公开(公告)号：TW201633135A

公开(公告)日：2016-09-16

申请号：TW104107010

申请日：2015-03-05

申请人： 光寶科技股份有限公司 ,  LITE-ON TECHNOLOGY CORPORATION

发明人： 江偉凌 ,  JIANG, WEI LING ,  李宜忠 ,  LEE, YI CHUNG

IPC分类号： G06F12/02 ,  G06F13/28

CPC分类号： G06F12/04 ,  G06F3/0601 ,  G06F3/0614 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0668 ,  G06F3/0688 ,  G06F12/0223 ,  G06F12/0292 ,  G06F12/0623 ,  G06F12/0646 ,  G06F12/0802 ,  G06F12/1009 ,  G06F13/4208

摘要： 本揭露提出一種區域描述元管理方法以及其電子裝置。區域描述元管理方法適用於電子裝置的裝置控制器。管理方法包括下列步驟。由區域描述元列表提取多個區域描述元項目，並且每一區域描述元項目包括區塊起始位址以及區塊長度以對應描述記憶體模組的一個記憶體區塊。依據多個區域描述元項目的區塊起始位址以及區塊長度，調整部分的區域描述元項目為至少一個目前區域描述元項目。基於前述的目前區域描述元項目，產生目前區域描述元列表。

简体摘要： 本揭露提出一种区域描述元管理方法以及其电子设备。区域描述元管理方法适用于电子设备的设备控制器。管理方法包括下列步骤。由区域描述元列表提取多个区域描述元项目，并且每一区域描述元项目包括区块起始位址以及区块长度以对应描述内存模块的一个内存区块。依据多个区域描述元项目的区块起始位址以及区块长度，调整部分的区域描述元项目为至少一个目前区域描述元项目。基于前述的目前区域描述元项目，产生目前区域描述元列表。

公开(公告)号：TWI421695B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：TW099108427

申请日：2010-03-22

申请人： 高通公司 ,  QUALCOMM INCORPORATED

发明人： 曼德里 史瑞福思 ,  MADDALI, SRINIVAS ,  史瑞瑪吉力 迪普堤 維傑亞拉米 ,  SRIRAMAGIRI, DEEPTI VIJAYALAKSHMI

IPC分类号： G06F13/16 ,  G06F12/08 ,  G06F12/06

CPC分类号： G11C11/4085 ,  G06F12/0215 ,  G06F12/0607 ,  G06F12/0623 ,  G06F13/1694

公开(公告)号：TW201035866A

公开(公告)日：2010-10-01

申请号：TW099104422

申请日：2010-02-11

申请人： 微晶片科技公司

发明人： 倫德史特姆 查克R ,  迪爾波特 維維安 ,  史迪曼 尚恩 ,  裘利雀 喬瑟夫

IPC分类号： G06F

CPC分类号： G06F9/3012 ,  G06F9/30098 ,  G06F9/30101 ,  G06F9/30145 ,  G06F9/30167 ,  G06F9/342 ,  G06F9/35 ,  G06F12/0623

摘要： 一種用於一微控制器之指令集,該微控制器具有:一資料記憶體,其被劃分成複數個記憶體記憶庫,其中該資料記憶體具有形成線性資料記憶體之一區塊的未被映射特殊功能暫存器之該複數個記憶體記憶庫中之一個以上記憶體記憶庫;一未映射至該資料記憶體的記憶庫選擇暫存器,其用於選擇一記憶體記憶庫;且具有一間接存取暫存器,其映射至至少一記憶體記憶庫,其中該指令集包括:可操作以對一選定記憶庫內之所有記憶體位置直接定址的複數個指令;提供對該記憶庫選擇暫存器之存取之至少一指令;及使用該間接存取暫存器執行對該資料記憶體之一間接定址的至少一指令。

简体摘要： 一种用于一单片机之指令集,该单片机具有:一数据内存,其被划分成复数个内存记忆库,其中该数据内存具有形成线性数据内存之一区块的未被映射特殊功能寄存器之该复数个内存记忆库中之一个以上内存记忆库;一未映射至该数据内存的记忆库选择寄存器,其用于选择一内存记忆库;且具有一间接存取寄存器,其映射至至少一内存记忆库,其中该指令集包括:可操作以对一选定记忆库内之所有内存位置直接寻址的复数个指令;提供对该记忆库选择寄存器之存取之至少一指令;及使用该间接存取寄存器运行对该数据内存之一间接寻址的至少一指令。

