公开(公告)号：TW202030859A

公开(公告)日：2020-08-16

申请号：TW108137820

申请日：2019-10-21

申请人： 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 立爾 托爾斯滕 ,  LILL, THORSTEN ,  沈 美華 ,  SHEN, MEIHUA ,  黃 約翰 ,  HOANG, JOHN ,  吳 惠榮 ,  WU, HUI-JUNG ,  古納萬 葛雷 ,  GUNAWAN, GERENG ,  潘 陽 ,  PAN, YANG

IPC分类号： H01L27/105 ,  G11C11/34

摘要： 一種三維記憶體結構包含記憶體單元、複數氧化物層及複數字線層。該複數氧化物層及該複數字線層在第一方向上交替堆疊。複數雙通道孔在第一方向上延伸貫穿該複數氧化物層及該複數字線層。該複數雙通道孔在與第一方向垂直的第二方向上具有呈花生狀的剖面。

简体摘要： 一种三维内存结构包含内存单元、复数氧化物层及复数字线层。该复数氧化物层及该复数字线层在第一方向上交替堆栈。复数双信道孔在第一方向上延伸贯穿该复数氧化物层及该复数字线层。该复数双信道孔在与第一方向垂直的第二方向上具有呈花生状的剖面。

公开(公告)号：TW201842573A

公开(公告)日：2018-12-01

申请号：TW107105182

申请日：2018-02-13

申请人： 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 游 正義 ,  YU, JENGYI ,  陳 暹華 ,  TAN, SAMANTHA ,  姜 瑜 ,  JIANG, YU ,  吳 惠榮 ,  WU, HUI-JUNG ,  威茲 理查 ,  WISE, RICHARD ,  潘 陽 ,  PAN, YANG ,  莎瑪 納德 ,  SHAMMA, NADER ,  佛洛斯基 博里斯 ,  VOLOSSKIY, BORIS

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/8258

摘要： 錫氧化物膜係用作半導體元件製造中的間隔件及硬遮罩。在一方法中，錫氧化物層係保形地形成於基板上之凸起特徵部的側壁及水平表面上方。然後，鈍化層係形成於側壁上之錫氧化物上方，以及然後從凸起特徵部的水平表面移除錫氧化物，而不移除凸起特徵部之側壁處的錫氧化物。然後，移除凸起特徵部的材料，同時留下位於凸起特徵部之側壁處的錫氧化物，從而形成錫氧化物間隔件。基於氫及基於氯的乾式蝕刻化學成分係用以於存在諸多材料的情況下，選擇性地蝕刻錫氧化物。在另一方法中，圖案化錫氧化物硬遮罩層係藉由在未經圖案化之錫氧化物上方形成圖案化層、並且將圖案轉移至錫氧化物而形成於基板上。

简体摘要： 锡氧化物膜系用作半导体组件制造中的间隔件及硬遮罩。在一方法中，锡氧化物层系保形地形成于基板上之凸起特征部的侧壁及水平表面上方。然后，钝化层系形成于侧壁上之锡氧化物上方，以及然后从凸起特征部的水平表面移除锡氧化物，而不移除凸起特征部之侧壁处的锡氧化物。然后，移除凸起特征部的材料，同时留下位于凸起特征部之侧壁处的锡氧化物，从而形成锡氧化物间隔件。基于氢及基于氯的干式蚀刻化学成分系用以于存在诸多材料的情况下，选择性地蚀刻锡氧化物。在另一方法中，图案化锡氧化物硬遮罩层系借由在未经图案化之锡氧化物上方形成图案化层、并且将图案转移至锡氧化物而形成于基板上。

公开(公告)号：TWI665760B

公开(公告)日：2019-07-11

申请号：TW104120873

申请日：2015-06-29

申请人： 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 吳 惠榮 ,  WU, HUI-JUNG ,  尼斯利 湯瑪斯 喬瑟夫 ,  KNISLEY, THOMAS JOSEPH ,  珊卡 納葛 ,  SHANKAR, NAGRAJ ,  沈 美華 ,  SHEN, MEIHUA ,  黃 約翰 ,  HOANG, JOHN ,  沙瑪 普力圖 ,  SHARMA, PRITHU

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455

公开(公告)号：TW201614770A

公开(公告)日：2016-04-16

申请号：TW104120873

申请日：2015-06-29

申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 吳 惠榮 ,  WU, HUI-JUNG ,  尼斯利 湯瑪斯 喬瑟夫 ,  KNISLEY, THOMAS JOSEPH ,  珊卡 納葛 ,  SHANKAR, NAGRAJ ,  沈 美華 ,  SHEN, MEIHUA ,  黃 約翰 ,  HOANG, JOHN ,  沙瑪 普力圖 ,  SHARMA, PRITHU

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L21/32136 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/32138 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本文提供透過消去式蝕刻與襯墊沉積方法來製造金屬內連線、線路、或穿孔的方法與技術。 方法涉及沉積全面性銅層；將部分的該全面性銅層移除，以形成圖案；對已圖案化的金屬進行處理；沉積銅-介電質介面材料，使得該銅-介電質介面材料僅吸附於該已圖案化的銅上；在基板上沉積介電質阻障層；以及在基板上沉積介電質主體層。

简体摘要： 本文提供透过消去式蚀刻与衬垫沉积方法来制造金属内连接、线路、或穿孔的方法与技术。 方法涉及沉积全面性铜层；将部分的该全面性铜层移除，以形成图案；对已图案化的金属进行处理；沉积铜-介电质界面材料，使得该铜-介电质界面材料仅吸附于该已图案化的铜上；在基板上沉积介电质阻障层；以及在基板上沉积介电质主体层。

公开(公告)号：TW201614769A

公开(公告)日：2016-04-16

申请号：TW104120661

申请日：2015-06-26

申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 茂希爾 湯瑪士 韋勒 ,  MOUNTSIER, THOMAS WELLER ,  吳 惠榮 ,  WU, HUI-JUNG ,  凡拉德拉彥 巴德里N ,  VARADARAJAN, BHADRI N. ,  珊卡 納葛 ,  SHANKAR, NAGRAJ ,  李 威廉T ,  LEE, WILLIAM T.

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76831 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 將介電擴散阻障層沉積於一基板上，該基板具有蝕刻於暴露的層間介電層中的穿孔以及上覆的凹槽，其中在該穿孔的底部，有來自下層內連線的暴露的金屬。為了提供從下層的金屬化層到形成於其上方的金屬化層之傳導路徑，將該介電擴散阻障層選擇性形成在該層間介電層上，而非在該穿孔的底部之暴露的金屬上。在一範例中，使用遠端電漿沉積以及含有矽與氮原子兩者的前驅物，來將介電SiCN擴散阻障層選擇性沉積在該層間介電層上。大致上，可在該層間介電層上選擇性形成具有介電常數介於約3.0-20.0的多種介電擴散阻障層之材料。

简体摘要： 将介电扩散阻障层沉积于一基板上，该基板具有蚀刻于暴露的层间介电层中的穿孔以及上覆的凹槽，其中在该穿孔的底部，有来自下层内连接的暴露的金属。为了提供从下层的金属化层到形成于其上方的金属化层之传导路径，将该介电扩散阻障层选择性形成在该层间介电层上，而非在该穿孔的底部之暴露的金属上。在一范例中，使用远程等离子沉积以及含有硅与氮原子两者的前驱物，来将介电SiCN扩散阻障层选择性沉积在该层间介电层上。大致上，可在该层间介电层上选择性形成具有介电常数介于约3.0-20.0的多种介电扩散阻障层之材料。