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公开(公告)号：TW201347192A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102113898
申请日：2013-04-19
Inventor： 陳居富 , CHEN, CHU FU , 陳家忠 , CHEN, CHIA CHUNG , 黃崎峰 , HUANG, CHI FENG , 梁其翔 , LIANG, VICTOR CHIANG
CPC classification number: H01L29/66492 , H01L21/28518 , H01L21/76897 , H01L29/6656 , H01L29/66659 , H01L29/7835
Abstract: 本發明提供之元件包括基板，閘極介電層位於基板上，與閘極位於閘極介電層上。汲極區與源極區位於閘極之相反兩側上。絕緣區位於基板中，其中絕緣區之邊緣接觸汲極區與源極區之邊緣。汲極區與其鄰接之部份絕緣區之間具有第一界面，且部份的介電遮罩位於第一界面上。汲極矽化區位於汲極區上，其中汲極矽化區的邊緣實質上對準部份的介電遮罩之邊緣。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供之组件包括基板，闸极介电层位于基板上，与闸极位于闸极介电层上。汲极区与源极区位于闸极之相反两侧上。绝缘区位于基板中，其中绝缘区之边缘接触汲极区与源极区之边缘。汲极区与其邻接之部份绝缘区之间具有第一界面，且部份的介电遮罩位于第一界面上。汲极硅化区位于汲极区上，其中汲极硅化区的边缘实质上对准部份的介电遮罩之边缘。
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公开(公告)号：TW201603289A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104121512
申请日：2015-07-02
Inventor： 陳家忠 , CHEN, CHIA CHUNG , 黃崎峰 , HUANG, CHI FENG , 梁其翔 , LIANG, VICTOR CHIANG
IPC: H01L29/808
Abstract: 一種接面閘極場效電晶體(junction gate field-effect transistor，JFET)包含基板、源極區域形成於基板中、汲極區域形成於基板中、通道區域形成於基板中和至少一閘極區域形成於基板中。通道區域連接源極區域與汲極區域。至少一閘極區域於一個界面接觸源極區域與汲極區域之其中一者，該至少一閘極區域和源極區域與汲極區域之另一者隔離。介電層覆蓋所述界面，同時暴露出閘極區域之一部分，及源極區域與汲極區域之其中一者的一部分。
Abstract in simplified Chinese: 一种接面闸极场效应管(junction gate field-effect transistor，JFET)包含基板、源极区域形成于基板中、汲极区域形成于基板中、信道区域形成于基板中和至少一闸极区域形成于基板中。信道区域连接源极区域与汲极区域。至少一闸极区域于一个界面接触源极区域与汲极区域之其中一者，该至少一闸极区域和源极区域与汲极区域之另一者隔离。介电层覆盖所述界面，同时暴露出闸极区域之一部分，及源极区域与汲极区域之其中一者的一部分。
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公开(公告)号：TWI575667B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW104138905
申请日：2015-11-24
Inventor： 周碩君 , CHOU, SHUO CHUN , 黃崎峰 , HUANG, CHI FENG , 陳家忠 , CHEN, CHIA CHUNG , 梁 其翔 , LIANG, VICTOR CHIANG
CPC classification number: H01L23/585 , H01L23/5223 , H01L23/5225 , H01L23/5227
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公开(公告)号：TW201705380A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104138905
申请日：2015-11-24
Inventor： 周碩君 , CHOU, SHUO CHUN , 黃崎峰 , HUANG, CHI FENG , 陳家忠 , CHEN, CHIA CHUNG , 梁 其翔 , LIANG, VICTOR CHIANG
CPC classification number: H01L23/585 , H01L23/5223 , H01L23/5225 , H01L23/5227
Abstract: 本揭露提供一種半導體裝置。此半導體裝置包括一密封環以及一雜訊吸收電路。雜訊吸收電路電性連接於密封環和一接地墊之間。雜訊吸收電路包括至少一電容與至少一電感，以形成一第一雜訊吸收路徑、一第二雜訊吸收路徑以及一第三雜訊吸收路徑。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种半导体设备。此半导体设备包括一密封环以及一噪声吸收电路。噪声吸收电路电性连接于密封环和一接地垫之间。噪声吸收电路包括至少一电容与至少一电感，以形成一第一噪声吸收路径、一第二噪声吸收路径以及一第三噪声吸收路径。
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公开(公告)号：TWI536461B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW103102883
申请日：2014-01-27
Inventor： 陳家忠 , CHEN, CHIA CHUNG , 黃崎峰 , HUANG, CHI FENG , 傅淑芳 , FU, SHU FANG , 葉子禎 , YEH, TZU JIN , 周淳朴 , JOU, CHEWN PU
IPC: H01L21/335
CPC classification number: H01L23/66 , H01L21/26513 , H01L21/761 , H01L21/7624 , H01L27/0629 , H01L28/10 , H01L28/40 , H01L29/0649 , H01L29/1083 , H01L29/41775 , H01L29/45 , H01L29/665 , H01L29/6656 , H01L29/66568 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L2223/6616 , H01L2223/6627 , H01L2223/6672 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201742252A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105135442
申请日：2016-11-02
Inventor： 傅淑芳 , FU, SHU-FANG , 黃崎峰 , HUANG, CHI-FENG , 陳家忠 , CHEN, CHIA-CHUNG , 梁 其翔 , LIANG, VICTOR CHIANG , 蔡輔桓 , TSAI, FU-HUAN