公开(公告)号：TW201020773A

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：TW097144695

申请日：2008-11-19

申请人： 英業達股份有限公司

发明人： 陳重江

IPC分类号： G06F

CPC分类号： G06F12/0623 ,  G06F12/0223 ,  G06F2212/1004

摘要： 一種在64k環境限制實現大單位結構存取之方法,其包含改變一大單位結構為多個子結構,其中每一子結構之一長度為小於64k;接著,利用自我測試記憶體管理器配置一大單位記憶體空間;以及將多個子結構存放於大單位記憶體空間之中,特別是位於1MB以上之記憶體空間。

简体摘要： 一种在64k环境限制实现大单位结构存取之方法,其包含改变一大单位结构为多个子结构,其中每一子结构之一长度为小于64k;接着,利用自我测试内存管理器配置一大单位内存空间;以及将多个子结构存放于大单位内存空间之中,特别是位于1MB以上之内存空间。

公开(公告)号：TWI285840B

公开(公告)日：2007-08-21

申请号：TW092117191

申请日：2003-06-24

申请人： 英飛凌科技股份有限公司 INFINEON TECHNOLOGIES AG

发明人： 迪爾克‧拉伯 DIRK RABE ,  霍爾格‧賽德拉克 HOLGER SEDLAK

IPC分类号： G06F

CPC分类号： G06F9/3806 ,  G06F9/30054 ,  G06F9/322 ,  G06F9/4484 ,  G06F12/0623

摘要： 一種處理一系列指令的裝置和方法處理包含LCALL指令、FCALL指令以及普通再跳躍指令(返回)的一系列指令(70)的裝置，包括了讀入(71)指令的設備以便執行檢驗指令用之設備(72)之讀入指令。在LCALL或FCALL存在的情況下，堆疊記憶體(74)被填充(75a)，然而在再跳躍指令(75b)存在的情況下堆疊被清空。在每次的再跳躍，預先決定量的再跳躍資訊被從堆疊取出，並供應給解碼之設備(73)，它被形成以便在預先決定量的再跳躍資訊指示該實體記憶體視窗變更的情況下再次取得堆疊(76)，以便最終供應正確的位址給針對讀入設備(71)的指令系列內之下一個指令。藉此，相同的再跳躍指令可以被用於具備FCALL(在現行實體記憶體視窗之外)呼叫以及具備LCALL(該實體記憶體視窗之內)的呼叫而不用微處理器的變更，其方法係藉由將堆疊上之再跳躍資訊編碼以及藉由解碼設備(73)將它們解碼。藉此，提供給微處理器的再跳躍資訊可以都用在兩個跳躍指令上。

简体摘要： 一种处理一系列指令的设备和方法处理包含LCALL指令、FCALL指令以及普通再跳跃指令(返回)的一系列指令(70)的设备，包括了读入(71)指令的设备以便运行检验指令用之设备(72)之读入指令。在LCALL或FCALL存在的情况下，堆栈内存(74)被填充(75a)，然而在再跳跃指令(75b)存在的情况下堆栈被清空。在每次的再跳跃，预先决定量的再跳跃信息被从堆栈取出，并供应给译码之设备(73)，它被形成以便在预先决定量的再跳跃信息指示该物理内存窗口变更的情况下再次取得堆栈(76)，以便最终供应正确的位址给针对读入设备(71)的指令系列内之下一个指令。借此，相同的再跳跃指令可以被用于具备FCALL(在现行物理内存窗口之外)调用以及具备LCALL(该物理内存窗口之内)的调用而不用微处理器的变更，其方法系借由将堆栈上之再跳跃信息编码以及借由译码设备(73)将它们译码。借此，提供给微处理器的再跳跃信息可以都用在两个跳跃指令上。

公开(公告)号：TWI241485B

公开(公告)日：2005-10-11

申请号：TW092106402

申请日：2003-03-21

申请人： 聯發科技股份有限公司 MEDIATEK INC.

