公开(公告)号：KR101905808B1

公开(公告)日：2018-11-28

申请号：KR1020137024599

申请日：2012-02-15

申请人： 캠브리지 엔터프라이즈 리미티드

发明人： 콜링스닐 ,  조르지우안드레아스 ,  레이몬드마우라미셸 ,  로버트슨브라이언 ,  추다핑 ,  리우진송 ,  크로스랜드윌리엄엘든 ,  무어존리차드

IPC分类号： G02B6/35 ,  G03H1/08

CPC分类号： G03H1/0841 ,  G02B5/32 ,  G02B6/3558 ,  G02B6/3588 ,  G02F1/136277 ,  G03H1/0808 ,  G03H1/2294 ,  G03H2001/0816 ,  G03H2001/085 ,  G03H2210/44 ,  G03H2222/31 ,  G03H2225/32 ,  G03H2225/60 ,  G03H2226/02 ,  H04Q11/0005

摘要： 실리콘액정(liquid crystal on silicon; LCOS) 원격통신에서의광 비임의경로배정기기가개시되어있다. 상기기기는, 하나의광학입력; 복수개의광학출력들; 키노폼(kinoform)의디스플레이를위해상기광학입력및 상기광학출력들중 하나의광학출력사이에광학경로를이루는 LCOS 공간광 변조기(spatial light modulator; SLM); 상기 SLM에연결되어있으며상기 SLM 상에상기키노폼을디스플레이하기위해키노폼데이터를제공하도록구성된데이터프로세서;를포함하고, 상기키노폼데이터는상기광학입력으로부터선택된상기광학출력에비임을경로배정하는키노폼을정의하며, 상기데이터프로세서는상기선택된광학출력을정의하는경로배정데이터를입력하도록구성되고상기경로배정데이터에응답하여상기비임을경로배정하기위해상기키노폼데이터를계산하도록구성되며, 그리고상기데이터프로세서는, 상기키노폼에대한초기위상패턴을결정함으로써, 상기위상패턴의리플레이필드(replay field)를계산함으로써, 상기리플레이필드의크기성분을수정하여상기비임의경로배정에대하여타깃리플레이필드를나타냄으로써, 상기리플레이필드의위상성분을유지하여업데이트된리플레이필드를제공함으로써, 상기업데이트된리플레이필드상에서의공간-주파수변환을수행하여상기키노폼에대해업데이트된위상패턴을결정함으로써, 상기디스플레이를위한키노폼이결정될때까지상기리플레이필드의계산및 업데이트및 상기공간-주파수변환의수행을반복함으로써, 그리고상기 LCOS SLM 상에상기디스플레이를위한키노폼데이터를출력함으로써, 상기키노폼데이터를계산하도록구성된다.

公开(公告)号：KR20180001543A

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：KR20170179899

申请日：2017-12-26

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 키무라하지메

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L27/13 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66

CPC分类号： G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/136286 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 개구율이높은반도체장치또는그 제작방법을제공하는것을목적의하나로한다. 또한, 소비전력이낮은반도체장치또는그 제작방법을제공하는것을목적의하나로한다. 절연표면을가지는기판위에형성된산화물반도체층과, 산화물반도체층을덮는게이트절연막과, 게이트절연막위에형성된제1 도전층과제2 도전층의순으로적층된게이트전극을포함하는게이트배선과, 산화물반도체층과, 상기게이트전극을포함하는상기게이트배선을덮는절연막과, 절연막위에형성되어산화물반도체층과전기적으로접속되고, 제3 도전층과제4 도전층의순으로적층된소스전극을포함하는소스배선을가지고, 게이트전극은제1 도전층으로형성되고, 게이트배선은제1 도전층과제2 도전층으로형성되고, 소스전극은제3 도전층으로형성되고, 소스배선은제3 도전층과제4 도전층으로형성되어있다.

