公开(公告)号：KR1020180090638A

公开(公告)日：2018-08-13

申请号：KR1020170015743

申请日：2017-02-03

申请人： 한국화학연구원

发明人： 김인철 ,  안은숙

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  G03F1/62

CPC分类号： H01L21/027 ,  G03F1/62 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282

摘要： 본발명은포토레지스트용액중 겔입자를제거하는멤브레인의제조방법및 상기멤브레인의사용방법에관한것으로, 상기제조방법은평균기공크기가 0.01 ㎛이상인다공성고분자지지체를준비하는제1단계; 상기다공성고분자지지체를, 겔입자를흡착하는작용기를구비한방향족폴리아미드함유용액내에서함침시키는제2단계; 및상기방향족폴리아미드함유용액이함침된지지체를비용매에침지시켜상기방향족폴리아미드를고형화하여상기지지체의표면에존재하는기공을채워, 평균기공크기가 0.005 내지 0.1 ㎛인 범위내에서상기다공성고분자지지체보다작은크기의기공을갖는멤브레인을제조하는제3단계;를포함한다.

公开(公告)号：KR101880232B1

公开(公告)日：2018-07-19

申请号：KR1020150099132

申请日：2015-07-13

申请人： 주식회사 제우스

发明人： 조윤선 ,  김한옥

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/324 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/67051 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/311 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/68785

摘要： 본발명은반도체용기판을식각및 세정하는기판액처리장치에관한것이다. 기판액처리장치는, 테이블상부에처리면이하부를향하도록기판을이격하여지지하는기판지지부; 테이블을회전시키는회전축을구동하는회전구동부; 및테이블과기판사이처리공간에기체가혼합된미스트상태의처리액또는증기상태의처리액을공급하는처리액공급부; 를포함한다. 이에의해, 기판과테이블사이처리공간의분위기를균일하게하고, 처리면에처리액을균일하게분사할수 있다.

公开(公告)号：KR20180065651A

公开(公告)日：2018-06-18

申请号：KR20160166797

申请日：2016-12-08

申请人： SAMSUNG SDI CO LTD

发明人： SIM SOO YEON ,  BAE JIN HEE ,  KWAK TAEK SOO ,  KIM YONG GOOG ,  KIM JIN GYO ,  NOH KUN BAE ,  YUN HUI CHAN ,  LEE JI HO ,  HWANG BYEONG GYU

IPC分类号： H01B3/30 ,  B05D3/02 ,  C08G77/54 ,  C08L83/16 ,  C09D183/16 ,  H01L33/52

CPC分类号： C09D1/00 ,  C01B33/12 ,  C09D7/20 ,  C09D7/63 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02318

摘要： 규소함유중합체, 그리고용매를포함하는실리카막 형성용조성물로서, 상기규소함유중합체의중량평균분자량은 2,000 내지 100,000이고, 하기식 1에의거하여산출한상기규소함유중합체의분지율(a)이 0.25 내지 0.50인실리카막 형성용조성물: [식 1] η=k·M상기식 1에서, η은규소함유중합체의고유점도이고, M은규소함유중합체의절대분자량이고, a는분지율이고, k는고유상수이다.

公开(公告)号：KR20180025450A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：KR20160111428

申请日：2016-08-31

申请人： SEMES CO LTD

发明人： PARK MIN JUNG ,  LEE JUNG YUL ,  LEE HYUN HEE ,  CHO SOO HYUN

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/302 ,  F26B5/04 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/683 ,  H01L2021/60187

摘要： 본발명은기판상에처리액을공급하여기판을처리하는기판처리방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른기판처리방법은, 상기처리액이공급되는동안에상기기판은제 1 속도와제 2 속도를번갈아가면서반복하여회전되되, 상기제 2 속도는상기제 1 속도보다높은속도이다.

