公开(公告)号：KR1020130009942A

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：KR1020127011244

申请日：2011-03-28

Applicant: 그리렘 어드밴스드 머티리얼스 캄파니 리미티드

Inventor： 리,홍웨이 ,  위,뚠뽀어 ,  루어,양 ,  리,쿠어샤 ,  리,쒸팡 ,  왕,민 ,  유엔,용치앙

IPC: H01F1/059 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  C22C38/02 ,  C22C38/10 ,  C22C38/12 ,  C22C45/02

CPC classification number: H01F1/0596 ,  C22C33/0278 ,  C22C38/001 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C38/02 ,  C22C38/10 ,  C22C38/12 ,  C22C45/02 ,  Y10T428/2982

Abstract: 본 발명은 희토류 영구자석 분말, 본드자석과 그 본드자석을 포함하는 장치를 제공한다. 상기 희토류 영구자석 분말은 주로 7-12at%의 Sm, 0.1-1.5at%의 M, 10-15at%의 N, 0.1-1.5at%의 Si 및 나머지의 Fe로 구성되며, 그중 M는 Be, Cr, Al, Ti, Ga, Nb, Zr, Ta, Mo, V 중의 적어도 한가지의 원소이고, 상기 희토류 영구자석 분말의 주상은 TbCu
7 구조이다. 상기 희토류 영구자석 분말에 Si원소를 첨가함으로서 SmFe합금의 비정질 구조를 형성하는 능력을 향상시키며, 또한 일정한 양의 M원소의 첨가와 함께 합금액체의 젖음성을 향상시킴으로서 합금액체로 하여금 용융장치에서 분출되기 쉽도록 한다. 상기 희토류 영구자석 분말의 평균입경은 10-100μm이며 또한 그 희토류 영구자석 분말은 평균결정입치수가 10-120nm인 나노결정 혹은 비정질조직으로 구성된다.

公开(公告)号：KR1020090130135A

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：KR1020097023864

申请日：2008-04-25

Applicant: 아사히 가세이 가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸

Inventor： 이마오카노부요시 ,  아베마사노리 ,  나카가와다카시 ,  다다마사루

IPC: H01F1/26 ,  H01F1/14 ,  H01F1/33 ,  C01G49/00

CPC classification number: C01G49/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B21/0602 ,  C01B21/082 ,  C01G49/0018 ,  C01G49/009 ,  C01P2002/52 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/58042 ,  C04B35/5805 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62805 ,  C04B35/62897 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/465 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/666 ,  C22C45/02 ,  H01F1/0593 ,  H01F1/0596 ,  H01F1/33 ,  H01F41/0273 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/32

Abstract: Disclosed is a magnetic material for a high frequency wave which has high magnetic permeability and small eddy-current loss, particularly a magnetic material for a high frequency wave which can be used suitably in an information device which works in a high frequency field of 1 GHz or higher. Specifically disclosed is a composite magnetic material for a high frequency wave, which comprises a (rare earth element)-(iron)-(nitrogen)-based magnetic material and a (rare earth element)-(iron)-(nitrogen)-based magnetic material whose surface is coated with a ferrite magnetic material.

Abstract translation: 公开了一种具有高磁导率和小涡流损耗的高频波的磁性材料，特别是用于高频波的磁性材料，可以适用于在1GHz的高频场工作的信息装置 或更高。 具体公开了一种用于高频波的复合磁性材料，其包括（稀土元素） - （铁） - （氮）基磁性材料和（稀土元素） - （铁） - （氮）基 其表面用铁氧体磁性材料涂覆的磁性材料。

公开(公告)号：KR101758088B1

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：KR1020127011244

申请日：2011-03-28

Applicant: 그리렘 어드밴스드 머티리얼스 캄파니 리미티드

Inventor： 리,홍웨이 ,  위,뚠뽀어 ,  루어,양 ,  리,쿠어샤 ,  리,쒸팡 ,  왕,민 ,  유엔,용치앙

IPC: H01F1/059 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  C22C38/02 ,  C22C38/10 ,  C22C38/12 ,  C22C45/02

CPC classification number: H01F1/0596 ,  C22C33/0278 ,  C22C38/001 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C38/02 ,  C22C38/10 ,  C22C38/12 ,  C22C45/02 ,  Y10T428/2982

