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公开(公告)号：TW201715399A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104134631
申请日：2015-10-22
Applicant: 慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION, INC.
Inventor： 林建成 , LIN, CHIEN CHENG , 李介豪 , LEE, JIE HAO
CPC classification number: G06F3/0659 , G06F3/0604 , G06F3/064 , G06F3/0688 , G06F12/0246 , G06F12/10 , G06F2212/1024 , G06F2212/657 , G06F2212/7201
Abstract: 本發明提供一種資料儲存裝置包括一快閃記憶體以及一控制器。快閃記憶體具有複數三階資料區塊。控制器用以將些三階資料區塊均分為三個區域，區域各包含相同數量的三階資料區塊。控制器復用以接收一預寫資料及預寫之一邏輯位址，並根據預寫資料及邏輯位址分析出一第一子預寫資料段、一第二子預寫資料段、一第三子預寫資料段，以及依據邏輯位址，自三個區域個選擇一個三階資料區塊，再以單階儲存模式分別將第一子預寫資料、第二子預寫資料、第三子預寫資料寫入所選擇之三個三階資料區塊。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种数据存储设备包括一闪存以及一控制器。闪存具有复数三阶数据区块。控制器用以将些三阶数据区块均分为三个区域，区域各包含相同数量的三阶数据区块。控制器复用以接收一预写数据及预写之一逻辑位址，并根据预写数据及逻辑位址分析出一第一子预写数据段、一第二子预写数据段、一第三子预写数据段，以及依据逻辑位址，自三个区域个选择一个三阶数据区块，再以单阶存储模式分别将第一子预写数据、第二子预写数据、第三子预写数据写入所选择之三个三阶数据区块。
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公开(公告)号：TW201710898A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW104130051
申请日：2015-09-11
Applicant: 慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION, INC.
Inventor： 歐旭斌 , OU, HSU PING , 龔志剛 , KUNG, CHIH KANG
CPC classification number: G06F3/0647 , G06F3/0613 , G06F3/0619 , G06F3/0656 , G06F3/0679 , G06F3/0688
Abstract: 本發明的實施例提出一種內部資料搬移方法，由處理單元執行，包含下列步驟。透過一存取介面發送多個部分複製回讀命令給儲存子單元，每一個部分複製回讀命令指示儲存子單元中之邏輯電路將儲存子單元中之頁面的部分資料儲存至儲存子單元中之資料緩存器的指定位置。接著，透過存取介面發送複製回寫命令給儲存子單元，用以將儲存子單元中之資料緩存器的資料寫入儲存子單元中之新頁面。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的实施例提出一种内部数据搬移方法，由处理单元运行，包含下列步骤。透过一存取界面发送多个部分复制回读命令给存储子单元，每一个部分复制回读命令指示存储子单元中之逻辑电路将存储子单元中之页面的部分数据存储至存储子单元中之数据缓存器的指定位置。接着，透过存取界面发送复制回写命令给存储子单元，用以将存储子单元中之数据缓存器的数据写入存储子单元中之新页面。
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公开(公告)号：TW201643716A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105105759
申请日：2016-02-26
Applicant: 三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
Inventor： 牛迪民 , NIU, DIMIN , 張牧天 , CHANG, MU-TIEN , 郑宏忠 , ZHENG, HONGZHONG
CPC classification number: G06F3/0619 , G06F3/0659 , G06F3/0688 , G06F11/1048 , G06F11/1076 , G06F12/02 , G11C5/025 , G11C5/04 , G11C5/14
Abstract: 一種記憶體模組可包括記憶體陣列及記憶體控制器。所述記憶體控制器可包括狀況暫存器，所述狀況暫存器規定記憶體模組是以正常功率運作還是以低功率運作。可基於由狀況暫存器所規定的功率位準而在記憶體陣列中界定正常可靠度區及低可靠度區。
Abstract in simplified Chinese: 一种内存模块可包括内存数组及内存控制器。所述内存控制器可包括状况寄存器，所述状况寄存器规定内存模块是以正常功率运作还是以低功率运作。可基于由状况寄存器所规定的功率位准而在内存数组中界定正常可靠度区及低可靠度区。
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公开(公告)号：TWI562058B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW103106877
申请日：2014-02-27
Applicant: 東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Inventor： 市田真琴 , ICHIDA, MAKOTO , 吉田哲和 , YOSHIDA, NORIKAZU
CPC classification number: G06F1/3268 , G06F1/3275 , G06F3/0625 , G06F3/0634 , G06F3/0688 , G06F2003/0692 , Y02D10/14 , Y02D10/154
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公开(公告)号：TWI556105B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104116100
申请日：2015-05-20
Applicant: 美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
Inventor： 馮 尤金 , FENG, EUGENE , 艾可里歐 馬修 , ARCOLEO, MATHEW
CPC classification number: G06F3/0616 , G06F3/0608 , G06F3/0655 , G06F3/0685 , G06F3/0688 , G06F12/0806 , G06F12/0875 , G06F12/0888 , G06F12/1081 , G06F13/28 , G06F2212/2532 , G06F2212/621 , G11C7/1072 , G11C29/44 , G11C29/765 , G11C2029/0409 , G11C2207/2245 , Y02D10/13 , Y02D10/14
