公开(公告)号：TW201813060A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW105135368

申请日：2016-11-01

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 珍 皮爾 柯林 ,  COLINGE, JEAN-PIERRE ,  卡羅司 迪亞茲 ,  DIAZ, CARLOS H. ,  郭大鵬 ,  GUO, TA PEN

IPC: H01L27/115 ,  B82Y10/00

CPC classification number: G06F3/0679 ,  B82Y10/00 ,  G06F3/0688 ,  G11C13/025 ,  G11C14/0018 ,  G11C14/009 ,  G11C15/046 ,  H01L21/02491 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11514 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/792

Abstract: 一種半導體結構及用以形成用於非揮發性記憶體陣列的無接面式場效電晶體的方法被提出。依據本揭露的不同實施例提供一種在低的熱預算內製造單晶三維交錯型非揮發性記憶體的方法。此方法藉由摻雜的晶狀半導體材料層會從晶種晶圓轉移以形成無接面式場效電晶體的源極、汲極和連接通道，將晶狀無接面式場效電晶體結合到非揮發性記憶體中。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体结构及用以形成用于非挥发性内存数组的无接面式场效应管的方法被提出。依据本揭露的不同实施例提供一种在低的热预算内制造单晶三维交错型非挥发性内存的方法。此方法借由掺杂的晶状半导体材料层会从晶种晶圆转移以形成无接面式场效应管的源极、汲极和连接信道，将晶状无接面式场效应管结合到非挥发性内存中。

公开(公告)号：TW201812594A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106124277

申请日：2017-07-20

Applicant: 三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： 馬爾利普蒂 吉尼斯瓦拉 ,  MARRIPUDI, GUNNESWARA ,  亞伽提 阿吉特 ,  YAGATY, AJIT ,  瓦拉納西 蘇布拉馬尼亞姆 ,  VARANASI, SUBRAMANYAM ,  馬蘭 維許瓦那斯 ,  MARAM, VISHWANATH

IPC: G06F12/14 ,  G06F21/60

CPC classification number: G06F3/0622 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/067 ,  G06F3/0688 ,  H04L63/0823 ,  H04L63/0853

Abstract: 一種方法包括：接收針對固態硬碟（SSD）的操作命令及安全憑證；自固態硬碟向認證代理發出包含安全憑證及安全證書的非同步事件，其中安全證書是基於安全憑證進行編碼且儲存於固態硬碟中；將安全憑證及安全證書自認證代理轉送至認證伺服器；在認證伺服器處基於安全憑證來驗證安全證書；自認證伺服器提供驗證回應至認證代理；將驗證回應自認證代理轉送至固態硬碟；以及基於驗證回應執行操作命令。

Abstract in simplified Chinese: 一种方法包括：接收针对固态硬盘（SSD）的操作命令及安全凭证；自固态硬盘向认证代理发出包含安全凭证及安全证书的异步事件，其中安全证书是基于安全凭证进行编码且存储于固态硬盘中；将安全凭证及安全证书自认证代理转送至认证服务器；在认证服务器处基于安全凭证来验证安全证书；自认证服务器提供验证回应至认证代理；将验证回应自认证代理转送至固态硬盘；以及基于验证回应运行操作命令。

公开(公告)号：TW201810290A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW105140632

申请日：2016-12-08

Applicant: 輝達公司 ,  NVIDIA CORPORATION

Inventor： 里德 大衛G ,  REED, DAVID G. ,  古普塔 阿洛克 ,  GUPTA, ALOK

IPC: G11C29/42

CPC classification number: G06F11/1068 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0688 ,  G06F11/106 ,  G11C7/02 ,  G11C11/40615 ,  G11C11/4082 ,  G11C11/4087 ,  G11C11/4093 ,  G11C29/04 ,  G11C2029/0409 ,  G11C2029/0411 ,  G11C2029/4402 ,  G11C2211/4062