摘要翻译： 一种半导体器件，包括：设置在具有绝缘表面的衬底上的氧化物半导体层; 覆盖氧化物半导体层的栅极绝缘膜; 依次层叠在栅极绝缘膜上的第一导电层和第二导电层; 覆盖氧化物半导体层和包括栅电极（第一和第二导电层）的栅极布线的绝缘膜; 以及依次层叠在绝缘膜上并电连接到氧化物半导体层的第三导电层和第四导电层。 栅电极使用第一导电层形成。 使用第一导电层和第二导电层形成栅极布线。 使用第三导电层形成源电极。 使用第三导电层和第四导电层形成源极布线。

公开(公告)号：KR101812299B1

公开(公告)日：2017-12-27

申请号：KR1020137002920

申请日：2011-04-11

申请人： 시리얼 테크놀로지즈 에스.에이.

发明人： 푀테러제랄드

IPC分类号： G03H1/22 ,  G02B5/32 ,  G02B27/00 ,  G02B5/18 ,  G02B27/09 ,  G02F1/313 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/29 ,  G02F1/13357 ,  G02B6/04

CPC分类号： G03H1/0248 ,  G02B5/32 ,  G02B6/0046 ,  G02B27/0037 ,  G02F1/13342 ,  G02F1/133524 ,  G02F1/133621 ,  G02F1/136277 ,  G02F2201/02 ,  G03H1/0891 ,  G03H1/2205 ,  G03H1/2286 ,  G03H1/2294 ,  G03H1/30 ,  G03H2001/0224 ,  G03H2001/2236 ,  G03H2001/2239 ,  G03H2001/2242 ,  G03H2001/2292 ,  G03H2222/12 ,  G03H2222/22 ,  G03H2222/34 ,  G03H2223/12 ,  G03H2223/14 ,  G03H2223/16 ,  G03H2223/19 ,  G03H2223/22 ,  G03H2223/23 ,  G03H2225/11 ,  G03H2227/03

摘要： 본발명은조명장치, 확대유닛(VE) 및광 변조기(SLM)를구비한홀로그래픽디스플레이에관한것이다. 조명장치는적어도하나의광원과광 시준장치(LCU)를포함하고, 광시준장치(LCU)는적어도하나의광원의광을시준하고평면파의구별가능한각 스펙트럼을가진광원에의해방사된광의광 파동장을발생하도록설계되며, 확대유닛(VE)은광 전파방향에서볼 때광 시준장치(LCU)의하류에배치되고, 확대유닛(VE)은광 파동장의왜상확장이광 파동장과부피홀로그램(VH)의투과형상호작용에기인하여실현되도록설계및 배치되는투과형부피홀로그램(VH)을포함하고, 광변조기(SLM)는광 전파방향에서볼 때왜상확대유닛(VE)의상류또는하류에배치된다.

摘要翻译： 本发明涉及一种包括照明装置，放大单元（VE）和光调制器（SLM）的全息显示器。 该照明装置包括至少一个光源和一个光准直单元（LCU）和广西给装置（LCU）至少平行于光源的光以及由光源与每个光谱发射可以区分具有波的平面波的光 被设计成产生一个场，特写镜头单元（VE）的下游设置在银矿传播方向发现ttaegwang准直器单元（LCU），扩展单元（VE）银矿膨胀波章变形李，KWANG波场的发送与所述体积全息（VH）的 来实现，由于交互包括设计和传输体积全息图（VH）被设置，并且从光调制器（SLM）neungwang传播方向观察被设置变形升高单元（VE）服装流或下游。

公开(公告)号：KR101805378B1

公开(公告)日：2017-12-06

申请号：KR1020127022094

申请日：2010-12-24

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 야마자키순페이

IPC分类号： G02F1/1368 ,  G02F1/13357 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1336 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/3406 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3659 ,  G09G2300/08 ,  G09G2320/0214 ,  G09G2320/0626 ,  G09G2360/144 ,  H01L27/153 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869

