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公开(公告)号:TW201816183A
公开(公告)日:2018-05-01
申请号:TW106127714
申请日:2017-08-16
发明人: 橋本大督 , HASHIMOTO, DAISUKE , 田邉克久 , TANABE, KATSUHISA , 西村志 , NISHIMURA, NAOSHI , 丸尾洋一 , MARUO, YOICHI
摘要: 本發明之課題為,提供製造可抑制鎳遺漏及圖型外析出,且具有優良耐蝕性及外觀之無電解鍍鎳被膜的無電解鍍鎳浴。 解決方法為,本發明之無電解鍍鎳浴的特徵為含有還原劑,與含有1個以上硝基之含硝基芳香族化合物。
简体摘要: 本发明之课题为,提供制造可抑制镍遗漏及图型外析出,且具有优良耐蚀性及外观之无电解镀镍被膜的无电解镀镍浴。 解决方法为,本发明之无电解镀镍浴的特征为含有还原剂,与含有1个以上硝基之含硝基芳香族化合物。
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公开(公告)号:TWI693303B
公开(公告)日:2020-05-11
申请号:TW106115795
申请日:2017-05-12
发明人: 田邊克久 , TANABE, KATSUHISA , 染矢立志 , SOMEYA, TATSUSHI , 西村直志 , NISHIMURA, NAOSHI , 笹村哲也 , SASAMURA, TETSUYA , 古矢繪理子 , FURUYA, ERIKO
IPC分类号: C23C18/44
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公开(公告)号:TWI690618B
公开(公告)日:2020-04-11
申请号:TW105119316
申请日:2016-06-20
发明人: 前田剛志 , MAEDA, TSUYOSHI , 柴山文徳 , SHIBAYAMA, FUMINORI , 田邉克久 , TANABE, KATSUHISA , 和田真輔 , WADA, SHINSUKE
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公开(公告)号:TWI683030B
公开(公告)日:2020-01-21
申请号:TW105102341
申请日:2016-01-26
发明人: 田邉克久 , TANABE, KATSUHISA , 北島晃太 , KITAJIMA, KOUTA , 染矢立志 , SOMEYA, TATSUSHI , 小田幸典 , ODA, YUKINORI , 能津雅浩 , NOZU, MASAHIRO
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公开(公告)号:TW201807253A
公开(公告)日:2018-03-01
申请号:TW106100509
申请日:2017-01-06
申请人: 上村工業股份有限公司 , C. UYEMURA & CO., LTD.
发明人: 田邉克久 , TANABE, KATSUHISA , 笹村哲也 , SASAMURA, TETSUYA , 西村直志 , NISHIMURA, NAOSHI , 染矢立志 , SOMEYA, TATSUSHI
IPC分类号: C23C18/44
摘要: 本發明之課題為提供可使鍍敷安定性、鍍敷後之外觀、及鍍敷速度全部提昇之新穎無電解金鍍敷浴。本發明之解決手段為一種無電解金鍍敷浴,其係含有水溶性金化合物、還原劑、錯合劑、及安定化劑,前述安定化劑係以下述式所表示的氰醇化合物。 式中,R1及R2係相同或相異,且意味著氫原子、矽烷基、或者可被取代基取代的烷基或芳香族基。
简体摘要: 本发明之课题为提供可使镀敷安定性、镀敷后之外观、及镀敷速度全部提升之新颖无电解金镀敷浴。本发明之解决手段为一种无电解金镀敷浴,其系含有水溶性金化合物、还原剂、错合剂、及安定化剂,前述安定化剂系以下述式所表示的氰醇化合物。 式中,R1及R2系相同或相异,且意味着氢原子、硅烷基、或者可被取代基取代的烷基或芳香族基。
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公开(公告)号:TW201819681A
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:TW106115795
申请日:2017-05-12
申请人: 上村工業股份有限公司 , C. UYEMURA & CO., LTD.
发明人: 田邊克久 , TANABE, KATSUHISA , 染矢立志 , SOMEYA, TATSUSHI , 西村直志 , NISHIMURA, NAOSHI , 笹村哲也 , SASAMURA, TETSUYA , 古矢繪理子 , FURUYA, ERIKO
IPC分类号: C23C18/44
摘要: 本發明旨在提供一種薄膜形成方法。該薄膜形成方法包含有:觸媒薄膜形成製程,藉由置換脫氧鍍在基材的表面上形成觸媒薄膜;中間薄膜形成製程,在觸媒薄膜上形成鍍鈀薄膜;以及表面薄膜形成製程,在鍍鈀薄膜上形成鍍金薄膜。
简体摘要: 本发明旨在提供一种薄膜形成方法。该薄膜形成方法包含有:触媒薄膜形成制程,借由置换脱氧镀在基材的表面上形成触媒薄膜;中间薄膜形成制程,在触媒薄膜上形成镀钯薄膜;以及表面薄膜形成制程,在镀钯薄膜上形成镀金薄膜。
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公开(公告)号:TW201812097A
公开(公告)日:2018-04-01
申请号:TW106115796
申请日:2017-05-12
申请人: 上村工業股份有限公司 , C. UYEMURA & CO., LTD.