Abstract: 本發明揭示一種用於更新一DRAM記憶體陣列的方法，該方法包含：a)根據來自一記憶體控制器的一命令，將該DRAM記憶體陣列轉換成一刷新模式；b)在該DRAM記憶體陣列上執行一刷新循環；c)在該刷新循環期間，在該DRAM記憶體陣列的所有列上，執行該DRAM記憶體陣列內一選取欄的錯誤修正碼(ECC)清除；以及d)將一刷新欄計數器遞增，選擇該DRAM記憶體陣列內的一後續欄。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于更新一DRAM内存数组的方法，该方法包含：a)根据来自一内存控制器的一命令，将该DRAM内存数组转换成一刷新模式；b)在该DRAM内存数组上运行一刷新循环；c)在该刷新循环期间，在该DRAM内存数组的所有列上，运行该DRAM内存数组内一选取栏的错误修正码(ECC)清除；以及d)将一刷新栏计数器递增，选择该DRAM内存数组内的一后续栏。

公开(公告)号：TW201810065A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106124373

申请日：2017-07-20

Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 庫瑪 蒙漢 ,  KUMAR, MOHAN J. ,  納奇慕 慕魯卡沙米 ,  NACHIMUTHU, MURUGASAMY ,  果瑞斯 艾倫 ,  GORIUS, AARON ,  艾狄塔 馬修 ,  ADILETTA, MATTHEW J. ,  威爾德 麥勒斯 ,  WILDE, MYLES ,  柯洛克 麥可 ,  CROCKER, MICHAEL ,  吉爾克斯 狄米崔斯 ,  ZIAKAS, DIMITRIOS