发明人： 曾寶慶 TSENG, PAO CHING ,  宋秉乘 SUNG, PING-CHENG ,  陳炳盛 CHEN, PING SHENG ,  杜立群 TU, LI CHUN

IPC分类号： G06F

CPC分类号： G06F12/0623

摘要： 一種可擴充記憶庫的微控制器包含一微處理器、複數個記憶庫、一記憶庫控制電路以及一多工器。該複數個記憶庫的容量大於該微控制器單一指令可定址的空間，並且其中的記憶庫中儲存著中斷服務常式。該記憶庫控制電路根據該微處理器的中斷發生和中斷服務常式執行結束訊號來產生一選擇訊號。該多工器包含一第一輸入端、一第二輸入端、一選擇端以及一輸出端，根據該記憶庫控制電路由輸入端輸入的選擇訊號來輸出由該第一輸入端接收的該微處理器所發出的記憶庫頁碼訊號，或者是由該第二輸入端接收的一預定之記憶庫頁碼訊號，使中斷發生時該微處理器可至儲存該中斷服務常式的記憶庫存取資料。

简体摘要： 一种可扩充记忆库的单片机包含一微处理器、复数个记忆库、一记忆库控制电路以及一多任务器。该复数个记忆库的容量大于该单片机单一指令可寻址的空间，并且其中的记忆库中存储着中断服务例程。该记忆库控制电路根据该微处理器的中断发生和中断服务例程运行结束信号来产生一选择信号。该多任务器包含一第一输入端、一第二输入端、一选择端以及一输出端，根据该记忆库控制电路由输入端输入的选择信号来输出由该第一输入端接收的该微处理器所发出的记忆库页码信号，或者是由该第二输入端接收的一预定之记忆库页码信号，使中断发生时该微处理器可至存储该中断服务例程的记忆库存取数据。

公开(公告)号：TW200416539A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：TW092104327

申请日：2003-02-27

申请人： 聯發科技股份有限公司 MEDIATEK INC.

发明人： 杜立群 TU, LI CHUN ,  陳炳盛 CHEN, PING SHENG ,  曾寶慶 TSENG, PAO CHING ,  郭弘政 KUO, HUNG CHENG

IPC分类号： G06F

CPC分类号： G06F12/0623

摘要： 一種增加處理器上之記憶體之方法，使得該處理器能存取大於其指令位元數所能表達之記憶體大小。該處理器上設有一中央處理單元及一固定記憶體。該方法包含於該處理器上提供一擴充記憶體，使用一位址延伸器以增加位元的方式延伸資料位址以及暫存器位址，以及使用一堆疊指標產生器以增加位元的方式延伸堆疊位址，於堆疊位址大於該固定記憶體的範圍時對增加的位元產生進位，並將超出該固定記憶體之範圍的堆疊資料存取於該擴充記憶體。

简体摘要： 一种增加处理器上之内存之方法，使得该处理器能存取大于其指令比特数所能表达之内存大小。该处理器上设有一中央处理单元及一固定内存。该方法包含于该处理器上提供一扩充内存，使用一位址延伸器以增加比特的方式延伸数据位址以及寄存器位址，以及使用一堆栈指针产生器以增加比特的方式延伸堆栈位址，于堆栈位址大于该固定内存的范围时对增加的比特产生进制，并将超出该固定内存之范围的堆栈数据存取于该扩充内存。

公开(公告)号：TW530203B

公开(公告)日：2003-05-01

申请号：TW089107406

申请日：2000-04-19

申请人： 揚智科技股份有限公司

发明人： 黃永吉

IPC分类号： G06F

CPC分类号： G06F9/4403 ,  G06F12/0623

摘要： 一種資料處理系統，係以一微處理器透過一特殊應用晶片以存取一記憶體內之一塊記憶體區域，其中此資料處理系統係利用特殊應用晶片自外部電腦系統下載一應用程式碼至此記憶體區域中。此微處理器產生位址閂鎖致能信號、數個讀寫致能信號，以及第一位址信號。而特殊應用晶片，接受上述信號並對應微處理器之外部記憶位址空間為此記憶體區域的位址空間。於位址閂鎖致能信號之致能週期內，特殊應用晶片讀取此第一位址信號，並轉換為記憶體區域之第二位址信號以讀取對應之第一資料。當這些讀寫致能信號之一為致能時，特殊應用晶片據此而轉換第一資料為第二資料並回傳第二資料至微處理器，或者是依據第二位址信號把微處理器欲寫入的資料經過轉換之後再寫入記憶體。

简体摘要： 一种数据处理系统，系以一微处理器透过一特殊应用芯片以存取一内存内之一块内存区域，其中此数据处理系统系利用特殊应用芯片自外部电脑系统下载一应用代码至此内存区域中。此微处理器产生位址闩锁致能信号、数个读写致能信号，以及第一位址信号。而特殊应用芯片，接受上述信号并对应微处理器之外部记忆位址空间为此内存区域的位址空间。于位址闩锁致能信号之致能周期内，特殊应用芯片读取此第一位址信号，并转换为内存区域之第二位址信号以读取对应之第一数据。当这些读写致能信号之一为致能时，特殊应用芯片据此而转换第一数据为第二数据并回传第二数据至微处理器，或者是依据第二位址信号把微处理器欲写入的数据经过转换之后再写入内存。