发明人: 笹村哲也 , SASAMURA, TETSUYA , 田邊克久 , TANABE, KATSUHISA , 大久保洋樹 , OKUBO, HIROKI , 染矢立志 , SOMEYA, TATSUSHI , 古矢繪理子 , FURUYA, ERIKO
IPC分类号: C23C18/44
CPC分类号: C23C18/44
摘要: 本發明旨在提供一種化學鍍鉑鍍浴,化學鍍鉑鍍浴含有水溶性鉑化合物、螯合劑、脫氧劑以及鹵化物離子供給劑,且脫氧劑是蟻酸。
简体摘要: 本发明旨在提供一种化学镀铂镀浴,化学镀铂镀浴含有水溶性铂化合物、螯合剂、脱氧剂以及卤化物离子供给剂,且脱氧剂是蚁酸。
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公开(公告)号:TW201710550A
公开(公告)日:2017-03-16
申请号:TW105119316
申请日:2016-06-20
申请人: 上村工業股份有限公司 , C. UYEMURA & CO., LTD.
发明人: 前田剛志 , MAEDA, TSUYOSHI , 柴山文徳 , SHIBAYAMA, FUMINORI , 田邉克久 , TANABE, KATSUHISA , 和田真輔 , WADA, SHINSUKE
摘要: 本發明之課題為提供可得到良好的彎曲性,即使在應力施加的部分亦不易產生龜裂,並且沒有無鍍敷之疑慮的無電解鎳鍍敷浴。 本發明之解決手段為,本發明之無電解鎳鍍敷浴係含有以下述(1)式所表示之包含硫的苯并噻唑系化合物。 式中,X係碳數為2以上之烷基,或其鹽,X係可具有取代基。
简体摘要: 本发明之课题为提供可得到良好的弯曲性,即使在应力施加的部分亦不易产生龟裂,并且没有无镀敷之疑虑的无电解镍镀敷浴。 本发明之解决手段为,本发明之无电解镍镀敷浴系含有以下述(1)式所表示之包含硫的苯并噻唑系化合物。 式中,X系碳数为2以上之烷基,或其盐,X系可具有取代基。
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公开(公告)号:TW201807252A
公开(公告)日:2018-03-01
申请号:TW106100508
申请日:2017-01-06
申请人: 上村工業股份有限公司 , C. UYEMURA & CO., LTD.
发明人: 田邉克久 , TANABE, KATSUHISA , 笹村哲也 , SASAMURA, TETSUYA , 西村直志 , NISHIMURA, NAOSHI , 染矢立志 , SOMEYA, TATSUSHI
摘要: 本發明之課題為提供一種新穎無電解金鍍敷浴之鍍敷能力維持管理方法,其係用以在建浴時或鍍敷處理中,無需使用鹼性氰化物等之毒物,而對鍍敷安定性、鍍敷後之外觀、及鍍敷皮膜形成速度(鍍敷速度)全部進行長時間、安定地維持管理。本發明之解決手段為,本發明之鍍敷能力維持管理方法,係對含有水溶性金化合物、還原劑、及錯合劑的無電解金鍍敷浴之鍍敷能力進行安定地維持管理的方法,其係定期地補給以下述式所表示的氰醇化合物之方法。 式中,R1及R2係相同或相異,且意味著氫原子、矽烷基、或者可被取代基取代的烷基或芳香族基。
简体摘要: 本发明之课题为提供一种新颖无电解金镀敷浴之镀敷能力维持管理方法,其系用以在建浴时或镀敷处理中,无需使用碱性氰化物等之毒物,而对镀敷安定性、镀敷后之外观、及镀敷皮膜形成速度(镀敷速度)全部进行长时间、安定地维持管理。本发明之解决手段为,本发明之镀敷能力维持管理方法,系对含有水溶性金化合物、还原剂、及错合剂的无电解金镀敷浴之镀敷能力进行安定地维持管理的方法,其系定期地补给以下述式所表示的氰醇化合物之方法。 式中,R1及R2系相同或相异,且意味着氢原子、硅烷基、或者可被取代基取代的烷基或芳香族基。
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公开(公告)号:TW201634745A
公开(公告)日:2016-10-01
申请号:TW105102341
申请日:2016-01-26
申请人: 上村工業股份有限公司 , C. UYEMURA & CO., LTD.
发明人: 田邉克久 , TANABE, KATSUHISA , 北島晃太 , KITAJIMA, KOUTA , 染矢立志 , SOMEYA, TATSUSHI , 小田幸典 , ODA, YUKINORI , 能津雅浩 , NOZU, MASAHIRO
摘要: 本發明課題在於提供一種以使用直接有助於Pd殘渣之去活化的過氧化氫為前提,可抑制處理劑的歷時劣化,具體而言為鹼區域之過氧化氫的消耗,同時可抑制基底金屬的溶解,並可去除引起無電解鍍敷之圖型外析出的Pd殘渣的無電解鍍敷之圖型外析出防止處理劑。 解決手段為,本發明之金屬圖型外析出防止處理劑,其特徵為含有過氧化氫;及選自由醛醣、醛醣酸、醛醣二酸、彼等之鹽、及彼等之內酯體所成之群中的1種以上之化合物,且為pH7.1以上。
简体摘要: 本发明课题在于提供一种以使用直接有助于Pd残渣之去活化的过氧化氢为前提,可抑制处理剂的历时劣化,具体而言为碱区域之过氧化氢的消耗,同时可抑制基底金属的溶解,并可去除引起无电解镀敷之图型外析出的Pd残渣的无电解镀敷之图型外析出防止处理剂。 解决手段为,本发明之金属图型外析出防止处理剂,其特征为含有过氧化氢;及选自由醛糖、醛糖酸、醛糖二酸、彼等之盐、及彼等之内酯体所成之群中的1种以上之化合物,且为pH7.1以上。
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