IPC: G06F15/16 ,  G06F17/30

CPC classification number: H05K7/1489 ,  B25J15/0014 ,  B65G1/0492 ,  G02B6/3882 ,  G02B6/3893 ,  G02B6/3897 ,  G02B6/4292 ,  G02B6/4452 ,  G05D23/1921 ,  G05D23/2039 ,  G06F1/183 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0611 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/0638 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0647 ,  G06F3/0653 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0664 ,  G06F3/0665 ,  G06F3/067 ,  G06F3/0673 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0683 ,  G06F3/0688 ,  G06F3/0689 ,  G06F8/65 ,  G06F9/4401 ,  G06F9/5016 ,  G06F9/5044 ,  G06F9/505 ,  G06F9/5072 ,  G06F9/5077 ,  G06F11/141 ,  G06F11/3414 ,  G06F12/0862 ,  G06F12/0893 ,  G06F12/10 ,  G06F12/109 ,  G06F12/1408 ,  G06F13/161 ,  G06F13/1668 ,  G06F13/1694 ,  G06F13/4022 ,  G06F13/4068 ,  G06F13/409 ,  G06F13/42 ,  G06F13/4282 ,  G06F15/8061 ,  G06F17/30949 ,  G06F2209/5019 ,  G06F2209/5022 ,  G06F2212/1008 ,  G06F2212/1024 ,  G06F2212/1041 ,  G06F2212/1044 ,  G06F2212/152 ,  G06F2212/202 ,  G06F2212/401 ,  G06F2212/402 ,  G06F2212/7207 ,  G06Q10/06 ,  G06Q10/06314 ,  G06Q10/087 ,  G06Q10/20 ,  G06Q50/04 ,  G07C5/008 ,  G08C17/02 ,  G08C2200/00 ,  G11C5/02 ,  G11C5/06 ,  G11C7/1072 ,  G11C11/56 ,  G11C14/0009 ,  H03M7/30 ,  H03M7/3084 ,  H03M7/3086 ,  H03M7/40 ,  H03M7/4031 ,  H03M7/4056 ,  H03M7/4081 ,  H03M7/6005 ,  H03M7/6023 ,  H04B10/25 ,  H04B10/2504 ,  H04L9/0643 ,  H04L9/14 ,  H04L9/3247 ,  H04L9/3263 ,  H04L12/2809 ,  H04L29/12009 ,  H04L41/024 ,  H04L41/046 ,  H04L41/0813 ,  H04L41/082 ,  H04L41/0896 ,  H04L41/12 ,  H04L41/145 ,  H04L41/147 ,  H04L41/5019 ,  H04L43/065 ,  H04L43/08 ,  H04L43/0817 ,  H04L43/0876 ,  H04L43/0894 ,  H04L43/16 ,  H04L45/02 ,  H04L45/52 ,  H04L47/24 ,  H04L47/765 ,  H04L47/782 ,  H04L47/805 ,  H04L47/82 ,  H04L47/823 ,  H04L49/15 ,  H04L49/25 ,  H04L49/357 ,  H04L49/45 ,  H04L49/555 ,  H04L67/02 ,  H04L67/10 ,  H04L67/1004 ,  H04L67/1008 ,  H04L67/1012 ,  H04L67/1014 ,  H04L67/1029 ,  H04L67/1034 ,  H04L67/1097 ,  H04L67/12 ,  H04L67/16 ,  H04L67/306 ,  H04L67/34 ,  H04L69/04 ,  H04L69/329 ,  H04Q1/04 ,  H04Q11/0003 ,  H04Q11/0005 ,  H04Q11/0062 ,  H04Q11/0071 ,  H04Q2011/0037 ,  H04Q2011/0052 ,  H04Q2011/0073 ,  H04Q2011/0079 ,  H04Q2011/0086 ,  H04Q2213/13523 ,  H04Q2213/13527 ,  H04W4/023 ,  H04W4/80 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/181 ,  H05K5/0204 ,  H05K7/1418 ,  H05K7/1421 ,  H05K7/1422 ,  H05K7/1447 ,  H05K7/1461 ,  H05K7/1485 ,  H05K7/1487 ,  H05K7/1491 ,  H05K7/1492 ,  H05K7/1498 ,  H05K7/2039 ,  H05K7/20709 ,  H05K7/20727 ,  H05K7/20736 ,  H05K7/20745 ,  H05K7/20836 ,  H05K13/0486 ,  H05K2201/066 ,  H05K2201/10121 ,  H05K2201/10159 ,  H05K2201/10189 ,  Y10S901/01

Abstract: 描述了用於自動資料中心維護的技術。在範例實施例中，自動維護裝置可以包含處理電路和包含供該處理電路執行的指令的非暫態電腦可讀取儲存媒體，以使該自動維護裝置用以從資料中心的自動化協調器接收自動化命令、識別基於所接收的命令自動化命令的自動維護程序，並執行所識別的自動維護程序。描述和要求保護其它實施例。

Abstract in simplified Chinese: 描述了用于自动数据中心维护的技术。在范例实施例中，自动维护设备可以包含处理电路和包含供该处理电路运行的指令的非暂态电脑可读取存储媒体，以使该自动维护设备用以从数据中心的自动化协调器接收自动化命令、识别基于所接收的命令自动化命令的自动维护进程，并运行所识别的自动维护进程。描述和要求保护其它实施例。

公开(公告)号：TW201807587A

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW106120402

申请日：2017-06-19

Applicant: 阿里巴巴集團服務有限公司 ,  ALIBABA GROUP SERVICES LIMITED

Inventor： 李舒

IPC: G06F13/16 ,  G06F3/06

CPC classification number: G06F3/0611 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0688

Abstract: 藉由降低長尾讀取的出現及預測性建立資料互連以縮短平均讀取延遲及增加記憶體儲存系統穩固性來增加記憶體儲存系統的性能。可執行拭除編碼程序以在不同資料段之間發展關聯性以及形成資料群組。如果記憶體儲存裝置暫時或長期無法達到資料讀取請求，則可執行資料群組化程序以將資料恢復成原始形式。能夠利用最小距離間隔(MDS)碼可能，以讀取預測性擷取讀取結果所需之最少量的資料段來取代從實體分頁直接讀取。