Abstract: 본발명은희토류영구자석분말, 본드자석과그 본드자석을포함하는장치를제공한다. 상기희토류영구자석분말은주로 7-12at%의 Sm, 0.1-1.5at%의 M, 10-15at%의 N, 0.1-1.5at%의 Si 및나머지의 Fe로구성되며, 그중 M는 Be, Cr, Al, Ti, Ga, Nb, Zr, Ta, Mo, V 중의적어도한가지의원소이고, 상기희토류영구자석분말의주상은 TbCu구조이다. 상기희토류영구자석분말에 Si원소를첨가함으로서 SmFe합금의비정질구조를형성하는능력을향상시키며, 또한일정한양의 M원소의첨가와함께합금액체의젖음성을향상시킴으로서합금액체로하여금용융장치에서분출되기쉽도록한다. 상기희토류영구자석분말의평균입경은 10-100μm이며또한그 희토류영구자석분말은평균결정입치수가 10-120nm인나노결정혹은비정질조직으로구성된다.

公开(公告)号：KR101250673B1

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：KR1020097023864

申请日：2008-04-25

Applicant: 아사히 가세이 가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸

Inventor： 이마오카노부요시 ,  아베마사노리 ,  나카가와다카시 ,  다다마사루

IPC: H01F1/26 ,  H01F1/14 ,  H01F1/33 ,  C01G49/00

CPC classification number: C01G49/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B21/0602 ,  C01B21/082 ,  C01G49/0018 ,  C01G49/009 ,  C01P2002/52 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/58042 ,  C04B35/5805 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62805 ,  C04B35/62897 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/465 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/666 ,  C22C45/02 ,  H01F1/0593 ,  H01F1/0596 ,  H01F1/33 ,  H01F41/0273 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/32

Abstract: 투자율이 높고, 와전류 손실이 작은 고주파용 자성 재료, 특히 1 GHz 이상의 초고주파 영역에서 기능하는 정보기기 등에도 적합하게 이용되는 고주파용 자성 재료를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 희토류-철-질소계 자성 재료 및, 표면에 페라이트계 자성 재료를 피복한 희토류-철-질소계 자성 재료를 포함하는 고주파용 복합 자성 재료이다.

公开(公告)号：KR101882632B1

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：KR1020177002332

申请日：2014-11-28

Applicant: 가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 호리우치요스케 ,  사쿠라다신야 ,  하기와라마사야 ,  고바야시츠요시 ,  고바야시다다히코

IPC: H01F1/053 ,  H01F7/02 ,  H01F41/02

CPC classification number: H01F1/053 ,  C22C1/0433 ,  C22C19/07 ,  C22C30/02 ,  C22C33/02 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/0557 ,  H01F1/0596 ,  H01F1/086 ,  H02K1/02

Abstract: 고성능의영구자석을제공한다. 조성식: RFeMCuCo(식중, R은희토류원소에서선택되는적어도 1개의원소, M은 Zr, Ti 및 Hf로이루어지는군에서선택되는적어도 1개의원소, p는 10.8≤p≤12.5원자%를만족하는수, q는 25≤q≤40원자%를만족하는수, r은 0.88≤r≤4.3원자%를만족하는수, t는 3.5≤t≤13.5원자%를만족하는수이다)로표시되는조성과, ThZn형결정상을갖는주상을포함하는금속조직을구비한다. 주상을구성하는결정립중, 10㎛이하의입경을갖는결정립의비율은 5% 이하이고, 또한자화용이축에대하여 30도이상어긋난방향으로 ThZn형결정상의 (001)면에수직한결정방위를갖는결정립의비율은 40% 이하이다.

公开(公告)号：KR1020170023163A

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：KR1020177002336

申请日：2015-03-23

Applicant: 가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 사나다나오유키 ,  사쿠라다신야

IPC: H01F1/055 ,  H01F1/01 ,  H02K15/03

CPC classification number: H01F1/0557 ,  H01F1/0556 ,  H01F1/0596 ,  H02K1/17 ,  H02K1/27 ,  H02K21/00 ,  H01F1/055 ,  H01F1/015 ,  H01F7/02 ,  H02K15/03

Abstract: 실시형태의자석재료는, RN(CrSiM)(R은 Y, La, Ce, Pr, Nd 및 Sm에서선택되는적어도 1개의원소, M은 Fe 및 Co에서선택되는적어도 1개의원소, 0.5≤x≤1.5(원자비), 0.005≤p≤0.2(원자비), 0.005≤q≤0.2(원자비), 6.0≤z≤7.5(원자비))로표현되는조성을구비한다. 자석재료의 X선회절프로파일에있어서, α-Fe상으로부터의 X선회절피크의최대강도를 I, RMN상으로부터의 X선회절피크의최대강도를 I이라했을때, 자석재료는 I/I

