 대 최장 폭의 비율을 가질 수 있다. 그러한 반도체의 적어도 한 부분은 200㎚, 150㎚, 100㎚, 80㎚, 70㎚, 60㎚, 40㎚, 20㎚, 10㎚, 또는 심지어 5㎚보다 작은 최소폭을 가질 수 있다. 그러한 반도체는 단결정일 수 있고, 자유 설치형(free-standing)일 수 있다. 그러한 반도체는 소량 n-도핑, 다량 n-도핑, 소량 p-도핑 또는 다량 p-도핑될 수 있다. 그러한 반도체는 성장 동안에 도핑된다. 그러한 반도체는 다양한 디바이스 및 그 조합 중 임의의 것을 포함하는 디바이스의 일부가 될 수 있고, 다양한 조립 기술들이 그러한 반도체로부터 디바이스를 제조하는데 이용될 수 있다. 그러한 반도체의 어레이를 포함하는 2개 이상의 그러한 반도체가 조합되어, 디바이스를 형성하고, 예를 들면 디바이스의 교차 pn 접합을 형성한다. 특정 크기의 그러한 디바이스는 양자 구속 및 다른 양자 현상을 나타낼 수 있고, 하나 이상의 그러한 반도체로부터 방출된 광의 파장은 그러한 반도체의 폭을 선택함으로써 제어될 수 있다. 이것으로부 터 만들어지는 이러한 반도체 및 디바이스는 다양한 응용에 이용될 수 있다.
봉형 반도체, 도핑, 성장, 벌크-도핑, 디바이스 제조

公开(公告)号：KR1020050012716A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：KR1020047006215

申请日：2003-07-02

Applicant: 소니 가부시키가이샤

Inventor： 와다마사루 ,  콘도신이치로 ,  야스다료이치

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L51/0566 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0075 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0095 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0595 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/936 ,  Y10S977/938

Abstract: 유기 반도체 분자를 재료로 하여 형성되는 도전로가 신규한 구조를 가지고, 높은 이동도를 나타내는 반도체 장치 및 그 제조 방법이다. 4,4′-비페닐디티올 등의 유기 반도체 분자(9)의 양단에 있는 관능기에 의해, Au 등의 도체 또는 반도체로 이루어지는 미립자(8)와 유기 반도체 분자(9)를 번갈아 결합시켜, 미립자(8) 내의 도전로와 유기 반도체 분자(9) 내의 도전로가 2차원 또는 3차원적으로 연결된 네트워크 형상의 도전로를 형성한다. 이 도전로에는, 분자 사이의 전자 이동이 포함되지 않고, 이동도가 분자 사이의 전자 이동에 의해 제한되는 일이 없기 때문에, 유기 반도체 분자 내의 주쇄에 따른 (분자의 축 방향의) 도전로의 이동도, 예를 들면 비국재화된 π전자에 의한 높은 분자 내 이동도를 최대한으로 이용할 수가 있다.

公开(公告)号：KR1020000034979A

公开(公告)日：2000-06-26

申请号：KR1019990043361

申请日：1999-10-08

Applicant: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 베튠도날드스팀슨 ,  티와리샌딥

IPC: H01L29/78

CPC classification number: G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C23/00 ,  G11C2213/17 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  Y10S977/936 ,  Y10S977/937 ,  Y10S977/943

Abstract: PURPOSE: A micro electric device is provided to minimize the size of capacitors, to decrease capacitance thereof, and to increase the coulomb trap effect and safety of the micro electric device. CONSTITUTION: A micro electric device includes a board(2), an insulation layer(6), and a field effect transistor. The board(2) includes a source(3) region and a drain(4) region divided by a channel region(5). The insulation layer(6) is placed on the channel region(5). The insulation material includes at least one cage molecule(8) including a closed hollow shell. The cage molecule(8) is able to conduct electrons substantially, and to define a coulomb barrier, and to accept and store at least one electron when a voltage high enough to overcome the coulomb barrier is applied between the source region(3) and drain region(4) and the gate.

Abstract translation: 目的：提供微电子装置以最小化电容器的尺寸，降低其电容，并增加库仑陷阱效应和微电子装置的安全性。 构成：微电子装置包括板（2），绝缘层（6）和场效应晶体管。 板（2）包括由沟道区域（5）分开的源极（3）区域和漏极（4）区域。 绝缘层（6）放置在沟道区域（5）上。 绝缘材料包括至少一个笼状分子（8），其包括封闭的中空壳体。 笼状分子（8）能够在源区域（3）和漏极（3）之间施加足够大的电压以克服库伦势垒时基本上导通电子并且限定库仑势垒，并且接受并存储至少一个电子 区域（4）和门。