Abstract in simplified Chinese: 借由降低长尾读取的出现及预测性创建数据互连以缩短平均读取延迟及增加内存存储系统稳固性来增加内存存储系统的性能。可运行拭除编码进程以在不同数据段之间发展关联性以及形成数据群组。如果内存存储设备暂时或长期无法达到数据读取请求，则可运行数据群组化进程以将数据恢复成原始形式。能够利用最小距离间隔(MDS)码可能，以读取预测性截取读取结果所需之最少量的数据段来取代从实体分页直接读取。

公开(公告)号：TW201805817A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106124246

申请日：2017-07-20

Applicant: 旺宏電子股份有限公司 ,  MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.

Inventor： 洪俊雄 ,  HUNG, CHUN-HSIUNG ,  張坤龍 ,  CHANG, KUEN-LONG ,  陳耕暉 ,  CHEN, KEN-HUI ,  黃世昌 ,  HUANG, SHIH-CHANG

IPC: G06F12/14

CPC classification number: H04L9/3278 ,  G06F3/0622 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0688 ,  G06F7/588 ,  G06F11/1068 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/1408 ,  G06F12/1425 ,  G06F13/42 ,  G06F21/31 ,  G06F21/604 ,  G06F21/75 ,  G06F2212/1052 ,  G06F2212/402 ,  G11C7/10 ,  G11C7/24 ,  G11C8/20 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/10 ,  G11C16/22 ,  G11C16/26 ,  H04L9/0816 ,  H04L9/0866 ,  H04L9/088 ,  H04L2209/046 ,  H04L2209/34

Abstract: 本發明闡述一種利用儲存於非揮發性記憶體中的安全金鑰以及在包括例如快閃記憶體胞元等非揮發性記憶體胞元的積體電路上產生基於物理不可複製功能的資料集的系統及方法。所述方法包括：將安全金鑰儲存於非揮發性記憶體陣列的多個區塊中的特定區塊中；在耦接至非揮發性記憶體陣列的安全邏輯電路中，在協定中利用儲存於特定區塊中的安全金鑰來允許外部裝置或通訊網路經由埠存取儲存於多個區塊中的各區塊中的資料；以及允許安全邏輯電路特定區塊進行唯讀存取以供在協定中使用，並阻止經由埠存取特定區塊。

Abstract in simplified Chinese: 本发明阐述一种利用存储于非挥发性内存中的安全密钥以及在包括例如闪存胞元等非挥发性内存胞元的集成电路上产生基于物理不可复制功能的数据集的系统及方法。所述方法包括：将安全密钥存储于非挥发性内存数组的多个区块中的特定区块中；在耦接至非挥发性内存数组的安全逻辑电路中，在协定中利用存储于特定区块中的安全密钥来允许外部设备或通信网络经由端口存取存储于多个区块中的各区块中的数据；以及允许安全逻辑电路特定区块进行唯读存取以供在协定中使用，并阻止经由端口存取特定区块。

公开(公告)号：TWI614751B

公开(公告)日：2018-02-11

申请号：TW105124675

申请日：2016-08-03

Applicant: 東芝記憶體股份有限公司 ,  TOSHIBA MEMORY CORPORATION

Inventor： 王維漢 ,  WANG, WEIHAN ,  橋本寿文 ,  HASHIMOTO, TOSHIFUMI ,  柴田昇 ,  SHIBATA, NOBORU

IPC: G11C11/413 ,  G11C11/417

CPC classification number: G11C11/5642 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0688 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/32

公开(公告)号：TWI614606B

公开(公告)日：2018-02-11

申请号：TW106114105

申请日：2017-04-27

Applicant: 新唐科技股份有限公司 ,  NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION

Inventor： 馬格利特 伊蘭 ,  MARGALIT, ILAN ,  日弗 赫詩曼 ,  ZIV, HERSHMAN ,  丹 摩瑞 ,  DAN, MORAV ,  伊內特 路庫 ,  EINAT, LUKO ,  奧倫 塔納米 ,  OREN, TANAMI ,  尤瑟夫 塔米 ,  YOSSEF, TALMI

IPC: G06F12/0871 ,  G06F12/0877 ,  G11C16/14

CPC classification number: G06F3/0616 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0653 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0688

公开(公告)号：TW201804282A

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW106118344

申请日：2017-06-02

Applicant: 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 亞迪雷塔 馬修 J. ,  ADILETTA, MATTHEW J. ,  高里尤斯 艾隆 ,  GORIUS, AARON ,  維爾迪 麥里斯 ,  WILDE, MYLES ,  克洛克 麥可 T. ,  CROCKER, MICHAEL T.

IPC: G06F1/16 ,  G06F1/20 ,  H05K7/20

CPC classification number: H05K7/1489 ,  B25J15/0014 ,  B65G1/0492 ,  G02B6/3882 ,  G02B6/3893 ,  G02B6/3897 ,  G02B6/4292 ,  G02B6/4452 ,  G05D23/1921 ,  G05D23/2039 ,  G06F1/183 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0611 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/0638 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0647 ,  G06F3/0653 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0664 ,  G06F3/0665 ,  G06F3/067 ,  G06F3/0673 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0683 ,  G06F3/0688 ,  G06F3/0689 ,  G06F8/65 ,  G06F9/4401 ,  G06F9/5016 ,  G06F9/5044 ,  G06F9/505 ,  G06F9/5072 ,  G06F9/5077 ,  G06F11/141 ,  G06F11/3414 ,  G06F12/0862 ,  G06F12/0893 ,  G06F12/10 ,  G06F12/109 ,  G06F12/1408 ,  G06F13/161 ,  G06F13/1668 ,  G06F13/1694 ,  G06F13/4022 ,  G06F13/4068 ,  G06F13/409 ,  G06F13/42 ,  G06F13/4282 ,  G06F15/8061 ,  G06F17/30949 ,  G06F2209/5019 ,  G06F2209/5022 ,  G06F2212/1008 ,  G06F2212/1024 ,  G06F2212/1041 ,  G06F2212/1044 ,  G06F2212/152 ,  G06F2212/202 ,  G06F2212/401 ,  G06F2212/402 ,  G06F2212/7207 ,  G06Q10/06 ,  G06Q10/06314 ,  G06Q10/087 ,  G06Q10/20 ,  G06Q50/04 ,  G07C5/008 ,  G08C17/02 ,  G08C2200/00 ,  G11C5/02 ,  G11C5/06 ,  G11C7/1072 ,  G11C11/56 ,  G11C14/0009 ,  H03M7/30 ,  H03M7/3084 ,  H03M7/3086 ,  H03M7/40 ,  H03M7/4031 ,  H03M7/4056 ,  H03M7/4081 ,  H03M7/6005 ,  H03M7/6023 ,  H04B10/25 ,  H04B10/2504 ,  H04L9/0643 ,  H04L9/14 ,  H04L9/3247 ,  H04L9/3263 ,  H04L12/2809 ,  H04L29/12009 ,  H04L41/024 ,  H04L41/046 ,  H04L41/0813 ,  H04L41/082 ,  H04L41/0896 ,  H04L41/12 ,  H04L41/145 ,  H04L41/147 ,  H04L41/5019 ,  H04L43/065 ,  H04L43/08 ,  H04L43/0817 ,  H04L43/0876 ,  H04L43/0894 ,  H04L43/16 ,  H04L45/02 ,  H04L45/52 ,  H04L47/24 ,  H04L47/765 ,  H04L47/782 ,  H04L47/805 ,  H04L47/82 ,  H04L47/823 ,  H04L49/15 ,  H04L49/25 ,  H04L49/357 ,  H04L49/45 ,  H04L49/555 ,  H04L67/02 ,  H04L67/10 ,  H04L67/1004 ,  H04L67/1008 ,  H04L67/1012 ,  H04L67/1014 ,  H04L67/1029 ,  H04L67/1034 ,  H04L67/1097 ,  H04L67/12 ,  H04L67/16 ,  H04L67/306 ,  H04L67/34 ,  H04L69/04 ,  H04L69/329 ,  H04Q1/04 ,  H04Q11/0003 ,  H04Q11/0005 ,  H04Q11/0062 ,  H04Q11/0071 ,  H04Q2011/0037 ,  H04Q2011/0052 ,  H04Q2011/0073 ,  H04Q2011/0079 ,  H04Q2011/0086 ,  H04Q2213/13523 ,  H04Q2213/13527 ,  H04W4/023 ,  H04W4/80 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/181 ,  H05K5/0204 ,  H05K7/1418 ,  H05K7/1421 ,  H05K7/1422 ,  H05K7/1447 ,  H05K7/1461 ,  H05K7/1485 ,  H05K7/1487 ,  H05K7/1491 ,  H05K7/1492 ,  H05K7/1498 ,  H05K7/2039 ,  H05K7/20709 ,  H05K7/20727 ,  H05K7/20736 ,  H05K7/20745 ,  H05K7/20836 ,  H05K13/0486 ,  H05K2201/066 ,  H05K2201/10121 ,  H05K2201/10159 ,  H05K2201/10189 ,  Y10S901/01

