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1.

发明专利
堆疊的半導體封裝以及其之製造方法有权
简体标题：堆栈的半导体封装以及其之制造方法

公开(公告)号：TWI619223B

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：TW104133175

申请日：2015-10-08

申请人： 艾馬克科技公司 , AMKOR TECHNOLOGY, INC.

发明人： 朴東久 , PARK, DONG JOO , 朴傑森 , PARK, JAE SUNG , 金錦雄 , KIM, JIN SEONG , 元秋亨 , YOON, JU HOON

IPC分类号： H01L23/538

CPC分类号： H01L24/32 , H01L23/3128 , H01L23/49838 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/27436 , H01L2224/29006 , H01L2224/29294 , H01L2224/29344 , H01L2224/29386 , H01L2224/2939 , H01L2224/29393 , H01L2224/294 , H01L2224/32058 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83385 , H01L2224/83851 , H01L2224/92 , H01L2224/92125 , H01L2224/92225 , H01L2225/1023 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2225/1094 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/15331 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2224/16 , H01L21/56 , H01L21/304 , H01L2224/27 , H01L2224/83 , H01L2924/00

2.

发明专利
功率覆蓋結構及其製造方法有权
简体标题：功率覆盖结构及其制造方法

公开(公告)号：TWI613774B

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW103107093

申请日：2014-03-03

申请人： 奇異電器公司 , GENERAL ELECTRIC COMPANY

发明人： 格達艾朗維盧派克夏 , GOWDA, ARUN VIRUPAKSHA , 喬罕夏卡堤辛夫 , CHAUHAN, SHAKTI SINGH , 麥克考奈利保羅艾倫 , MCCONNELEE, PAUL ALAN

IPC分类号： H01L23/34

CPC分类号： H01L23/49568 , H01L23/4334 , H01L23/4952 , H01L23/49541 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/83192 , H01L2224/92144 , H01L2224/9222 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/00

3.

发明专利
腔穴內焊料互連結構审中-公开
简体标题：腔穴内焊料互链接构

公开(公告)号：TW201803059A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106127638

申请日：2012-03-21

申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION

发明人： 胡傳 , HU, CHUAN , 里夫蕭納 , LIFF, SHAWNA M. , 克萊門斯葛瑞格利 , CLEMONS, GREGORY S.

IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/17 , H01L21/563 , H01L23/3121 , H01L23/3142 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/10126 , H01L2224/10135 , H01L2224/10156 , H01L2224/1131 , H01L2224/11332 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13021 , H01L2224/13111 , H01L2224/16111 , H01L2224/16113 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/1624 , H01L2224/2929 , H01L2224/73103 , H01L2224/73104 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81139 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81424 , H01L2224/81439 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81805 , H01L2224/81815 , H01L2224/83192 , H01L2924/00011 , H01L2924/00012 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H05K1/181 , H01L2924/01083 , H01L2924/00014

摘要： 本發明之揭示係有關製造微電子封裝之領域，其中在被沉積在一第一基材上的一介電層中形成腔穴，以維持各被焊接的互連間之分離。在一實施例中，該等腔穴可具有傾斜側壁。在另一實施例中，可在該等腔穴中沉積一焊料膏，且可在加熱之後形成焊料結構。在其他實施例中，可將該等焊料結構放置在該等腔穴中，或可在該第一基材可被連接到的一第二基材上形成該等焊料結構。在另外的其他實施例中，可在該第一基材及第二基材上形成焊料結構。可使該等焊料結構接觸到且回焊到第二基材上之接觸墊或焊料結構，而將該等焊料結構用來形成焊料互連。

简体摘要： 本发明之揭示系有关制造微电子封装之领域，其中在被沉积在一第一基材上的一介电层中形成腔穴，以维持各被焊接的互连间之分离。在一实施例中，该等腔穴可具有倾斜侧壁。在另一实施例中，可在该等腔穴中沉积一焊料膏，且可在加热之后形成焊料结构。在其他实施例中，可将该等焊料结构放置在该等腔穴中，或可在该第一基材可被连接到的一第二基材上形成该等焊料结构。在另外的其他实施例中，可在该第一基材及第二基材上形成焊料结构。可使该等焊料结构接触到且回焊到第二基材上之接触垫或焊料结构，而将该等焊料结构用来形成焊料互连。

4.

发明专利
封裝結構及其製作方法有权
简体标题：封装结构及其制作方法

公开(公告)号：TWI606565B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：TW105128012

申请日：2016-08-31

申请人： 金寶電子工業股份有限公司 , KINPO ELECTRONICS, INC.

发明人： 鄭有為 , CHENG, YU-WEI

IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/28

CPC分类号： H01L24/09 , H01L21/563 , H01L23/293 , H01L23/49816 , H01L23/4985 , H01L23/49894 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/03622 , H01L2224/03849 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/056 , H01L2224/0569 , H01L2224/0903 , H01L2224/1132 , H01L2224/13007 , H01L2224/13013 , H01L2224/13021 , H01L2224/16012 , H01L2224/16112 , H01L2224/16227 , H01L2224/2732 , H01L2224/27848 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73103 , H01L2224/73204 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2224/83192 , H01L2224/83856 , H01L2224/9211 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2924/0675

5.

发明专利
半導體封裝件及半導體封裝件之製造方法审中-公开
简体标题：半导体封装件及半导体封装件之制造方法

公开(公告)号：TW201739027A

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW106112545

申请日：2017-04-14

申请人： 吉帝偉士股份有限公司 , J-DEVICES CORPORATION

发明人： 丸谷尚一 , MARUTANI, HISAKAZU , 甲斐稔 , KAI, MINORU , 北野一彥 , KITANO, KAZUHIKO

IPC分类号： H01L23/492 , H01L21/306 , B23K26/38

CPC分类号： H01L23/3107 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/82 , H01L23/3128 , H01L23/544 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/8201 , H01L2224/82031 , H01L2224/82039 , H01L2224/83132 , H01L2224/83192 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/14 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/1461 , H01L2924/182 , H01L2924/3025 , H01L2224/83

摘要： 在此提供一種維護頻率降低之半導體封裝件之製造方法。半導體封裝件之製造方法包含以下步驟。於基材上配置多個半導體裝置。形成覆蓋多個半導體裝置之樹脂絕緣層。於樹脂絕緣層形成溝槽，溝槽圍繞多個半導體裝置之各個半導體裝置。令雷射照射於基材之對應於溝槽之區域中，以分離多個半導體裝置之各個半導體裝置。溝槽亦可到達基材。於形成溝槽時，亦可於基材之對應於形成有溝槽之位置形成凹部。

简体摘要： 在此提供一种维护频率降低之半导体封装件之制造方法。半导体封装件之制造方法包含以下步骤。于基材上配置多个半导体设备。形成覆盖多个半导体设备之树脂绝缘层。于树脂绝缘层形成沟槽，沟槽围绕多个半导体设备之各个半导体设备。令激光照射于基材之对应于沟槽之区域中，以分离多个半导体设备之各个半导体设备。沟槽亦可到达基材。于形成沟槽时，亦可于基材之对应于形成有沟槽之位置形成凹部。