摘要翻译： 公开了一种处理基材的设备和方法。 该方法包括在供应处理液体的同时以第一速度和第二速度交替地旋转衬底，并且第二速度高于第一速度。

公开(公告)号：KR20180025449A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：KR20160111425

申请日：2016-08-31

申请人： 세메스 주식회사

发明人： PARK MIN JUNG ,  LEE JUNG YUL ,  LEE HYUN HEE ,  CHO SOO HYUN

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/306 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/02282 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/68764

摘要： 본발명은기판처리장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른기판처리장치는, 기판을지지하는기판지지부재와; 상기기판지지부재를회전시키는회전구동부재와; 상기기판지지유닛에지지된기판상에제 1 처리액을공급하는제 1 노즐및 상기제 1 노즐을이동시키는구동부재를가지는제 1 공급유닛과; 상기제 1 공급유닛을제어하는제어기를포함하되, 상기제어기는상기제 1 처리액을공급하는동안, 상기제 1 노즐이상기기판상에상기제 1 처리액을공급하는공급위치가제 1 위치및 제 2 위치간에이동되도록상기제 1 공급유닛을제어한다.

摘要翻译： 基板处理装置技术领域本发明涉及基板处理装置 根据本发明实施例的基板处理设备包括：基板支撑构件，用于支撑基板; 旋转驱动部件，用于旋转基板支撑部件; 第一供应单元，具有用于将第一处理溶液供应到由基板支撑单元支撑的基板上的第一喷嘴和用于移动第一喷嘴的驱动构件; 其中，控制器控制第一供应单元，使得用于将第一处理液供应到第一喷嘴故障装置板的供应位置改变到第一位置和第二位置， 并控制第一个进纸单元在两个位置之间移动。

公开(公告)号：KR1020180011548A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：KR1020160094018

申请日：2016-07-25

申请人： 성균관대학교산학협력단

发明人： 부진효 ,  유정훈 ,  이율희

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/02172 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/324 ,  H01L2924/01074

摘要： 본발명은전기변색소자용텅스텐삼산화물박막및 이의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는나노홈이규칙적으로배열되어벌집구조가형성된텅스텐삼산화물박막을제조하고, 이를이용하여빠른응답속도와향상된내구성을갖는전기변색소자를제공하고자하는것이다. 본발명의여러구현예에따르면, 나노홈이규칙적으로배열되어벌집구조를갖는텅스텐삼산화물박막을제조할수 있다. 또한, 상기텅스텐삼산화물박막은전기변색소자에적용시켰을때 변색속도및 내구성을향상시키는데현저한효과를나타내어, 기능성창호, 디스플레이등의다양한분야에폭넓게응용이가능하다.

摘要翻译： 本发明中，更特别地，纳米槽规则地排列，并产生三氧化钨的膜为蜂窝结构形成，短的响应时间，提高通过使用这一点，根据三氧化钨膜的方法和它们的制备的电致变色装置 并提供具有耐久性的电致变色装置。 根据本发明的各种实施方式，通过规则排列纳米槽可以制造具有蜂窝结构的三氧化钨薄膜。 此外，三氧化钨的膜，可广泛应用于各种领域，如示出的显着的效果，功能窗口，显示改善衰落速率和耐久性当施加到电致变色器件sikyeoteul。

公开(公告)号：KR101811483B1

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：KR1020140077189

申请日：2014-06-24

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 오기하라,츠토무 ,  우에다,다카후미 ,  다네다,요시노리 ,  다치바나,세이이치로

IPC分类号： G03F7/11 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/0332 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0042 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0751 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02282

摘要： 본발명은미세패턴에있어서의밀착성이우수하고, 반도체장치기판이나패터닝공정에서필요한도포형유기막이나탄소를주성분으로하는 CVD막에대하여손상을미치지않는박리액으로용이하게웨트에칭가능하고, 도포공정으로형성함으로써파티클의발생을억제할수 있는 BPSG막을형성하기위한도포형 BPSG막형성용조성물을제공한다. 상기도포형 BPSG막형성용조성물은하기화학식 (1)로표시되는규산을골격으로하는구조중 1종류이상, 하기화학식 (2)로표시되는인산을골격으로하는구조중 1종류이상, 및하기화학식 (3)으로표시되는붕산을골격으로하는구조중 1종류이상을함유하는것임을특징으로한다.

