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公开(公告)号：KR102337406B1
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：KR1020140175659
申请日：2014-12-09
摘要： 본발명의일 측면에서, 일실시예는, 조성식 AxMFy:Mn4+로표시되는불화물입자들을포함하며, 상기조성식에서 A는 Li, Na, K, Rb 및 Cs로구성된그룹으로부터선택된적어도 1종이며, M은 Si, Ti, Zr, Hf, Ge 및 Sn로구성된그룹으로부터선택된적어도 1종이며, A의조성비(x)는 2 ≤ x ≤ 3을만족하고, F의조성비(y)는 4 ≤ y ≤ 7을만족하며, 상기불화물입자들은각각 Mn을함유하지않는불화물(Mn-free fluoride)로코팅되며, 상기 Mn을함유하지않는불화물코팅은상기코팅된불화물입자의크기(D)의 35% 이하의두께를갖는불화물형광체를제공한다.
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公开(公告)号：KR102331836B1
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：KR1020167026274
申请日：2015-02-25
摘要： 본발명은고휘도의적색발광을실현하는것이가능한 Mn4+ 부활복불화물형광체의입자표면을개질함으로써내습성을개선한형광체와이러한형광체를이용함으로써연색성과안정성이우수한발광소자및 발광장치에관한것이다. 본발명에관한형광체는일반식: A2MF6:Mn4+로나타나고, 원소 A는적어도 K를함유하는알칼리금속원소이며, 원소 M은 Si, Ge, Sn, Ti, Zr 및 Hf에서선택되는 1종이상의금속원소이고, F는불소이며, Mn은망간인형광체로서, Ca를 20ppm 이상 10000ppm 이하또는 Cl을 20ppm 이상 300ppm 이하의농도범위에서함유하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020210031874A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：KR1020210028153
申请日：2021-03-03
申请人： 서울반도체 주식회사
摘要： 본발명에따른발광다이오드패키지는하우징; 상기하우징에배치되는적어도하나의발광다이오드칩; 상기적어도하나의발광다이오드칩과이격되어배치되는적어도하나의형광체플레이트; 및상기적어도하나의발광다이오드칩과상기적어도하나의형광체플레이트사이에배치되는몰딩부를포함하되, 상기발광다이오드칩 및상기형광체플레이트에서방출되는광의합성에의해백색광이형성되고, 상기형광체플레이트는상기적어도하나의발광다이오드칩에의해여기되어녹색광을방출하는제 1 형광체및 상기적어도하나의발광다이오드칩에의해여기되어적색광을방출하는제2 형광체를포함하되, 상기제1형광체및 제2형광체는양자점형광체이며, 상기형광체플레이트는상기몰딩부보다높은경도를가진다.
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公开(公告)号：KR102185621B1
公开(公告)日：2020-12-02
申请号：KR20167022445
申请日：2015-01-15
摘要： 하기식 (1) A2MF6:Mn(1) (M은 Si, Ti, Zr, Hf, Ge 및 Sn으로부터선택되는 1종또는 2종이상의 4가원소, A는 Li, Na, K, Rb 및 Cs로부터선택되며, 또한적어도 Na 및/또는 K를포함하는 1종또는 2종이상의알칼리금속)로표시되는 Mn 부활복불화물인적색형광체를제조하는방법이며, 반응원료로서하기식 (2) A2MF6(2) (M, A는상기한바와같음)로표시되는복불화물의고체와, 하기식 (3) A2MnF6(3) (A는상기한바와같음)으로표시되는망가니즈화합물의고체를혼합하고, 100℃이상 500℃이하에서가열하는 Mn 부활복불화물형광체의제조방법에관한것으로서, 본발명에의하면, 주공정에불화수소산을사용하지않고, 발광특성이좋은 Mn 부활복불화물형광체가얻어진다.
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公开(公告)号：KR1020170085168A
公开(公告)日：2017-07-24
申请号：KR1020160004250
申请日：2016-01-13
申请人： 삼성전자주식회사
CPC分类号： C09K11/617 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 본발명의실시예에따른불화물계형광체제조방법은, 화학식 AMF:Mn로표시되는불화물계형광체제조방법으로서, AMF를포함하는제1 원료및 AF 또는 AHF를포함하는제2 원료를혼합하여제1 혼합물을형성하는단계, 제1 혼합물에소결조제를혼합하여제2 혼합물을형성하는단계, 및제2 혼합물을소성하는단계를포함한다. 화학식에서, A는 Li, Na, K, Rb, Cs 중선택된적어도 1종이며, M은 Si, Ti, Zr, Hf, Ge 및 Sn 중선택된적어도 1종이다.