公开(公告)号：TW398079B

公开(公告)日：2000-07-11

申请号：TW087116800

申请日：1998-10-09

申请人： 東芝股份有限公司

发明人： 姫野敏彥

IPC分类号： H01L

CPC分类号： G06F12/0292 ,  G06F12/0623

摘要： 本發明之目的係提供一種在單獨使用半導體記憶體晶片時和將多數裝在單一系統上時可完全同樣使用之半導體記憶裝置。
半導體記憶裝置，其特徵在於：具有可指定可實際記憶的記憶容量以上的虛擬位址空間的位址之輸入電路系統和解碼器系統，指定所預先指定的實記憶體空間以外的位址時，使資料輸出電路系統之輸出端子成為高電阻狀態。而且，將此半導體記憶裝置平行裝在單一系統上，共同平行連接全部對應的輸出入信號插腳而構築半導體記憶系統者。系統無需認識半導體記憶裝置為多數，在單獨使用時和多數使用時成為完全相同的輸出入關係。此外，也無需附加各種信號線或控制電路等，可降低成本。

简体摘要： 本发明之目的系提供一种在单独使用半导体内存芯片时和将多数装在单一系统上时可完全同样使用之半导体记忆设备。 半导体记忆设备，其特征在于：具有可指定可实际记忆的记忆容量以上的虚拟位址空间的位址之输入电路系统和译码器系统，指定所预先指定的实内存空间以外的位址时，使数据输出电路系统之输出端子成为高电阻状态。而且，将此半导体记忆设备平行装在单一系统上，共同平行连接全部对应的输出入信号插脚而构筑半导体记忆系统者。系统无需认识半导体记忆设备为多数，在单独使用时和多数使用时成为完全相同的输出入关系。此外，也无需附加各种信号线或控制电路等，可降低成本。

公开(公告)号：TW201729113A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105132203

申请日：2016-10-05

申请人： 高通公司 ,  QUALCOMM INCORPORATED

发明人： 鄒 戴特 泰密歐 ,  CHUN, DEXTER TAMIO ,  利 炎如 ,  LI, YANRU ,  瑞加立克 伯沙福 ,  RYCHLIK, BOHUSLAV

IPC分类号： G06F13/16 ,  G06F3/06

CPC分类号： G06F1/3287 ,  G06F12/0607 ,  G06F12/0623 ,  G06F2212/1016 ,  G06F2212/1028 ,  H04W52/0261 ,  Y02D10/13 ,  Y02D70/142 ,  Y02D70/144 ,  Y02D70/168

摘要： 本發明揭示用於提供具有選擇性功率或效能最佳化之記憶體通道交錯的系統及方法。一種此類方法包括組態用於經由具有一交錯區域及一線性區域之兩個或多於兩個各別記憶體通道存取之兩個或多於兩個記憶體器件的一記憶體位址映射。該交錯區域包含用於相對較高效能任務之一交錯位址空間，且該線性區域包含用於相對較低功率任務之一線性位址空間。使用一滑動臨限值位址在該線性區域與該交錯區域之間定義一邊界。自一處理序接收對一虛擬記憶體頁面之一請求。該請求包含針對功率節省或效能之一偏好。基於針對功率節省或效能之該偏好使用該滑動臨限值位址將該虛擬記憶體頁面指派給該線性區域或該交錯區域中之一自由實體頁面。

简体摘要： 本发明揭示用于提供具有选择性功率或性能最优化之内存信道交错的系统及方法。一种此类方法包括组态用于经由具有一交错区域及一线性区域之两个或多于两个各别内存信道存取之两个或多于两个内存器件的一内存位址映射。该交错区域包含用于相对较高性能任务之一交错位址空间，且该线性区域包含用于相对较低功率任务之一线性位址空间。使用一滑动临限值位址在该线性区域与该交错区域之间定义一边界。自一处理序接收对一虚拟内存页面之一请求。该请求包含针对功率节省或性能之一偏好。基于针对功率节省或性能之该偏好使用该滑动临限值位址将该虚拟内存页面指派给该线性区域或该交错区域中之一自由实体页面。