Abstract: 範例可包括用於一資料中心的機架與用於該等機架的滑橇，該等滑橇被配置為可容裝用於該資料中心的實體資源。該等滑橇與機架可配置為藉由諸如一機器而自主性操縱。該等滑橇與機架可包括促進自動化安裝、移除、維護與操縱的特徵。

Abstract in simplified Chinese: 范例可包括用于一数据中心的机架与用于该等机架的滑橇，该等滑橇被配置为可容装用于该数据中心的实体资源。该等滑橇与机架可配置为借由诸如一机器而自主性操纵。该等滑橇与机架可包括促进自动化安装、移除、维护与操纵的特征。

公开(公告)号：TW201801089A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW105119063

申请日：2016-06-17

Applicant: 群聯電子股份有限公司 ,  PHISON ELECTRONICS CORP.

Inventor： 葉志剛 ,  YEH, CHIH-KANG ,  張博勇 ,  CHANG, PO-YUNG

IPC: G11C16/14

CPC classification number: G11C11/5635 ,  G06F3/0604 ,  G06F3/0638 ,  G06F3/065 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0688 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/08 ,  G11C16/349 ,  G11C16/3495 ,  G11C2211/5641

Abstract: 一種用於可複寫式非揮發性記憶體模組的資料寫入方法。此方法包括：將可複寫式非揮發性記憶體模組的實體抹除單元至少分組為第一區與第二區，其中第二區的實體抹除單元是以單頁程式化模式來寫入資料並且第一區的實體抹除單元是以多頁程式化模式來寫入資料。此方法更包括：接收第一資料；以及判斷在第一區的實體抹除單元之中只有部分實體程式化單元被程式化的實體抹除單元的數目是否小於預定數目，以及若是，則將第一資料寫入至第二區的實體抹除單元。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于可复写式非挥发性内存模块的数据写入方法。此方法包括：将可复写式非挥发性内存模块的实体抹除单元至少分组为第一区与第二区，其中第二区的实体抹除单元是以单页进程化模式来写入数据并且第一区的实体抹除单元是以多页进程化模式来写入数据。此方法更包括：接收第一数据；以及判断在第一区的实体抹除单元之中只有部分实体进程化单元被进程化的实体抹除单元的数目是否小于预定数目，以及若是，则将第一数据写入至第二区的实体抹除单元。