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    電阻式記憶體元件累進電阻特性的控制方法
    1.
    发明专利
    電阻式記憶體元件累進電阻特性的控制方法 审中-公开
    电阻式内存组件累进电阻特性的控制方法

    公开(公告)号：TW202030732A

    公开(公告)日：2020-08-16

    申请号：TW108104785

    申请日：2019-02-13

    申请人： 旺宏電子股份有限公司 ,  MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.

    发明人： 蔣光浩 ,  CHIANG, KUANG-HAO ,  林榆瑄 ,  LIN, YU-HSUAN

    IPC分类号： G11C13/00

    摘要： 一種電阻式記憶體累進電阻特性的控制方法，包括：對一電阻式記憶體元件施加一第一寫入脈衝集合，以獲取一參考累進電阻分佈；根據參考累進電阻分佈對電阻式記憶體元件施加第二寫入脈衝集合，使電阻式記憶體元件具有一預設累進電阻分佈。

    简体摘要： 一种电阻式内存累进电阻特性的控制方法，包括：对一电阻式内存组件施加一第一写入脉冲集合，以获取一参考累进电阻分布；根据参考累进电阻分布对电阻式内存组件施加第二写入脉冲集合，使电阻式内存组件具有一默认累进电阻分布。

    記憶體裝置
    6.
    发明专利
    記憶體裝置 审中-公开
    内存设备

    公开(公告)号：TW202022865A

    公开(公告)日：2020-06-16

    申请号：TW108119229

    申请日：2019-06-03

    申请人： 旺宏電子股份有限公司 ,  MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.

    发明人： 龍翔瀾 ,  LUNG, HSIANG-LAN

    IPC分类号： G11C8/12 ,  G11C16/06

    摘要： 一種記憶體裝置，包括第一區塊之記憶胞、第二區塊之記憶胞以儲存特徵陣列、第三區塊之記憶胞以儲存輸出值陣列。感測電路耦接至第一區塊之記憶胞及第二區塊之記憶胞，以比較第一區塊之記憶胞及第二區塊之記憶胞之間的電性差異，以產生輸出值陣列。寫入電路係操作性地耦接至第三區塊，以儲存輸出值陣列於第三區塊之記憶胞。

    简体摘要： 一种内存设备，包括第一区块之记忆胞、第二区块之记忆胞以存储特征数组、第三区块之记忆胞以存储输出值数组。传感电路耦接至第一区块之记忆胞及第二区块之记忆胞，以比较第一区块之记忆胞及第二区块之记忆胞之间的电性差异，以产生输出值数组。写入电路系操作性地耦接至第三区块，以存储输出值数组于第三区块之记忆胞。

    非揮發性記憶體與其寫入方法
    7.
    发明专利
    非揮發性記憶體與其寫入方法 审中-公开
    非挥发性内存与其写入方法

    公开(公告)号：TW202022862A

    公开(公告)日：2020-06-16

    申请号：TW107144850

    申请日：2018-12-12

    申请人： 旺宏電子股份有限公司 ,  MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.

    发明人： 陳永翔 ,  CHEN, YUNG HSIANG ,  張耀文 ,  CHANG, YAO WEN ,  楊怡箴 ,  YANG, I CHEN

    IPC分类号： G11C7/18 ,  G11C7/22 ,  G11C14/00

    摘要： 一種非揮發性記憶體的寫入方法包含：當由控制器對耦接於同一字元線的複數個記憶胞中之第一目標記憶胞和第二目標記憶胞進行寫入操作時，由控制器使複數個第一位元線組中耦接第一目標記憶胞之第一目標位元線切換於第一電壓準位和第二電壓準位之間，其中第二電壓準位高於第一電壓準位。

    简体摘要： 一种非挥发性内存的写入方法包含：当由控制器对耦接于同一字符线的复数个记忆胞中之第一目标记忆胞和第二目标记忆胞进行写入操作时，由控制器使复数个第一比特线组中耦接第一目标记忆胞之第一目标比特线切换于第一电压准位和第二电压准位之间，其中第二电压准位高于第一电压准位。

    使用記憶體內運算的卷積加速器
    8.
    发明专利
    使用記憶體內運算的卷積加速器 审中-公开
    使用内存内运算的卷积加速器

    公开(公告)号：TW202022711A

    公开(公告)日：2020-06-16

    申请号：TW108134295

    申请日：2019-09-23

    申请人： 旺宏電子股份有限公司 ,  MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.

    发明人： 林昱佑 ,  LIN, YU-YU ,  李峰旻 ,  LEE, FENG-MING

    IPC分类号： G06N3/063

    摘要： 一種用於加速核矩陣在輸入矩陣上的卷積，以用於使用記憶體內運算來計算輸出矩陣的方法，上述方法涉及在胞元陣列中的不同胞元集合中儲存核矩陣或多個核矩陣的元素的相應組合。為了執行卷積，將來自輸入矩陣的輸入向量的序列施加至陣列。將輸入向量中的每一者並行施加至不同胞元集合以在相同時間間隔期間進行計算。感測因應於每個輸入向量而產生的來自不同胞元集合中的每一者的輸出，以產生表示所述輸入向量對輸出矩陣的多個元素的貢獻的資料集合。使用在所述輸入矩陣上產生的資料集合來產生輸出矩陣。

    简体摘要： 一种用于加速核矩阵在输入矩阵上的卷积，以用于使用内存内运算来计算输出矩阵的方法，上述方法涉及在胞元数组中的不同胞元集合中存储核矩阵或多个核矩阵的元素的相应组合。为了运行卷积，将来自输入矩阵的输入矢量的串行施加至数组。将输入矢量中的每一者并行施加至不同胞元集合以在相同时间间隔期间进行计算。传感因应于每个输入矢量而产生的来自不同胞元集合中的每一者的输出，以产生表示所述输入矢量对输出矩阵的多个元素的贡献的数据集合。使用在所述输入矩阵上产生的数据集合来产生输出矩阵。