가돌리늄-갈륨 가넷 신틸레이터에서 갈륨 함량을 조절하는 방법
    7.
    发明公开
    가돌리늄-갈륨 가넷 신틸레이터에서 갈륨 함량을 조절하는 방법 审中-实审
    如何控制钆镓石榴石闪烁体中的镓含量

    公开(公告)号:KR1020170070811A

    公开(公告)日:2017-06-22

    申请号:KR1020160161271

    申请日:2016-11-30

    摘要: 본발명은하기화학식(1)의조성을갖는분말을제조하고; 분말을산소함유대기하에 500 내지 1700℃의온도로가열하여결정성신틸레이터(crystalline scintillator)를제조하는것을포함하는방법에관한것이다:상기식에서, O는산소를나타내고, M, M, M, 및 M는서로상이한제1, 제2, 제3, 및제4 금속을나타내며, a + b + c+ d의합은약 8이고, 여기서 "a"는약 2 내지약 3.5의값을갖고, "b"는 0 내지약 5의값을갖고, "c"는 0 내지약 5의값을갖고, "d"는 0 내지약 1의값을갖고, "b" 및 "c", "b" 및 "d" 또는 "c" 및 "d"는둘 모두가동시에 0이될 수없고, M은가돌리늄(gadolinium), 이트륨(yttrium), 루테튬(lutetium), 스칸듐(scandium) 또는이들의조합물을포함하는희토류원소이고, M는알루미늄(aluminum) 또는붕소(boron)이고, M은갈륨(gallium)이고, M는코도펀트(codopant)이다.

    摘要翻译: 本发明涉及一种制备具有由下式(1)表示的组成的粉末的方法; 在含氧气氛下将粉末加热至500-1700℃的温度以产生结晶闪烁体,其中O代表氧和M,M,M和 B“表示0至约5的整数。术语”a“具有约2至约3.5的值,并且”b“ ,“b”,“b”和“d”或“c”,和“c” M是包括钆,钇,l,钪或其组合的稀土元素,并且M是铝( 铝或硼,M是镓,M是共掺杂剂。

    그래핀의 대면적 증착 및 도핑과 이를 포함하는 제품
    8.
    发明授权
    그래핀의 대면적 증착 및 도핑과 이를 포함하는 제품 有权
    大面积沉积和包括其中的石墨和产品的沉淀

    公开(公告)号:KR101698228B1

    公开(公告)日:2017-01-19

    申请号:KR1020127005794

    申请日:2010-07-22

    摘要: 본발명의어떤구체예는투명전도성코팅으로그래핀을사용하는것에관한것이다. 어떤구체예에서는, 그래핀박막은촉매박막상에서 CH, CH등과같은탄화수소가스로부터대면적이형-에피택셜성장한것이다. 어떤구체예에서의그래핀박막은도핑되거나도핑되지않을수 있다. 어떤구체예에서는, 형성된그래핀박막이캐리어기판으로부터박리되고중간또는최종제품의수용기판으로이전될수 있다. 성장하여박리및 이전된그래핀은낮은면저항 (예를들어, 도핑시 150 Ω/□미만)과높은투광도 (예를들어, 적어도가시광선및 적외선영역에서의)를가질수 있다.

    摘要翻译: 本发明的某些示例性实施方案涉及石墨烯作为透明导电涂层(TCC)的用途。 在某些示例性实施例中,在烃类气体(例如C 2 H 2,CH 4等)上在异质外延(例如在催化剂薄膜上)大面积生长的石墨烯薄膜。 某些示例性实施例的石墨烯薄膜可以是掺杂的或未掺杂的。 在某些示例性实施例中,一旦形成的石墨烯薄膜可以从它们的载体基底上剥离并转移到接收基底,例如包含在中间或最终产品中。 以这种方式生长,提升和转​​移的石墨烯可能表现出低的薄层电阻(例如,当掺杂时小于150欧姆/平方和较低)和高透射率值(例如,至少在可见光和红外光谱中)。

    양성자 교환에 의한 박층의 이동 방법
    10.
    发明授权
    양성자 교환에 의한 박층의 이동 방법 有权
    通过PROTON EXCHANGE传输薄层的方法

    公开(公告)号:KR101612141B1

    公开(公告)日:2016-04-12

    申请号:KR1020107025478

    申请日:2009-04-10

    IPC分类号: C30B31/04 C30B33/02 G02B6/10

    摘要: 리튬계출발기재의자유면을통해상기기재와산인제1 전해질간에양성자를교환하여, 깊이 e1까지상기기재의리튬이온을 10% 내지 80%의비율로양성자로대체하는, 양성자교환단계, 상기자유면을통해상기기재와제2 전해질간에양성자를역교환하여, 제1 깊이 e1 미만의제2 깊이 e2까지적어도거의모든양성자를리튬이온으로대체하고상기양성자교환단계동안혼입된양성자가여전히존재하는깊이 e1과깊이 e2 사이의중간층을생성하고, 여기서, 깊이 e2는상기자유면과중간층사이의박층으로규정되는것인, 양성자역교환단계, 상기중간층을취약화시키는데적합한조건하에열 처리를수행하는단계및 상기중간층에서기재의나머지부분으로부터상기박막의분리를일으키기에적합한분리단계를 포함하는, 리튬계출발기재로부터박층을이동시키는방법이개시된다.