Abstract translation: 本发明的实施方式的磁体材料具有由R1Nx（CrpSiqM1-pq）z（其中R表示选自Y，La，Ce，Pr，Nd和Sm中的至少一种元素）表示的组成，M表示至少一种 元素选自Fe和Co;0.5≤x≤1.5（原子比）;0.005≤p≤0.2（原子比）;0.005≤q≤0.2（原子比）和6.0≤z≤7.5（原子比））。 如果在磁体材料的X射线衍射图中，Iα-Fe是α-Fe相的X射线衍射峰的最大强度，I2-17-3是X射线的最大强度 衍射峰从R2M17N3相，然后磁体材料满足条件Iα-Fe / I2-17-3 <0.05。

公开(公告)号：KR1020170021878A

公开(公告)日：2017-02-28

申请号：KR1020177002333

申请日：2015-03-23

Applicant: 가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 사나다나오유키 ,  사쿠라다신야 ,  호리우치요스케 ,  하기와라마사야 ,  엔도마사키 ,  데라다다카히로 ,  치카오카히데오

IPC: H01F1/053 ,  H01F7/02 ,  H01F41/02 ,  H02K1/02 ,  C22C19/07 ,  C22C30/02 ,  H01F1/08

CPC classification number: H01F41/0266 ,  B22F3/003 ,  B22F3/16 ,  B22F3/24 ,  B22F2003/248 ,  B22F2301/355 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C21D1/00 ,  C21D1/26 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C38/10 ,  C22C38/14 ,  C22C38/16 ,  F27B5/04 ,  F27B5/13 ,  F27D15/02 ,  H01F1/0536 ,  H01F1/0557 ,  H01F1/0596 ,  H02K1/02 ,  H02K1/276 ,  H02K1/2766 ,  H02K15/03 ,  H02K21/00 ,  B22F3/087 ,  B22F3/10 ,  B22F2203/03 ,  B22F2203/11 ,  B22F2202/05

Abstract: 고성능의영구자석을제공한다. 온도 T로열처리를행하는공정과, 제1층과, 제1층상에형성된제2층을갖는냉각부재를피처리체측에제1층이위치하도록냉각부재를가열체와피처리체의사이에배치하는공정과, 냉각부재와함께피처리체를가열실의외부로반출하고, 피처리체의온도가온도 T-200℃보다낮은온도로될 때까지피처리체를냉각하는공정을구비하는용체화처리를행한다. 피처리체를냉각하는공정에있어서, 피처리체의온도가온도 T-200℃로될 때까지의냉각속도는 5℃/s 이상이다.

Abstract translation: 提供高性能永磁体。 并且具有形成在第一层上的第一层和第二层的冷却构件设置在加热体和待处理物体之间，使得第一层位于物体侧 以及将待加工物体与冷却构件一起放置到加热室外部并冷却待加工物体直到物体的温度变得低于温度T-200占据的温度的步骤。 在待处理物体冷却的步骤中，待处理物体的温度达到温度T-200占用的冷却速度为5m / s以上。

公开(公告)号：KR101883608B1

公开(公告)日：2018-07-30

申请号：KR1020177002333

申请日：2015-03-23

Applicant: 가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 사나다나오유키 ,  사쿠라다신야 ,  호리우치요스케 ,  하기와라마사야 ,  엔도마사키 ,  데라다다카히로 ,  치카오카히데오

IPC: H01F1/053 ,  H01F7/02 ,  H01F41/02 ,  H02K1/02 ,  C22C19/07 ,  C22C30/02 ,  H01F1/08

CPC classification number: H01F41/0266 ,  B22F3/003 ,  B22F3/16 ,  B22F3/24 ,  B22F2003/248 ,  B22F2301/355 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C21D1/00 ,  C21D1/26 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C38/10 ,  C22C38/14 ,  C22C38/16 ,  F27B5/04 ,  F27B9/12 ,  F27B9/38 ,  F27B9/39 ,  F27B17/0016 ,  F27B2009/3066 ,  F27D3/0024 ,  F27D15/00 ,  H01F1/0536 ,  H01F1/0557 ,  H01F1/0596 ,  H02K1/02 ,  H02K1/276 ,  H02K1/2766 ,  H02K15/03 ,  H02K21/00 ,  B22F3/087 ,  B22F3/10 ,  B22F2203/03 ,  B22F2203/11 ,  B22F2202/05

