公开(公告)号：TW410379B

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：TW088106870

申请日：1999-04-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 王英郎 ,  王慧玲 ,  鄧覺為 ,  吳斯安

IPC: H01L

Abstract: 本發明中薄膜沈積之方法，可於低溫條件下以電漿加強式化學氣相沈積製程形成氧化矽薄膜，以降低製程的熱預算。本發明中化學氣相薄膜沈積之方法，主要係為在一施加電漿之環境中，使用SiH4及N2O做為反應氣體，並以氬氣做為反應之載氣，在低於約500℃的溫度下，進行氧化矽膜層之沈積。以較佳實施例而言，其反應時之溫度約為300℃至500℃。

Abstract in simplified Chinese: 本发明中薄膜沉积之方法，可于低温条件下以等离子加强式化学气相沉积制程形成氧化硅薄膜，以降低制程的热预算。本发明中化学气相薄膜沉积之方法，主要系为在一施加等离子之环境中，使用SiH4及N2O做为反应气体，并以氩气做为反应之载气，在低于约500℃的温度下，进行氧化硅膜层之沉积。以较佳实施例而言，其反应时之温度约为300℃至500℃。

公开(公告)号：TW409319B

公开(公告)日：2000-10-21

申请号：TW087117708

申请日：1998-10-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 詹俊清 ,  王慧玲 ,  藍錦坤 ,  王英郎

IPC: H01L

Abstract: 本發明係揭露一種在積體電路元件的護層(passivation layer)中，改善氮化矽/SOG界面剝離(delamination)現象的方法。首先，提供一已完成前段邏輯電路元件製作的半導體基板，於該半導體基板上陸續形成一層介電氧化層及一層SOG層;接著，對該SOG層進行表面電漿處理;最後，於該SOG層上，形成一層氮化矽層，則氮化矽/SOG界面將有較好的接著(adhesion）能力。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种在集成电路组件的护层(passivation layer)中，改善氮化硅/SOG界面剥离(delamination)现象的方法。首先，提供一已完成前段逻辑电路组件制作的半导体基板，于该半导体基板上陆续形成一层介电氧化层及一层SOG层;接着，对该SOG层进行表面等离子处理;最后，于该SOG层上，形成一层氮化硅层，则氮化硅/SOG界面将有较好的接着(adhesion）能力。