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    實質上沒有起皺缺陷的電解銅箔、包含其的電極、包含其的二次電池、及其製造方法
    14.
    发明专利
    實質上沒有起皺缺陷的電解銅箔、包含其的電極、包含其的二次電池、及其製造方法 审中-公开
    实质上没有起皱缺陷的电解铜箔、包含其的电极、包含其的二次电池、及其制造方法

    公开(公告)号：TW201825285A

    公开(公告)日：2018-07-16

    申请号：TW107101278

    申请日：2018-01-12

    Applicant: 南韓商LS美創有限公司 ,  LS MTRON LTD.

    Inventor： 金昇玟 ,  KIM, SEUNG-MIN ,  金善花 ,  JIN, SHAN HUA

    IPC: B32B15/01 ,  H01M4/13 ,  H01M4/38 ,  H01M10/052 ,  C25D7/06 ,  C25D3/38 ,  C25D5/12

    Abstract: 本發明提供實質上沒有起皺缺陷的電解銅箔、包含其的電極、包含其的二次電池、及其製造方法。電解銅箔具有一第一表面和相對於第一表面之一第二表面。該第一表面和該第二表面各具有4.8 至16.1的一輪廓最大比率(profile maximum ratio，PMR)，其中該輪廓最大比率的範圍為4.8 至16.1 (這裡，PMR為表示一最大高度粗糙度（Rmax）與一算術平均粗糙度（Ra）的一比率（Rmax/ /Ra）)；以及該電解銅箔的（220）面的織構係數[TC(220)]的範圍為0.49至1.28，降伏強度的範圍為35 kgf/mm2至58 kgf/mm2，以及重量偏差的範圍為等於小於3%。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供实质上没有起皱缺陷的电解铜箔、包含其的电极、包含其的二次电池、及其制造方法。电解铜箔具有一第一表面和相对于第一表面之一第二表面。该第一表面和该第二表面各具有4.8 至16.1的一轮廓最大比率(profile maximum ratio，PMR)，其中该轮廓最大比率的范围为4.8 至16.1 (这里，PMR为表示一最大高度粗糙度（Rmax）与一算术平均粗糙度（Ra）的一比率（Rmax/ /Ra）)；以及该电解铜箔的（220）面的织构系数[TC(220)]的范围为0.49至1.28，降伏强度的范围为35 kgf/mm2至58 kgf/mm2，以及重量偏差的范围为等于小于3%。

    軟性銅箔基板及其製造方法
    15.
    发明专利
    軟性銅箔基板及其製造方法 审中-公开
    软性铜箔基板及其制造方法

    公开(公告)号：TW201815234A

    公开(公告)日：2018-04-16

    申请号：TW106133189

    申请日：2017-09-27

    Applicant: LS美創有限公司 ,  LS MTRON LTD.

    Inventor： 宋炳吉 ,  SONG, BYEONG KIL ,  柳漢權 ,  RYU, HAN GWON ,  李滿炯 ,  LEE, MAN HYUNG ,  廉貞恩 ,  YEOM, JUNG EUN

    IPC: H05K1/02 ,  H05K3/18 ,  C23C14/34 ,  C25D21/12

    Abstract: 本發明揭露了一種具有較低的尺寸變化率的軟性銅箔基板（FCCL），可防止電路圖案產生缺陷，及揭露了一種其製造方法。軟性銅箔基板包含一非導電聚合物膜、一第一塗層、一第一銅層、一第二塗層以及一第二銅層。非導電聚合物膜具有一第一表面和與該第一表面相對的一第二表面。第一塗層位於該非導電聚合物膜的該第一表面上。第一銅層位於該第一塗層上。第二塗層位於該非導電聚合物膜的該第二表面上。第二銅層位於該第二塗層上。沖孔後的機械方向（MD）收縮率RMD為0微米（mm）至-40mm。沖孔後的橫向方向（TD）收縮率RTD為0mm至20mm。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露了一种具有较低的尺寸变化率的软性铜箔基板（FCCL），可防止电路图案产生缺陷，及揭露了一种其制造方法。软性铜箔基板包含一非导电聚合物膜、一第一涂层、一第一铜层、一第二涂层以及一第二铜层。非导电聚合物膜具有一第一表面和与该第一表面相对的一第二表面。第一涂层位于该非导电聚合物膜的该第一表面上。第一铜层位于该第一涂层上。第二涂层位于该非导电聚合物膜的该第二表面上。第二铜层位于该第二涂层上。冲孔后的机械方向（MD）收缩率RMD为0微米（mm）至-40mm。冲孔后的横向方向（TD）收缩率RTD为0mm至20mm。

