公开(公告)号：TW444072B

公开(公告)日：2001-07-01

申请号：TW088107174

申请日：1999-05-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 王英郎 ,  詹俊清 ,  鄧覺為 ,  簡宏儒

IPC: C30B

Abstract: 本發明揭露了一種應用於半導體製程中分段沈積護層薄膜之方法。首先於半導體基材表面之導線上，以高密度電漿化學氣相沈積法(HDPCVD)沈積一層介電材料以形成護層薄膜。在此一護層薄膜產生的溫度高於導線所能承受之範圍前，即停止此段沈積反應的進行，並於晶圓的背面通入冷卻氣體以降低晶圓表面的溫度。最後再以不同速率的高密度電漿化學氣相沈積製程，以形成具有完好導線之護層薄膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露了一种应用于半导体制程中分段沉积护层薄膜之方法。首先于半导体基材表面之导在线，以高密度等离子化学气相沉积法(HDPCVD)沉积一层介电材料以形成护层薄膜。在此一护层薄膜产生的温度高于导线所能承受之范围前，即停止此段沉积反应的进行，并于晶圆的背面通入冷却气体以降低晶圆表面的温度。最后再以不同速率的高密度等离子化学气相沉积制程，以形成具有完好导线之护层薄膜。

公开(公告)号：TW481825B

公开(公告)日：2002-04-01

申请号：TW089120186

申请日：2000-09-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 鄭義榮 ,  詹俊清 ,  鄭文功 ,  王英郎

IPC: H01L

Abstract: 一種高密度電漿化學氣相沈積反應器的清洗方法，在使用高密度電漿化學氣相沈積形成氧化矽於晶片時，亦有部分氧化矽會沉積於反應器壁上，本發明在進行反應器壁清洗步驟前多增加一道將反應器預熱之步驟，使接續進行清洗反應器壁上之氧化矽反應速率增加，如此降低製程所需之時間兩增加產能，本發明係利用電漿並通入氧氣之解離方式，用以增加反應氣溫度，達到預熱之效果。

Abstract in simplified Chinese: 一种高密度等离子化学气相沉积反应器的清洗方法，在使用高密度等离子化学气相沉积形成氧化硅于芯片时，亦有部分氧化硅会沉积于反应器壁上，本发明在进行反应器壁清洗步骤前多增加一道将反应器预热之步骤，使接续进行清洗反应器壁上之氧化硅反应速率增加，如此降低制程所需之时间两增加产能，本发明系利用等离子并通入氧气之解离方式，用以增加反应气温度，达到预热之效果。

公开(公告)号：TW439188B

公开(公告)日：2001-06-07

申请号：TW088120106

申请日：1999-11-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 劉重希 ,  王慧玲 ,  吳斯安 ,  詹俊清 ,  王英郎 ,  管彤華

IPC: H01L

Abstract: 本發明係揭露一種積體電路中含氟介電層之製程方法。在積體電路製程逐漸進入深次微米領域時，其內連線設計已發展成為四層以上的多重金屬內連線製程;但是，在所述多重金屬內連線製程中同時包含銅金屬及含氟矽玻璃(FSG)時，為配合銅金屬製程上之需求，將必須面臨所述含氟矽玻璃中不穩定之氟(F)的吸濕問題。故本發明揭露一種積體電路中含氟介電層之製程方法，利用一多矽氧化層(SRO)以隔絕所述含氟矽玻璃中之氟向外擴散與水氣反應，降低氟對層間結構的影響。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种集成电路中含氟介电层之制程方法。在集成电路制程逐渐进入深次微米领域时，其内连接设计已发展成为四层以上的多重金属内连接制程;但是，在所述多重金属内连接制程中同时包含铜金属及含氟硅玻璃(FSG)时，为配合铜金属制程上之需求，将必须面临所述含氟硅玻璃中不稳定之氟(F)的吸湿问题。故本发明揭露一种集成电路中含氟介电层之制程方法，利用一多硅氧化层(SRO)以隔绝所述含氟硅玻璃中之氟向外扩散与水汽反应，降低氟对层间结构的影响。

公开(公告)号：TW409319B

公开(公告)日：2000-10-21

申请号：TW087117708

申请日：1998-10-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 詹俊清 ,  王慧玲 ,  藍錦坤 ,  王英郎

IPC: H01L

Abstract: 本發明係揭露一種在積體電路元件的護層(passivation layer)中，改善氮化矽/SOG界面剝離(delamination)現象的方法。首先，提供一已完成前段邏輯電路元件製作的半導體基板，於該半導體基板上陸續形成一層介電氧化層及一層SOG層;接著，對該SOG層進行表面電漿處理;最後，於該SOG層上，形成一層氮化矽層，則氮化矽/SOG界面將有較好的接著(adhesion）能力。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种在集成电路组件的护层(passivation layer)中，改善氮化硅/SOG界面剥离(delamination)现象的方法。首先，提供一已完成前段逻辑电路组件制作的半导体基板，于该半导体基板上陆续形成一层介电氧化层及一层SOG层;接着，对该SOG层进行表面等离子处理;最后，于该SOG层上，形成一层氮化硅层，则氮化硅/SOG界面将有较好的接着(adhesion）能力。

公开(公告)号：TW475203B

公开(公告)日：2002-02-01

申请号：TW089103190

申请日：2000-02-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 吳斯安 ,  詹俊清 ,  鄭文功 ,  王英郎

IPC: H01L

Abstract: 一種無機抗反射塗佈層的製作方法，採用氬氣作為攜帶氣體以取代氦氣，可以提升所製抗反射層的均勻度，增進曝光的精確度，並可大幅降低製作成本，對於電子半導體製造工業而言，極具價值。

Abstract in simplified Chinese: 一种无机抗反射涂布层的制作方法，采用氩气作为携带气体以取代氦气，可以提升所制抗反射层的均匀度，增进曝光的精确度，并可大幅降低制作成本，对于电子半导体制造工业而言，极具价值。

公开(公告)号：TW382763B

公开(公告)日：2000-02-21

申请号：TW087100355

申请日：1998-01-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 詹俊清 ,  簡宏儒 ,  陳俊彰 ,  王英郎

IPC: H01L

Abstract: 一種在積體電路中形成低粒子數氧化矽層的方法，首先在進行穩定化步驟之前，先以氧化二氮N2O、氮氣N2或其混合氣體進行預流步驟。接著進行穩定化步驟，將反應氣體SiH4和N2O通入電漿加強式化學氣相沉積室，但不開啟電漿產生器的電源。最後進行沉積步驟，將反應氣體SiH4和 N20繼續通入該化學氣相沉積室，並開啟電漿產生器的電源，此時SiH4和N2O離子會在晶片表面反應而生成二氧化矽 SiO2，並沉積在晶片表面以形成二氧化矽薄膜。

Abstract in simplified Chinese: 一种在集成电路中形成低粒子数氧化硅层的方法，首先在进行稳定化步骤之前，先以氧化二氮N2O、氮气N2或其混合气体进行预流步骤。接着进行稳定化步骤，将反应气体SiH4和N2O通入等离子加强式化学气相沉积室，但不打开等离子产生器的电源。最后进行沉积步骤，将反应气体SiH4和 N20继续通入该化学气相沉积室，并打开等离子产生器的电源，此时SiH4和N2O离子会在芯片表面反应而生成二氧化硅 SiO2，并沉积在芯片表面以形成二氧化硅薄膜。