摘要翻译： 本发明可以容易地湿法蚀刻半导体器件衬底或具有碳作为主要成分的CVD膜，其对于图案化工艺所需的涂覆型有机膜或碳是必需的， 本发明提供一种用于形成能够抑制粒子产生的BPSG膜形成用涂布型BPSG膜的组合物。 其中用于形成涂覆BPSG膜的组合物包含至少一种具有由下式（1）表示的硅酸盐骨架的结构，至少一种由下式（2）表示的具有磷酸酯骨架的结构： 并且由式（3）表示的硼酸为骨架的结构。

公开(公告)号：KR101810545B1

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：KR1020177009065

申请日：2015-06-04

申请人： 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이.

发明人： 박,지훈 ,  알샤리프,후삼,엔. ,  오데,이햅,엔. ,  칸,모드,에이.

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L27/1159 ,  C09D127/16 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/321 ,  H01L21/324 ,  H01L27/11507 ,  H01L29/516 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391 ,  H01L37/02 ,  H01L37/025 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/193 ,  H01L41/317 ,  H01L41/45

摘要： [0099] 본발명은강유전체장치의제조방법을기재한다. 방법은적층물을형성하기위해 2개의전도성물질사이에유기중합체강유전체층을위치시키는단계를포함한다. 상기적층물은 2-단계열처리공정을거칠수 있다. 제 1 열처리단계는유기중합체강유전성전구체를강유전성히스테리시스특성을갖는강유전성물질로변환시키고, 제 2 열처리단계는상기강유전성물질을치밀화하여강유전체장치를제조한다. 박막강유전체장치는박막강유전체커패시터, 박막강유전체트랜지스터, 또는박막강유전체다이오드를포함할수 있다.

公开(公告)号：KR1020170120516A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：KR1020170051010

申请日：2017-04-20

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 오기하라츠토무 ,  기쿠치리에

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/311 ,  H01L21/033

CPC分类号： H01L21/3081 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/325 ,  G03F7/327 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

摘要： 본발명은, 반도체장치등의제조공정에있어서, 기판상의요철패턴을메워, 저비용으로기판을고도로평탄화할수 있는유기막형성방법을제공하는것을목적으로한다. 상기목적은, 요철패턴을갖는기판상에유기막형성용조성물을회전도포하여도포막을형성한후, 이도포막을유기용제에대하여불용화처리함으로써유기막을형성하는방법으로서, 상기도포막을형성한후, 상기불용화처리전 또는상기불용화처리와동시에상기기판에진동을가하는처리를행하는것을특징으로하는유기막형성방법에의해달성된다.

摘要翻译： 本发明，在一个半导体器件的制造过程中，填充在基板上的凹凸图案，并且其目的是提供一种形成可以低成本高平坦化的基板的有机膜的方法。 形成上述的目的，通过旋转形成涂布膜涂层的组合物用于在基材上形成具有凹凸图案，通过伊覆盖膜处理的有机膜不溶性的，有机溶剂，有机膜之后，然后形成膜外涂层的方法 并且在不溶化处理之前或之后执行使衬底振动的处理。

公开(公告)号：KR1020170114953A

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：KR1020170041796

申请日：2017-03-31

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 요시다,게이스케

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02175 ,  B05C9/14 ,  B05C11/1002 ,  B05D3/0254 ,  B05D3/06 ,  C23C18/1216 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/32 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68742

摘要： 금속산화물을함유하는피막을형성할때의기포의발생을억제할수 있는기판처리방법및 기판처리장치를제공한다. 기판처리방법은, 금속산화물을함유하는화합물의용액의액막을기판의표면에형성하도록, 표면에용액을도포하는것과, 화합물의가교온도보다도낮은제1 온도에서, 액막을가열하는것과, 제1 온도에서액막을가열한후에, 금속산화물을함유하는피막을표면에형성하도록, 액막에에너지선을조사하는것을포함한다.

摘要翻译： 提供一种基板处理方法和基板处理装置，其能够抑制形成含有金属氧化物的膜时产生气泡。 的基板处理方法，包含从所形成的基板的表面上的金属氧化物的化合物的液体膜的溶液，涂布在表面haneungeot和低的第一温度低于所述化合物的交联温度的溶液中，加热该液体膜haneungeot，第一 然后用能量射线照射液体膜，以便在一定温度下加热液体膜后在表面上形成含有金属氧化物的涂膜。