摘要： 극단적으로낮은오프전류를보이는트랜지스터를포함하는표시장치가개시된다. 오프전류를감소시키기위하여, 밴드갭이규소반도체의것보다큰 반도체재료가트랜지스터를형성하기위하여사용되며, 반도체재료의캐리어도너로동작하는불순물의농도가감소된다. 특히, 밴드갭이 2eV 이상, 바람직하게는 2.5eV 이상이고, 보다바람직하게는 3eV 이상의산화물반도체가트랜지스터의반도체층을위해사용되고, 포함된캐리어도너로동작하는불순물의농도가감소된다. 그결과, 트랜지스터의오프전류가실온에서채널폭 1마이크로미터당 10 zA/㎛미만, 85 ℃에서 100 zA/㎛미만으로감소될수 있다.

公开(公告)号：KR101805102B1

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：KR1020177015569

申请日：2010-12-22

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 토요타카코헤이 ,  쿠스노키코지

IPC分类号： G09G3/36 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC分类号： G02F1/136213 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/3648 ,  G09G2330/021 ,  G09G2330/027

摘要： 화상표시기능의저하를억제하고, 또한충분히저소비전력화를도모할수 있는액정표시장치, 및액정표시장치의구동방법을제공하는것을과제의하나로한다. 액정표시장치에서, 전원을오프하기전에, 액정에전계가걸리지않도록, 용량소자에고정전위를입력하여용량소자의전극간 전위차를없애고(용량을거의제로로하고), 액정을초기상태로한다. 초기상태화상을표시한후에전원을정지하면, 액정은오프상태에서불필요한전계가계속해서걸리지않게되고안정된초기상태로있을수 있으므로, 액정의열화를방지할수 있다.

摘要翻译： 本发明提供一种液晶显示装置及液晶显示装置的驱动方法，该液晶显示装置能够抑制图像显示功能的劣化并且能够充分降低功耗。 在该液晶显示装置中，之前关闭电源，从而使电场发生在LCD上，并且在电容元件输入一个固定的电势，以消除电容装置（和容量到基本为零）时，液晶的初始状态的电极间的电位差。 当停止hanhue显示的初始状态下图像的功率，所述液晶是不抓住它不需要继续处于断开状态的电场和iteulsu稳定的初始状态，它可以防止液晶的劣化。

公开(公告)号：KR101799252B1

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：KR1020177017916

申请日：2010-07-14

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 야마자끼슌뻬이 ,  오하라히로끼 ,  사사끼도시나리 ,  노다고세이 ,  구와바라히데아끼

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L27/12 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/24 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869

摘要： 본발명의일 목적은배선간의기생용량을현저히저감시킬수 있는구조의반도체장치를제공하는것이다. 게이트전극층과중첩하는산화물반도체층의일부위에채널보호층으로서기능하는산화물절연층이형성된다. 상기산화물절연층의형성과동일한공정에서, 산화물반도체층의주연부를덮는산화물절연층을형성한다. 상기산화물반도체층의주연부를덮는산화물절연층은, 게이트전극층과이 게이트전극층의상방또는주변에형성된배선층사이의거리를증가시키도록제공되고, 이에의해기생용량이저감된다.

公开(公告)号：KR1020170118024A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：KR1020170132861

申请日：2017-10-12

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 키무라하지메

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66 ,  H01L27/13 ,  H01L29/45

CPC分类号： G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/136286 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 개구율이높은반도체장치또는그 제작방법을제공하는것을목적의하나로한다. 또한, 소비전력이낮은반도체장치또는그 제작방법을제공하는것을목적의하나로한다. 절연표면을가지는기판위에형성된산화물반도체층과, 산화물반도체층을덮는게이트절연막과, 게이트절연막위에형성된제1 도전층과제2 도전층의순으로적층된게이트전극을포함하는게이트배선과, 산화물반도체층과, 상기게이트전극을포함하는상기게이트배선을덮는절연막과, 절연막위에형성되어산화물반도체층과전기적으로접속되고, 제3 도전층과제4 도전층의순으로적층된소스전극을포함하는소스배선을가지고, 게이트전극은제1 도전층으로형성되고, 게이트배선은제1 도전층과제2 도전층으로형성되고, 소스전극은제3 도전층으로형성되고, 소스배선은제3 도전층과제4 도전층으로형성되어있다.

