無電解鎳鍍敷浴
    6.
    发明专利
    無電解鎳鍍敷浴 审中-公开
    无电解镍镀敷浴

    公开(公告)号:TW201710550A

    公开(公告)日:2017-03-16

    申请号:TW105119316

    申请日:2016-06-20

    IPC分类号: C23C18/36 H05K3/22

    摘要: 本發明之課題為提供可得到良好的彎曲性,即使在應力施加的部分亦不易產生龜裂,並且沒有無鍍敷之疑慮的無電解鎳鍍敷浴。 本發明之解決手段為,本發明之無電解鎳鍍敷浴係含有以下述(1)式所表示之包含硫的苯并噻唑系化合物。 式中,X係碳數為2以上之烷基,或其鹽,X係可具有取代基。

    简体摘要: 本发明之课题为提供可得到良好的弯曲性,即使在应力施加的部分亦不易产生龟裂,并且没有无镀敷之疑虑的无电解镍镀敷浴。 本发明之解决手段为,本发明之无电解镍镀敷浴系含有以下述(1)式所表示之包含硫的苯并噻唑系化合物。 式中,X系碳数为2以上之烷基,或其盐,X系可具有取代基。

    用於鈷合金無電沈積之鹼性鍍浴
    7.
    发明专利
    用於鈷合金無電沈積之鹼性鍍浴 审中-公开
    用于钴合金无电沉积之碱性镀浴

    公开(公告)号:TW201339364A

    公开(公告)日:2013-10-01

    申请号:TW102103193

    申请日:2013-01-28

    IPC分类号: C23C18/36 C23C18/50

    CPC分类号: C23C18/50 C23C18/1633

    摘要: 本發明係關於用於三元及四元鈷合金Co-M-P、Co-M-B及Co-M-B-P之無電沈積的水性鹼性鍍浴組合物,其中M係選自由Mn、Zr、Re、Mo、Ta及W組成之群,該組合物包含炔丙基衍生物作為穩定劑。自其衍生之鈷合金層適用作諸如半導體裝置、印刷電路板及IC基板之電子裝置中之障壁層及頂蓋層。

    简体摘要: 本发明系关于用于三元及四元钴合金Co-M-P、Co-M-B及Co-M-B-P之无电沉积的水性碱性镀浴组合物,其中M系选自由Mn、Zr、Re、Mo、Ta及W组成之群,该组合物包含炔丙基衍生物作为稳定剂。自其衍生之钴合金层适用作诸如半导体设备、印刷电路板及IC基板之电子设备中之障壁层及顶盖层。

    無電鎳鍍覆方法
    9.
    发明专利
    無電鎳鍍覆方法 审中-公开
    无电镍镀覆方法

    公开(公告)号:TW201817914A

    公开(公告)日:2018-05-16

    申请号:TW106116113

    申请日:2017-05-16

    IPC分类号: C23C18/36 B22F1/02 B22F9/24

    摘要: 本發明提供一種無電鎳鍍覆方法,其係將附著有銀粒子等的金屬粒子(M)、與具有陰離子性基、聚伸烷基亞胺等的高分子(P)之複合體(C)的被鍍覆基材(S),浸漬於含有水溶性鎳鹽、還原劑、與錯合劑的無電鎳鍍覆液,而在被鍍覆基材(S)上形成鎳的膜之無電鎳鍍覆方法,其中前述還原劑為次磷酸或其鹽,在將前述被鍍覆基材(S)浸漬於前述無電鍍覆液之際,使該鍍覆液中存在從包含鎳、鐵及鈷的群組所選出的一種以上的固體金屬。該鍍覆方法係不經過複雜的兩階段步驟而給予充分的觸媒吸附量,對樹脂、玻璃、陶瓷等之有用的被鍍覆基材可形成良好的無電鎳鍍覆膜。

    简体摘要: 本发明提供一种无电镍镀覆方法,其系将附着有银粒子等的金属粒子(M)、与具有阴离子性基、聚伸烷基亚胺等的高分子(P)之复合体(C)的被镀覆基材(S),浸渍于含有水溶性镍盐、还原剂、与错合剂的无电镍镀覆液,而在被镀覆基材(S)上形成镍的膜之无电镍镀覆方法,其中前述还原剂为次磷酸或其盐,在将前述被镀覆基材(S)浸渍于前述无电镀覆液之际,使该镀覆液中存在从包含镍、铁及钴的群组所选出的一种以上的固体金属。该镀覆方法系不经过复杂的两阶段步骤而给予充分的触媒吸附量,对树脂、玻璃、陶瓷等之有用的被镀覆基材可形成良好的无电镍镀覆膜。