公开(公告)号：TW202030859A

公开(公告)日：2020-08-16

申请号：TW108137820

申请日：2019-10-21

申请人： 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 立爾 托爾斯滕 ,  LILL, THORSTEN ,  沈 美華 ,  SHEN, MEIHUA ,  黃 約翰 ,  HOANG, JOHN ,  吳 惠榮 ,  WU, HUI-JUNG ,  古納萬 葛雷 ,  GUNAWAN, GERENG ,  潘 陽 ,  PAN, YANG

IPC分类号： H01L27/105 ,  G11C11/34

摘要： 一種三維記憶體結構包含記憶體單元、複數氧化物層及複數字線層。該複數氧化物層及該複數字線層在第一方向上交替堆疊。複數雙通道孔在第一方向上延伸貫穿該複數氧化物層及該複數字線層。該複數雙通道孔在與第一方向垂直的第二方向上具有呈花生狀的剖面。

简体摘要： 一种三维内存结构包含内存单元、复数氧化物层及复数字线层。该复数氧化物层及该复数字线层在第一方向上交替堆栈。复数双信道孔在第一方向上延伸贯穿该复数氧化物层及该复数字线层。该复数双信道孔在与第一方向垂直的第二方向上具有呈花生状的剖面。