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI554883B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW104117868
申请日：2015-06-02
Applicant: 美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
Inventor： 帕洛斯基 J 湯瑪斯 , PAWLOWSKI, J. THOMAS
CPC classification number: G06F3/0619 , G06F3/0604 , G06F3/061 , G06F3/0611 , G06F3/0617 , G06F3/0644 , G06F3/0655 , G06F3/0656 , G06F3/0659 , G06F3/0673 , G06F3/0679 , G06F3/0683 , G06F3/0685 , G06F3/0688 , G06F11/07 , G06F11/0727 , G06F11/073 , G06F11/076 , G06F11/10 , G06F11/1016 , G06F11/1044 , G06F11/1068 , G06F11/1072 , G06F13/16 , G06F13/38 , G11C29/52 , H04L1/189 , H04L47/12 , H04L47/25 , H04L47/52 , Y02D10/14
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公开(公告)号：TW201633135A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104107010
申请日：2015-03-05
Applicant: 光寶科技股份有限公司 , LITE-ON TECHNOLOGY CORPORATION
Inventor： 江偉凌 , JIANG, WEI LING , 李宜忠 , LEE, YI CHUNG
CPC classification number: G06F12/04 , G06F3/0601 , G06F3/0614 , G06F3/0631 , G06F3/0658 , G06F3/0668 , G06F3/0688 , G06F12/0223 , G06F12/0292 , G06F12/0623 , G06F12/0646 , G06F12/0802 , G06F12/1009 , G06F13/4208
Abstract: 本揭露提出一種區域描述元管理方法以及其電子裝置。區域描述元管理方法適用於電子裝置的裝置控制器。管理方法包括下列步驟。由區域描述元列表提取多個區域描述元項目，並且每一區域描述元項目包括區塊起始位址以及區塊長度以對應描述記憶體模組的一個記憶體區塊。依據多個區域描述元項目的區塊起始位址以及區塊長度，調整部分的區域描述元項目為至少一個目前區域描述元項目。基於前述的目前區域描述元項目，產生目前區域描述元列表。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提出一种区域描述元管理方法以及其电子设备。区域描述元管理方法适用于电子设备的设备控制器。管理方法包括下列步骤。由区域描述元列表提取多个区域描述元项目，并且每一区域描述元项目包括区块起始位址以及区块长度以对应描述内存模块的一个内存区块。依据多个区域描述元项目的区块起始位址以及区块长度，调整部分的区域描述元项目为至少一个目前区域描述元项目。基于前述的目前区域描述元项目，产生目前区域描述元列表。
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公开(公告)号：TW201629979A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104103832
申请日：2015-02-05
Applicant: 慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION, INC.
Inventor： 林文生 , LIN, WEN SHENG
CPC classification number: G06F3/0619 , G06F3/061 , G06F3/0655 , G06F3/0688 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C2211/5641 , G11C2211/5646
Abstract: 本發明提通一種資料儲存裝置包括一快閃記憶體以及一控制器。快閃記憶體具有複數單階儲存單元以及複數三階儲存單元。控制器用以對單階儲存單元中之一預定數量之特定單階儲存單元進行一預定次數之讀取程序，以將特定單階儲存單元的資料整理至三階儲存單元中之一特定三階儲存單元，在特定單階儲存單元的資料被整理至特定三階儲存單元後，檢查特定三階儲存單元是否可被成功讀取，以及當特定三階儲存單元無法被成功讀取時，判斷特定單階儲存單元的資料是否曾經無法被讀取程序成功讀取。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提通一种数据存储设备包括一闪存以及一控制器。闪存具有复数单阶存储单元以及复数三阶存储单元。控制器用以对单阶存储单元中之一预定数量之特定单阶存储单元进行一预定次数之读取进程，以将特定单阶存储单元的数据整理至三阶存储单元中之一特定三阶存储单元，在特定单阶存储单元的数据被整理至特定三阶存储单元后，检查特定三阶存储单元是否可被成功读取，以及当特定三阶存储单元无法被成功读取时，判断特定单阶存储单元的数据是否曾经无法被读取进程成功读取。
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公开(公告)号：TWI537972B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW104105749
申请日：2015-02-17
Applicant: 旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
Inventor： 洪俊雄 , HUNG, CHUN HSIUNG , 張坤龍 , CHANG, KUEN LONG , 陳耕暉 , CHEN, KEN HUI , 羅思覺 , LO, SU-CHUEH
IPC: G11C29/52 , G11C11/4078
CPC classification number: G06F3/0622 , G06F3/062 , G06F3/064 , G06F3/0652 , G06F3/0659 , G06F3/0688 , G06F12/1416
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公开(公告)号：TWI536166B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104102669
申请日：2015-01-27
Applicant: 群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
Inventor： 陳建謀 , CHEN, JIANN MOU
CPC classification number: G06F3/0619 , G06F3/061 , G06F3/0659 , G06F3/0688 , G06F12/0246 , G06F2212/7201 , G06F2212/7211
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