Abstract: 고성능의영구자석을제공한다. 온도 T로열처리를행하는공정과, 제1층과, 제1층상에형성된제2층을갖는냉각부재를피처리체측에제1층이위치하도록냉각부재를가열체와피처리체의사이에배치하는공정과, 냉각부재와함께피처리체를가열실의외부로반출하고, 피처리체의온도가온도 T-200℃보다낮은온도로될 때까지피처리체를냉각하는공정을구비하는용체화처리를행한다. 피처리체를냉각하는공정에있어서, 피처리체의온도가온도 T-200℃로될 때까지의냉각속도는 5℃/s 이상이다.

公开(公告)号：KR1020170021877A

公开(公告)日：2017-02-28

申请号：KR1020177002332

申请日：2014-11-28

Applicant: 가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 호리우치요스케 ,  사쿠라다신야 ,  하기와라마사야 ,  고바야시츠요시 ,  고바야시다다히코

IPC: H01F1/053 ,  H01F7/02 ,  H01F41/02

CPC classification number: H01F1/053 ,  C22C1/0433 ,  C22C19/07 ,  C22C30/02 ,  C22C33/02 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/0557 ,  H01F1/0596 ,  H01F1/086 ,  H02K1/02

Abstract: 고성능의영구자석을제공한다. 조성식: RFeMCuCo(식중, R은희토류원소에서선택되는적어도 1개의원소, M은 Zr, Ti 및 Hf로이루어지는군에서선택되는적어도 1개의원소, p는 10.8≤p≤12.5원자%를만족하는수, q는 25≤q≤40원자%를만족하는수, r은 0.88≤r≤4.3원자%를만족하는수, t는 3.5≤t≤13.5원자%를만족하는수이다)로표시되는조성과, ThZn형결정상을갖는주상을포함하는금속조직을구비한다. 주상을구성하는결정립중, 10㎛이하의입경을갖는결정립의비율은 5% 이하이고, 또한자화용이축에대하여 30도이상어긋난방향으로 ThZn형결정상의 (001)면에수직한결정방위를갖는결정립의비율은 40% 이하이다.

Abstract translation: 提供高性能永磁体。 组成式：RFeMCuCo（其中，从类元素选择的R爱丽丝的至少一种元素，至少一种元素选自由Zr，Ti和Hf组成的组选择的M，p是满足原子％10.8≤p≤12.5的数。 q是满足25≤q≤40原子％的数，r是满足0.88≤r≤4.3原子％的数，而t是通过满足一个3.5≤t≤13.5原子％，ThZn数字）表示的组成 并且包括具有晶相的柱状相的金属结构。 构成主相的晶粒，并具有小于10㎛的晶粒尺寸的晶粒的比率为5％或更小，且易磁化方向相对于偏离超过30度到具有垂直于（001）晶体取向的轴线平面上的型晶体ThZn 晶粒的比例为40％以下。

公开(公告)号：KR100524340B1

公开(公告)日：2005-10-28

申请号：KR1020037013844

申请日：2002-04-24

Applicant: 아사히 가세이 가부시키가이샤

Inventor： 가끼모또,에쯔지 ,  도께,기요따까 ,  시바사끼,이찌로 ,  이마오까,노부요시 ,  지바,아끼라

IPC: H01F1/053

CPC classification number: H01F41/0273 ,  B01J3/08 ,  B22F3/08 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C22C38/001 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  H01F1/0596 ,  B22F2202/05 ,  B22F3/087 ,  B22F2201/05

Abstract: 본 발명은, 능면체정 또는 육방정의 결정 구조를 갖는 희토류-철-질소계 자성 재료 분체에 수소를 함유시켜, 자장 중 또는 무자장에서 압분 성형체로 만든 후, 수중 충격파를 이용하여 충격 압축 고화시키고, 충격 압축이 갖는 초고압 전단성, 활성 작용, 단시간 현상 등의 특징을 살려서, 충격 압축 후의 잔류 온도를 R-Fe-NH계 자성 재료의 분해 온도(상압에서 약 600 ℃) 이하로 억제하여 분해를 막음으로써, R-Fe-NH계 자성 재료를 주로 포함하는 자석용 고형 재료를 얻는다.