    電解銅箔和產生電解銅箔之方法、及用於鋰二次電池之集流體、以及含有該電解銅箔之二次電池
    16.
    发明专利
    電解銅箔和產生電解銅箔之方法、及用於鋰二次電池之集流體、以及含有該電解銅箔之二次電池 审中-公开
    电解铜箔和产生电解铜箔之方法、及用于锂二次电池之集流体、以及含有该电解铜箔之二次电池

    公开(公告)号：TW201602418A

    公开(公告)日：2016-01-16

    申请号：TW104118592

    申请日：2015-06-09

    Applicant: LS 美創有限公司 ,  LS MTRON LTD.

    Inventor： 田鈐培 ,  CHON, GOM-BAI ,  金英泰 ,  KIM, YOUNG-TAE ,  全相炫 ,  JUN, SANG-HYUN ,  李炫雨 ,  LEE, HYUN-WOO ,  李商祐 ,  LEE, SANG-WOO ,  鄭恩善 ,  JEONG, EUN-SEON ,  金東佑 ,  KIM, DONG-WOO

    IPC: C25D1/04 ,  H01M4/64 ,  H01M10/052

    CPC classification number: C23C22/05 ,  C25D3/38 ,  C25D7/06 ,  H01M4/66

    Abstract: 根據本發明之一示範性具體實施例之電解銅箔係符合於當作鋰二次電池的一集流體使用的電解銅箔，且當在190℃退火達1小時，該電解銅箔具有介於5.0和18.0間範圍的斷裂模數特徵(f)，其中該斷裂模數特徵(f)是定義為f＝{(C－B)/A}×1000，其中A表示當該電解銅箔的斷裂在該電解銅箔的拉伸測試開始時的時間點處的該電解銅箔的應力；B表示當該電解銅箔的斷裂開始時的時間點處的延伸；C表示當該電解銅箔的斷裂結束時的時間點處的延伸，當該電解銅箔的斷裂開始時的該時間點係對應於當該隨著逐漸增加延伸而增加的應力開始在拉伸測試中減少時的一時間點，且當該電解銅箔的斷裂結束時的該時間點係對應於當該電解銅箔斷裂且分成兩或多個片段時的一時間點。

    Abstract in simplified Chinese: 根据本发明之一示范性具体实施例之电解铜箔系符合于当作锂二次电池的一集流体使用的电解铜箔，且当在190℃退火达1小时，该电解铜箔具有介于5.0和18.0间范围的断裂模数特征(f)，其中该断裂模数特征(f)是定义为f＝{(C－B)/A}×1000，其中A表示当该电解铜箔的断裂在该电解铜箔的拉伸测试开始时的时间点处的该电解铜箔的应力；B表示当该电解铜箔的断裂开始时的时间点处的延伸；C表示当该电解铜箔的断裂结束时的时间点处的延伸，当该电解铜箔的断裂开始时的该时间点系对应于当该随着逐渐增加延伸而增加的应力开始在拉伸测试中减少时的一时间点，且当该电解铜箔的断裂结束时的该时间点系对应于当该电解铜箔断裂且分成两或多个片段时的一时间点。

    半導體封裝用的接合糊組合物 ATTACH PASTE COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE
    17.
    发明专利
    半導體封裝用的接合糊組合物 ATTACH PASTE COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE 审中-公开
    半导体封装用的接合煳组合物 ATTACH PASTE COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE

    公开(公告)号：TW200927869A

    公开(公告)日：2009-07-01

    申请号：TW097137245

    申请日：2008-09-26

    Applicant: LS曼川公司 LS MTRON LTD.