公开(公告)号：KR1020130062587A

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：KR1020110128939

申请日：2011-12-05

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김진석 ,  서준교 ,  강성철 ,  이정훈

IPC: G01L9/00

CPC classification number: H01L29/84 ,  A61B5/031 ,  A61B2562/0247 ,  A61B2562/046 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00206 ,  B82Y15/00 ,  B82Y99/00 ,  G01L1/16 ,  G01L1/165 ,  G01L7/08 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/0098 ,  H01L29/66007 ,  Y10S977/90 ,  Y10S977/936 ,  Y10S977/956

Abstract: PURPOSE: A pressure sensor with a nanostructure and a manufacturing method thereof are provided to improve a response speed and the sensitivity of a sensor due to the nanostructure adhered to the surface of the sensor. CONSTITUTION: A pressure sensor(100) with a nanostructure comprises a substrate(110), a source electrode(120), a drain electrode(130), and flexible sensor layer(140). The source and the drain electrodes are arranged separately on the substrate on a predetermined distance. The flexible sensor layer is arranged on the source and drain electrodes. The nanostructure adhered to a surface of the flexible sensor layer includes a zigzagged portions of a nano size.

Abstract translation: 目的：提供具有纳米结构的压力传感器及其制造方法，以提高由于纳米结构粘附到传感器表面而导致的传感器的响应速度和灵敏度。 构成：具有纳米结构的压力传感器（100）包括基底（110），源电极（120），漏电极（130）和柔性传感器层（140）。 源电极和漏电极以预定距离分开布置在衬底上。 柔性传感器层布置在源极和漏极上。 附着在柔性传感器层的表面上的纳米结构包括纳米尺寸的锯齿形部分。

公开(公告)号：KR1020120114586A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：KR1020110032192

申请日：2011-04-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허진성 ,  정현종 ,  서순애 ,  이성훈 ,  양희준

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66045 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  Y10S977/936

Abstract: PURPOSE: A graphene electric element and a manufacturing method are provided to prevent the damage of graphene when eliminating a photosensitive pattern by preventing the photosensitive pattern to be directly touched with a graphene layer. CONSTITUTION: A conductive substrate is used as a gate electrode. A gate oxide(112) is arranged on the substrate. A pair of first metals is separated on the gate oxide. A graphene channel layer(130) is extended between the pair of first metals. The graphene channel layer is composed of graphene of a single layer or a bi-layer. A source electrode(142) and a drain electrode are respectively arranged on both ends of the graphene channel layer. The source electrode and the drain electrode are composed of Au. The thickness of the source electrode and the drain electrode is 10nm to 1000nm.

Abstract translation: 目的：提供石墨烯电元件和制造方法，以通过防止光刻图案与石墨烯层直接接触来消除感光图案，从而防止石墨烯的损伤。 构成：导电性基板用作栅电极。 栅极氧化物（112）布置在衬底上。 一对第一金属在栅极氧化物上分离。 石墨烯通道层（130）在一对第一金属之间延伸。 石墨烯通道层由单层或双层的石墨烯组成。 源极电极（142）和漏电极分别设置在石墨烯通道层的两端。 源极和漏极由Au构成。 源电极和漏电极的厚度为10nm〜1000nm。

公开(公告)号：KR101062240B1

公开(公告)日：2011-09-05

申请号：KR1020057007390

申请日：2003-11-05

Applicant: 소니 주식회사

Inventor： 마루야마류이치로 ,  아타마사푸미 ,  시라이시마사시

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  C01B31/00 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L51/0595 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0508 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/936 ,  Y10S977/938 ,  Y10S977/949

Abstract: 종래의 탄소 분자로 이루어진 전자소자의 결점을 극복하고, 그것을 상회하는 성능을 가질 수 있는 초소형의 전자소자, 및 그것의 제조 방법이다. 내측의 금속성 카본 나노 튜브층(2)이 외측의 반도체성 카본 나노 튜브층(1)으로 부분적으로 덮인 다층 카본 나노 튜브(10)를 사용하여, 금속으로 이루어진 소스 전극(3) 및 드레인 전극(5)을 반도체성 카본 나노 튜브(1)의 양단에 접촉시키고, 금속으로 이루어진 게이트 전극(4)을 금속성 카본 나노 튜브(2)에 접촉시키고, 반도체성 카본 나노 튜브층(1)과 금속성 카본 나노 튜브층(2) 사이의 공간을 게이트 절연층으로 하여, 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터를 구성한다. 다층 카본 나노 튜브(10)는, 다층 카본 나노 튜브의 각 카본 나노 튜브층으로부터, 외측에 반도체성 카본 나노 튜브층(1)이 있고, 내측에 금속성 카본 나노 튜브층(2)이 있는 2층을 선택하고, 목적에 알맞은 형태로 성형하여, 이용한다.
그라파이트, 카본 나노 튜브, 절연 게이트, 전계 효과 트랜지스터