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823871 , H01L21/823878 , H01L27/0207 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L29/7835 , H03K3/0315
Abstract: 本發明實施例提供一種半導體裝置，包括由基底延伸的鰭片、第一源極/汲極特徵、第二源極/汲極特徵以及在鰭片上的閘極結構。閘極結構以及第一源極/汲極特徵之間的距離不同於閘極結構以及第二源極/汲極特徵之間的距離。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种半导体设备，包括由基底延伸的鳍片、第一源极/汲极特征、第二源极/汲极特征以及在鳍片上的闸极结构。闸极结构以及第一源极/汲极特征之间的距离不同于闸极结构以及第二源极/汲极特征之间的距离。
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公开(公告)号：TWI542005B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW102120060
申请日：2013-06-06
Inventor： 黃崎峰 , HUANG, CHI FENG , 陳家忠 , CHEN, CHIA CHUNG , 梁其翔 , LIANG, VICTOR CHIANG , 劉醇明 , LIU, MINGO
CPC classification number: H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L27/085 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/732 , H01L29/7327 , H01L29/808 , H01L29/861 , H01L29/93
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公开(公告)号：TW201401519A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102120060
申请日：2013-06-06
Inventor： 黃崎峰 , HUANG, CHI FENG , 陳家忠 , CHEN, CHIA CHUNG , 梁其翔 , LIANG, VICTOR CHIANG , 劉醇明 , LIU, MINGO
CPC classification number: H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L27/085 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/732 , H01L29/7327 , H01L29/808 , H01L29/861 , H01L29/93
Abstract: 一種積體電路裝置之製造方法，包括：形成具有一第一導電類型之一深井區於一基板之內；佈植該深井區之一部，以形成一第一閘極；以及佈植該深井區，以形成一井區。該井區與該第一閘極具有相反於該第一導電類型之一第二導電類型。施行一離子佈植，形成具有該第一導電類型之一通道區於該第一閘極之上；佈植覆蓋該通道區之該深井區之一部，以形成具有該第二導電類型之一第二閘極。施行一第一源極/汲極佈植，以形成位於該第二閘極相對側之一第一源極區與一第二汲極區。該第一源極區與該第一汲極區連結於該通道區且覆蓋該通道區與該第一閘極。
Abstract in simplified Chinese: 一种集成电路设备之制造方法，包括：形成具有一第一导电类型之一深井区于一基板之内；布植该深井区之一部，以形成一第一闸极；以及布植该深井区，以形成一井区。该井区与该第一闸极具有相反于该第一导电类型之一第二导电类型。施行一离子布植，形成具有该第一导电类型之一信道区于该第一闸极之上；布植覆盖该信道区之该深井区之一部，以形成具有该第二导电类型之一第二闸极。施行一第一源极/汲极布植，以形成位于该第二闸极相对侧之一第一源极区与一第二汲极区。该第一源极区与该第一汲极区链接于该信道区且覆盖该信道区与该第一闸极。
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公开(公告)号：TWI608626B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW104121512
申请日：2015-07-02
Inventor： 陳家忠 , CHEN, CHIA CHUNG , 黃崎峰 , HUANG, CHI FENG , 梁其翔 , LIANG, VICTOR CHIANG
IPC: H01L29/808
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公开(公告)号：TW201739061A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106114204
申请日：2017-04-28
Inventor： 蔡輔桓 , TSAI, FU-HUAN , 黃崎峰 , HUANG, CHI-FENG , 陳家忠 , CHEN, CHIA-CHUNG , 梁 其翔 , LIANG, VICTOR CHIANG , 蔡漢旻 , TSAI, HAN-MIN
IPC: H01L29/93 , H01L21/335
CPC classification number: H01L27/0727 , H01L21/26513 , H01L27/0629 , H01L29/41791 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/785 , H01L29/93
Abstract: 本發明實施例揭露一種具有低臨界電壓的鰭式場效電晶體變容器及其製作方法。一種方法包括接收位於基底之上的半導體層且半導體層具有通道區、源極區、與汲極區。所述方法包括在半導體層中形成具有第一摻質的井，以及在井中植入第二摻質。第一摻質與第二摻質為相反的摻雜類型。井的第一部分所具有的第二摻質的濃度高於第一摻質的濃度。位於第一部分下方的井的第二部分所具有的第一摻質的濃度高於第二摻質的濃度。所述方法更包括在通道區之上形成閘極堆疊，以及在源極與汲極區中形成源極與汲極特徵。井的第一部分電性連接源極與汲極特徵。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例揭露一种具有低临界电压的鳍式场效应管变容器及其制作方法。一种方法包括接收位于基底之上的半导体层且半导体层具有信道区、源极区、与汲极区。所述方法包括在半导体层中形成具有第一掺质的井，以及在井中植入第二掺质。第一掺质与第二掺质为相反的掺杂类型。井的第一部分所具有的第二掺质的浓度高于第一掺质的浓度。位于第一部分下方的井的第二部分所具有的第一掺质的浓度高于第二掺质的浓度。所述方法更包括在信道区之上形成闸极堆栈，以及在源极与汲极区中形成源极与汲极特征。井的第一部分电性连接源极与汲极特征。
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