    Inventor： 徐準模 SEO, JOON-MO ,  姜炳彥 KANG, BYOUNG-UN ,  金載勳 KIM, JAE-HOON ,  金知恩 KIM, JI-EUN ,  李俊雨 LEE, JUN-WOO

    IPC: C09J ,  H01L

    CPC classification number: C08L21/00 ,  C08L15/00 ,  C08L63/00 ,  C08L2666/04 ,  C09J163/00 ,  H01L2924/0002 ,  C08L2666/14 ,  H01L2924/00

    Abstract: 在此揭示一種半導體封裝用的接合糊組合物。此半導體封裝用的接合糊組合物包含一混合樹脂(a mixed resin),或是一由彈性樹脂與環氧樹脂混合而成的混合物做為基礎樹脂。此時,該基礎樹脂包括50~95%(重量%)的彈性樹脂與5~50%(重量%)的環氧樹脂。本發明可讓使用晶粒黏劑的傳統半導體封裝方法免除在經由絲網印刷步驟而施加晶粒黏劑之後所必需使用的預-乾燥處理,和封埋處理後所必需使用的熱硬化處理,並維持晶粒黏劑本身的性質,確保半導體產品的烤靠度且實現簡化製程的目地。

    Abstract in simplified Chinese: 在此揭示一种半导体封装用的接合煳组合物。此半导体封装用的接合煳组合物包含一混合树脂(a mixed resin),或是一由弹性树脂与环氧树脂混合而成的混合物做为基础树脂。此时,该基础树脂包括50~95%(重量%)的弹性树脂与5~50%(重量%)的环氧树脂。本发明可让使用晶粒黏剂的传统半导体封装方法免除在经由丝网印刷步骤而施加晶粒黏剂之后所必需使用的预-干燥处理,和封埋处理后所必需使用的热硬化处理,并维持晶粒黏剂本身的性质,确保半导体产品的烤靠度且实现简化制程的目地。

    具有嵌入式天線之無線通訊晶片、用於無線通訊晶片之嵌入式天線及具有嵌入式天線之無線通訊晶片之製造方法
    19.
    发明专利
    具有嵌入式天線之無線通訊晶片、用於無線通訊晶片之嵌入式天線及具有嵌入式天線之無線通訊晶片之製造方法 审中-公开
    具有嵌入式天线之无线通信芯片、用于无线通信芯片之嵌入式天线及具有嵌入式天线之无线通信芯片之制造方法

    公开(公告)号：TW201911532A

    公开(公告)日：2019-03-16

    申请号：TW107128046

    申请日：2018-08-10

    Applicant: 南韓商LS美創有限公司 ,  LS MTRON LTD.

    Inventor： 金兌炯 ,  KIM, TAE HYUNG ,  李昇勳 ,  LEE, SEUNG HUN ,  阮 氏姮 ,  NGUYEN, HANGNGA ,  韓昇洙 ,  HAN, SEONG SOO ,  金暎昊 ,  KIM, YOUNG HO

    IPC: H01L25/10 ,  H01Q1/22 ,  H01L21/70

    Abstract: 本發明係關於具有嵌入式天線之無線通訊晶片。無線通訊晶片包含基板、無線通訊積體電路以及天線塊。基板包含第一安裝區域以及第二安裝區域。無線通訊積體電路安裝於第一安裝區域。天線塊安裝於第二安裝區域。其中天線塊包含第一天線、寄生元件、連接元件、絕緣層及第二天線。第一天線形成於基板上。寄生元件形成於基板上以與第一天線間隔，並用以引起與第一天線之耦合。連接元件連接於第一天線。絕緣層形成於第一天線、寄生元件以及連接元件上以覆蓋第一天線、寄生元件以及連接元件。第二天線形成於絕緣層且藉由連接元件電性連接第一天線。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于具有嵌入式天线之无线通信芯片。无线通信芯片包含基板、无线通信集成电路以及天线块。基板包含第一安装区域以及第二安装区域。无线通信集成电路安装于第一安装区域。天线块安装于第二安装区域。其中天线块包含第一天线、寄生组件、连接组件、绝缘层及第二天线。第一天线形成于基板上。寄生组件形成于基板上以与第一天线间隔，并用以引起与第一天线之耦合。连接组件连接于第一天线。绝缘层形成于第一天线、寄生组件以及连接组件上以覆盖第一天线、寄生组件以及连接组件。第二天线形成于绝缘层且借由连接组件电性连接第一天线。

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