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公开(公告)号：TWI517368B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW101133246
申请日：2012-09-12
Inventor： 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 簡榮亮 , CHIEN, VOLUME , 吳斯安 , WU, SZU AN
IPC: H01L27/14 , H01L21/265
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14685 , H01L27/14698
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公开(公告)号：TWI484652B
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：TW101143199
申请日：2012-11-20
Inventor： 張世杰 , CHANG, SHIH CHIEH , 蔡建欣 , TSAI, JIAN SHIN , 黃志昌 , HUANG, CHIH CHANG , 李盈儒 , LEE, ING JU , 孫敬堯 , SUN, CHING YAO , 吳鈞儒 , WU, JYUN RU , 黃敬哲 , HUANG, CHING CHE , 吳斯安 , WU, SZU AN , 王英郎 , WANG, YING LANG
IPC: H01L31/167 , H01L31/173 , H01L31/18
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L27/14685
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公开(公告)号：TW201334164A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101116621
申请日：2012-05-10
Inventor： 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 吳斯安 , WU, SZU AN , 陳聖文 , CHEN, SHENG WEN
CPC classification number: H01L27/1446 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 本發明提供一種裝置，其包含具有一正面與一背面的一半導體基板。一光敏裝置是設置在上述半導體基板的上述正面上。彼此平行的一第一柵線(grid line)與一第二柵線，在上述半導體基板的上述背面上並置於上述半導體基板上。一堆疊層，其包含：一黏著層；一金屬層，在上述黏著層上；以及一高折射係數層在上述金屬層上。上述黏著層、上述金屬層與上述高折射係數層是實質上共形(conformal)的，並延伸至上述第一及第二柵線的上表面與側壁。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种设备，其包含具有一正面与一背面的一半导体基板。一光敏设备是设置在上述半导体基板的上述正面上。彼此平行的一第一栅线(grid line)与一第二栅线，在上述半导体基板的上述背面上并置于上述半导体基板上。一堆栈层，其包含：一黏着层；一金属层，在上述黏着层上；以及一高折射系数层在上述金属层上。上述黏着层、上述金属层与上述高折射系数层是实质上共形(conformal)的，并延伸至上述第一及第二栅线的上表面与侧壁。
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公开(公告)号：TWI463664B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW101103226
申请日：2012-02-01
Inventor： 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 吳斯安 , WU, SZU AN , 王英郎 , WANG, YING LANG , 劉繼文 , LIU, CHI WEN
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66545
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公开(公告)号：TW201314902A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101103226
申请日：2012-02-01
Inventor： 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 吳斯安 , WU, SZU AN , 王英郎 , WANG, YING LANG , 劉繼文 , LIU, CHI WEN
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66545
Abstract: 本發明係提供一種具有氮化鈦鋁潤濕/阻障層之金屬堆疊及其製造方法。在一實施例中，積體電路裝置包含一半導體基材及一閘極堆疊設置於此半導體基材上。金屬堆疊包含一閘極介電層設置於此半導體基材上；一功函數層設置於此閘極介電層上；一多功能潤濕/阻障層設置於此功函數層上；及一導電層設置於此多功能潤濕/阻障層上，其中此多功能潤濕/阻障層係為一氮化鈦鋁層。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种具有氮化钛铝润湿/阻障层之金属堆栈及其制造方法。在一实施例中，集成电路设备包含一半导体基材及一闸极堆栈设置于此半导体基材上。金属堆栈包含一闸极介电层设置于此半导体基材上；一功函数层设置于此闸极介电层上；一多功能润湿/阻障层设置于此功函数层上；及一导电层设置于此多功能润湿/阻障层上，其中此多功能润湿/阻障层系为一氮化钛铝层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW518643B
公开(公告)日：2003-01-21
申请号：TW090121875
申请日：2001-09-04
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 一種高密度電漿化學氣相沉積反應室與形成反應室保護層之方法，適用於製造以含氟矽玻璃為介電材料之內金屬介電層，該反應室具有一反應室內壁以及覆蓋於該反應室內壁表面之氮氧化矽保護層。形成該保護層的步驟包括先以清潔用氣體清洗反應室，然後在反應室內壁表面上形成氮氧化矽保護層。氮氧化矽保護層係一較為堅韌之保護膜，可以在進行含氟矽玻璃之沉積製程時，有效減少由反應室剝落粒子所造成之污染。
Abstract in simplified Chinese: 一种高密度等离子化学气相沉积反应室与形成反应室保护层之方法，适用于制造以含氟硅玻璃为介电材料之内金属介电层，该反应室具有一反应室内壁以及覆盖于该反应室内壁表面之氮氧化硅保护层。形成该保护层的步骤包括先以清洁用气体清洗反应室，然后在反应室内壁表面上形成氮氧化硅保护层。氮氧化硅保护层系一较为坚韧之保护膜，可以在进行含氟硅玻璃之沉积制程时，有效减少由反应室剥落粒子所造成之污染。
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公开(公告)号：TW490726B
公开(公告)日：2002-06-11
申请号：TW090124754
申请日：2001-10-05
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 一種多製程室整合型平台，其至少包含：一組處理室，其中該組處理室包含複數個處理室，用以提供複數個連續半導體製程步驟的製程環境，且任一該處理室只提供單一半導體製程步驟的製程環境，以使置入該處理室中的半導體晶圓恰只完成該複數個連續半導體製程步驟之單一製程步驟；一冷卻室，用以提供半導體晶圓冷卻環境，以冷卻由該組處理室處所轉送過來的半導體晶圓；一出入緩衝室，用以提供半導體晶圓進出該平台前之緩衝環境；一組機械手臂，其中該組機械手臂至少包含一機械手臂，用以運載半導體晶圓於該複數個處理室、該冷卻室與該出入緩衝室之間。
Abstract in simplified Chinese: 一种多制程室集成型平台，其至少包含：一组处理室，其中该组处理室包含复数个处理室，用以提供复数个连续半导体制程步骤的制程环境，且任一该处理室只提供单一半导体制程步骤的制程环境，以使置入该处理室中的半导体晶圆恰只完成该复数个连续半导体制程步骤之单一制程步骤；一冷却室，用以提供半导体晶圆冷却环境，以冷却由该组处理室处所转送过来的半导体晶圆；一出入缓冲室，用以提供半导体晶圆进出该平台前之缓冲环境；一组机械手臂，其中该组机械手臂至少包含一机械手臂，用以运载半导体晶圆于该复数个处理室、该冷却室与该出入缓冲室之间。
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公开(公告)号：TWI481016B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW101116621
申请日：2012-05-10
Inventor： 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 吳斯安 , WU, SZU AN , 陳聖文 , CHEN, SHENG WEN
CPC classification number: H01L27/1446 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14689
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公开(公告)号：TWI446448B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW097108917
申请日：2008-03-13
Inventor： 王喻生 , WANG, YU SHENG , 林世和 , LIN, SHIH HO , 陳科維 , CHEN, KEI WEI , 吳斯安 , WU, SZU AN , 王英郎 , WANG, YING LANG
IPC: H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/76814 , H01L21/02063 , H01L21/76828 , H01L21/76843
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公开(公告)号：TW527684B
公开(公告)日：2003-04-11
申请号：TW090125270
申请日：2001-10-12
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 本發明提供一種以氟矽玻璃當作金屬層間介電層的製造方法，其方法係為使用含氮氣(N2)的氟矽玻璃製程氣體，在基底上沈積氟矽玻璃層。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种以氟硅玻璃当作金属层间介电层的制造方法，其方法系为使用含氮气(N2)的氟硅玻璃制程气体，在基底上沉积氟硅玻璃层。
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