公开(公告)号：TWI525821B

公开(公告)日：2016-03-11

申请号：TW102113898

申请日：2013-04-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳居富 ,  CHEN, CHU FU ,  陳家忠 ,  CHEN, CHIA CHUNG ,  黃崎峰 ,  HUANG, CHI FENG ,  梁其翔 ,  LIANG, VICTOR CHIANG

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/66492 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

公开(公告)号：TW201436046A

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：TW103102883

申请日：2014-01-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳家忠 ,  CHEN, CHIA CHUNG ,  黃崎峰 ,  HUANG, CHI FENG ,  傅淑芳 ,  FU, SHU FANG ,  葉子禎 ,  YEH, TZU JIN ,  周淳朴 ,  JOU, CHEWN PU

IPC: H01L21/335

CPC classification number: H01L23/66 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/761 ,  H01L21/7624 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/10 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/45 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6672 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種射頻裝置，包括一半導體底材、一深井區、一井區、一閘極電介質、一閘極電極、一源極區及一汲極區。半導體底材具有一第一導電率形式。深井區位於半導體底材之中。深井區具有一第二導電率形式。井區具有第一導電率形式，並且位於深井區上。半導體底材包括一上部及一底部。上部位於井區上。底部位於深井區下。上部及底部具有第一導電率形式及一高電阻率。閘極電介質位於上部上。閘極電極位於閘極電介質上。源極區及汲極區延伸至上部之中。源極區及汲極區藉由上部被間隔於井區。源極區、汲極區、閘極電介質及閘極電極係形成一射頻開關。

Abstract in simplified Chinese: 一种射频设备，包括一半导体底材、一深井区、一井区、一闸极电介质、一闸极电极、一源极区及一汲极区。半导体底材具有一第一导电率形式。深井区位于半导体底材之中。深井区具有一第二导电率形式。井区具有第一导电率形式，并且位于深井区上。半导体底材包括一上部及一底部。上部位于井区上。底部位于深井区下。上部及底部具有第一导电率形式及一高电阻率。闸极电介质位于上部上。闸极电极位于闸极电介质上。源极区及汲极区延伸至上部之中。源极区及汲极区借由上部被间隔于井区。源极区、汲极区、闸极电介质及闸极电极系形成一射频开关。

公开(公告)号：TWI688108B

公开(公告)日：2020-03-11

申请号：TW106114204

申请日：2017-04-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 蔡輔桓 ,  TSAI, FU-HUAN ,  黃崎峰 ,  HUANG, CHI-FENG ,  陳家忠 ,  CHEN, CHIA-CHUNG ,  梁 其翔 ,  LIANG, VICTOR CHIANG ,  蔡漢旻 ,  TSAI, HAN-MIN

IPC: H01L29/93 ,  H01L21/335