摘要翻译： 一种生产由锰，第二材料包括第一材料和AF或AHF含AMF第一混合物表示基于氟化物的磷光体的方法：生产根据本发明，式AMF的实施例的基于氟化物的磷光体的方法 形成混合物，将第一混合物与烧结助剂混合以形成第二混合物，其次，烧制混合物。 在该式中，A是选自Li，Na，K，Rb和Cs中的至少一种，M是选自Si，Ti，Zr，Hf，Ge和Sn中的至少一种。
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公开(公告)号：KR101752938B1
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：KR1020127009206
申请日：2010-10-14
申请人： 로이히슈토프베르크 브라이퉁엔 게엠베하
CPC分类号： C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/0838 , C09K11/576 , C09K11/7734 , Y10T428/2991 , Y10T428/2993
摘要： 본발명은장기간안정성을개선한알칼리토금속실리케이트발광체와, 알칼리토금속실리케이트발광체의장기간안정성을개선하기위한방법에관한것이다. 본발명에따른발광체는일반적인화학식 EASiO, 여기서 x, y, z > 0에따른기본격자(base lattice)를가진다. 성분 EA는하나이상의알칼리토금속에의해형성된다. 예를들어, Eu또는 Mn과같은활성제는기본격자에도핑된다. 또한몇 몇공동활성제또는감광제와마찬가지로몇 몇활성제를기본격자에도핑하는것도가능하다. 본발명에따른발광체는그레인의형태로설계된다. 발광체의결정의표면은그레인의표면상의일부분을일반화학식 EAZ의화학화합물에의해형성해서그레인의표면상을화학적으로개질되어진다. Z는발광체의 EA의양이온과화학적으로조합될수 있는음이온에의해형성된다. 변수 u 는음이온 Z의하나의이온전하와동일하다. 그러므로화학개질은코팅이아니다.
摘要翻译： 本发明涉及具有改善的长期稳定性的碱土金属硅酸盐发光体和提高碱土硅酸盐发光体长期稳定性的方法。 根据本发明的磷光体具有通式EASiO，其中x，y，z> 0是基础晶格。 组分EA由一种或多种碱土金属形成。 例如，将诸如Eu或Mn之类的活化剂掺入基础晶格中。 与一些共激活剂或光敏剂一样，也可以将一些活性剂掺入基础晶格中。 根据本发明的发光体被设计成谷物的形式。 通过通式为EAZ的化合物在表面上形成颗粒的一部分，发射体晶体的表面被化学改性在颗粒表面上。 Z由能够与磷光体的EA的阳离子化学结合的阴离子形成。 变量u等于阴离子Z的离子电荷。 因此，化学改性不是涂层。
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公开(公告)号：KR1020170073360A
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：KR1020150182164
申请日：2015-12-18
申请人： 엘지이노텍 주식회사
IPC分类号： H01L33/50 , C09K11/57 , F21K99/00 , F21Y101/02 , H01L33/52
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 실시예는형광체및 이를포함하는발광소자에관한것이다. 실시예에개시된발광소자는, 발광칩; 상기발광칩으로부터방출된광을여기파장으로하여제1피크파장을발광하는제1형광체; 상기발광칩으로부터방출된광을여기파장으로하여제2피크파장을발광하는제2형광체를포함하며, 상기제1형광체는녹색형광체를포함하며, 상기제2형광체는, 2가금속(M), 휘토류원소(A), 플루오린(F, Fluorine or Fluor)와산소(O)를갖는 MDOF:A구조의형광체조성물을포함하며, 상기 x는 0.001 ≤ x ≤ 0.1를만족하며, y는 1 ≤ y ≤5를만족하며, 상기 M은 Mg, Ca, Sr, Ba, Zn 중적어도하나이며, 상기 D는 Si, Ge Sn, Ti, Zr, Hf 중적어도하나이며, 상기 F는풀루오린(Fluorine)이며, 상기 A는 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 중적어도하나를포함하며, 상기제2형광체로부터방출된제2피크파장은, 655nm 내지 670nm의피크파장을가지며, 20nm 이하의반치폭을갖는다.