摘要翻译： 提供了具有高开口率的半导体器件或其制造方法。 本发明的另一个目的是提供一种低功耗的半导体器件或其制造方法。 一种栅极布线，包括在具有绝缘表面的衬底上形成的氧化物半导体层，覆盖氧化物半导体层的栅极绝缘膜以及依次形成在栅极绝缘膜和第二导电层上的第一导电层; 绝缘膜，覆盖包括栅电极的栅极布线;源极布线，形成在绝缘膜上并电连接到氧化物半导体层，源极布线包括以第三导电层和第四导电层的顺序层叠的源极电极 栅电极由第一导电层形成，栅极布线由第一导电层和第二导电层形成，源电极由第三导电层形成，源极布线为第三导电层。 它形成的。

公开(公告)号：KR101787735B1

公开(公告)日：2017-10-18

申请号：KR1020170070977

申请日：2017-06-07

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 키무라하지메

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66 ,  H01L27/13 ,  H01L29/45

CPC分类号： G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/136286 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 개구율이높은반도체장치또는그 제작방법을제공하는것을목적의하나로한다. 또한, 소비전력이낮은반도체장치또는그 제작방법을제공하는것을목적의하나로한다. 절연표면을가지는기판위에형성된산화물반도체층과, 산화물반도체층을덮는게이트절연막과, 게이트절연막위에형성된제1 도전층과제2 도전층의순으로적층된게이트전극을포함하는게이트배선과, 산화물반도체층과, 상기게이트전극을포함하는상기게이트배선을덮는절연막과, 절연막위에형성되어산화물반도체층과전기적으로접속되고, 제3 도전층과제4 도전층의순으로적층된소스전극을포함하는소스배선을가지고, 게이트전극은제1 도전층으로형성되고, 게이트배선은제1 도전층과제2 도전층으로형성되고, 소스전극은제3 도전층으로형성되고, 소스배선은제3 도전층과제4 도전층으로형성되어있다.

公开(公告)号：KR1020170100987A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：KR1020160023589

申请日：2016-02-26

申请人： 삼성에스디아이 주식회사

发明人： 한권우 ,  곽택수 ,  노건배 ,  서진우 ,  심수연 ,  윤희찬 ,  이지호 ,  장준영 ,  황병규

IPC分类号： C09D183/04 ,  C09D7/00 ,  H01L29/45 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/1262 ,  B05D1/005 ,  B05D3/0254 ,  C09D183/00 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1283 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133365 ,  G02F1/136277 ,  G02F2202/022 ,  G02F2202/025 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L27/1248

摘要： 규소함유중합체, 그리고용매로서하기화학식 1로표현되는화합물을포함하는실리카막 형성용조성물에관한것이다. [화학식 1]상기화학식 1에서, L, L, m, n, X, 및 X의정의는명세서내 기재한바와같다.

摘要翻译： 含硅聚合物和由下式（1）表示的化合物作为溶剂。 在式（1）中，L，L，m，n，X和X如说明书中所定义。

公开(公告)号：KR1020170086439A

公开(公告)日：2017-07-26

申请号：KR1020170089752

申请日：2017-07-14

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 키무라하지메

IPC分类号： G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1337

CPC分类号： G02F1/134309 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368

摘要： 본발명은, 액정을구동하는전극의간격을넓히는것으로써, 전극간에가하는전계의구배(勾配)를제어할수 있고, 최적의전계를전극간에가할수 있다. 기판위에형성된제 1 전극과, 기판위, 및제 1 전극위에형성된절연막과, 절연막위에형성되고, 소스, 채널영역, 및드레인이형성된반도체막을가지는박막트랜지스터와, 반도체막보다상층이며, 제 1 전극의상방에위치하고, 제 1 개구패턴을가지는제 2 전극과, 제 2 전극의상방에배치된액정을구비한다.