摘要翻译： 一个实施方式涉及荧光体和包括该荧光体的发光装置。 该实施例中公开的发光器件包括发光芯片; 第一荧光体，其以从发光芯片发射的光作为激发波长发射第一峰值波长; 发光，并从芯片的激发波长和发射具有第二峰值波长，其中其特征在于，所述第一磷光体包括绿色荧光体，所述第二荧光体是二价金属（M）的光的第二荧光体发出的光， （A），氟（F）和氧（O），其中x满足0.001≤x≤0.1且y满足1≤ 满足y≤5，并且其中M为镁，钙，锶，钡，锌至少一种普遍，其中d是硅，锗锡，钛，锆，铪的至少一个普遍时，F被切掉霉（氟） 并且，a是第二峰值波长从第二荧光材料发射，包括锰，铈，镨，钕，钐，铕，铽，镝，钬，铒，铥，镱一个甚至普遍是，等于655nm至 峰值波长为670nm，半宽度为20nm以下。
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公开(公告)号：KR1020170073350A
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：KR1020150182149
申请日：2015-12-18
申请人： 엘지이노텍 주식회사
摘要： 실시예는형광체및 이를포함하는발광소자에관한것이다. 실시예에따른형광체는, 2가금속(M), 휘토류활성제의원소(A), 플루오린(F, Fluorine or Fluor)와산소(O)를함유하는 MDOF:A구조의형광체조성물을포함하며, 상기 x는 0.001 ≤ x ≤ 0.1를만족하며, y는 1 ≤ y ≤5를만족하며, 상기 M은 Mg, Ca, Sr, Ba, Zn 중적어도하나이며, 상기 D는 Si, Ge Sn, Ti, Zr, Hf 중적어도하나이며, 상기 F는풀루오린(Fluorine)이며, 상기 A는 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 중적어도하나를포함하며, 상기형광체의조성물은 400nm 내지 470nm의피크파장을자외선또는청색파장을여기파장으로하여적색광을방출하며, 상기적색광은 655nm 내지 670nm의피크파장을가지며, 20nm 이하의반치폭을갖는다.
摘要翻译： 一个实施方式涉及荧光体和包括该荧光体的发光装置。 根据本实施例的荧光体是含有金属（M）中，经类活化剂的元素（A），氟（F，氟或氟）和氧（O）的二价多自由度：包含阿结构的磷光体组合物 其中x满足0.001≤x≤0.1且y满足1≤Y≤5，其中M是Mg，Ca，Sr，Ba和Zn中的至少一种，并且D是Si，Ge，Sn，Ti Zr和Hf，F是氟，A是Mn，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Tb，Dy，Ho，Er，Tm和Yb中的一种。 并且，该荧光体的组成，并发射红色光为400nm的峰值波长到470nm的紫外光或蓝色波长作为激发波长和红光具有等于655nm至670nm处的峰值波长，并且具有小于20nm的半值宽度。
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公开(公告)号：KR1020170044043A
公开(公告)日：2017-04-24
申请号：KR1020160132658
申请日：2016-10-13
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
CPC分类号： C09K11/617
摘要： [해결수단] 하기식 (1) KMF:Mn (1) (식중 M은 Si, Ti, Zr, Hf, Ge 및 Sn으로부터선택되는 1종또는 2종이상의 4가원소이며, Si를반드시포함한다) 로표시되는 Mn 부활복불화물인적색형광체에, KMnF의고체를혼합하여, 바람직하게는 KMnF의고체와, 하기식 (2) AF·nHF (2) (식중 A는 Li, Na, K, Rb 및 NH로부터선택되는, 1종또는 2종이상의알칼리금속또는암모늄이며 K를반드시포함하고, n은 0.7 이상 4 이하의수이다) 로표시되는불화수소염을고체로혼합하고, 100℃이상 500℃이하에서가열하는것을특징으로하는 Mn 부활복불화물형광체의제조방법. [효과] 본발명에따르면, 망간부활복불화물적색형광체중 종래보다도목적으로하는적색을얻는데 필요한소요량이적어도되는형광체가얻어진다.
摘要翻译： [解决问题的手段]式（1）KMF：锰（1）（其中M是选自Si，Ti，锆，铪，Ge和Sn元素中选择的元件上的一种或24，必须包括Si） 的红色荧光体是由KMnF拟古的混合物表示，优选Mn活化服装氟乙烯和KMnF拟古式（2）AF·nHF的（2）（其中a为选自Li，Na，K，Rb和NH 碱金属或上的一个或两个或更多个种铵，选择，并且必须包括K，且n是从100混合并加热的范围℃500由0.7或大于4的数目，为固体表示）℃氟化物火焰 其中Mn激活的双氟磷酸盐磷光体是通过包括以下步骤的方法生产的： [效果]根据本发明，在锰活化的双氟化物红色荧光体中，获得需要获得用于该目的的红色的荧光体。
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