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    發光條結構
    2.
    发明专利
    發光條結構 审中-公开
    发光条结构

    公开(公告)号：TW201812208A

    公开(公告)日：2018-04-01

    申请号：TW105135266

    申请日：2016-10-31

    申请人： 友達光電(蘇州)有限公司 ,  AU OPTRONICS (SUZHOU) CORP., LTD. ,  友達光電股份有限公司 ,  AU OPTRONICS CORPORATION

    发明人： 劉瓊 ,  LIU, QIONG ,  魏廣東 ,  WEI, GUANG-DONG

    IPC分类号： F21S4/28 ,  F21V23/00

    CPC分类号： H05B33/089 ,  H01L27/0248 ,  H01L28/40 ,  H01L33/62

    摘要： 一種發光條結構包含一第一基板、一第二基板以及一絕緣層。第一基板包含一第一陽極區域以及複數個元件區域。元件區域分別用以供一發光元件設置。該些元件區域之至少一包含一陽極部分以及一節點部分。陽極部分連接於第一陽極區域。第二基板包含一接地區域以及一第二陽極區域。陽極部分與接地區域對應設置。節點部分與第二陽極區域對應設置。絕緣層設置於第一基板與第二基板之間。

    简体摘要： 一种发光条结构包含一第一基板、一第二基板以及一绝缘层。第一基板包含一第一阳极区域以及复数个组件区域。组件区域分别用以供一发光组件设置。该些组件区域之至少一包含一阳极部分以及一节点部分。阳极部分连接于第一阳极区域。第二基板包含一接地区域以及一第二阳极区域。阳极部分与接地区域对应设置。节点部分与第二阳极区域对应设置。绝缘层设置于第一基板与第二基板之间。

    單多晶非揮發性記憶單元
    4.
    发明专利
    單多晶非揮發性記憶單元 审中-公开
    单多晶非挥发性记忆单元

    公开(公告)号：TW201730883A

    公开(公告)日：2017-09-01

    申请号：TW105128065

    申请日：2016-08-31

    申请人： 愛思開海力士有限公司 ,  SK HYNIX INC.

    发明人： 崔光一 ,  CHOI, KWANG IL ,  朴聖根 ,  PARK, SUNG KUN ,  金南潤 ,  KIM, NAM YOON

    IPC分类号： G11C11/407 ,  H01L21/8247

    CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11558

    摘要： 一種單多晶非揮發性記憶單元包括耦合電容器、單元電晶體和選擇電晶體。單元電晶體具有浮閘、第一源極和第一汲極。浮閘經由耦合電容器耦接到陣列控制閘極/源極線。第一源極耦接到陣列控制閘極/源極線。選擇電晶體具有選擇閘極、第二源極和第二汲極。選擇閘極耦接到字線。第二源極耦接到第一汲極。第二汲極耦接到位元線。

    简体摘要： 一种单多晶非挥发性记忆单元包括耦合电容器、单元晶体管和选择晶体管。单元晶体管具有浮闸、第一源极和第一汲极。浮闸经由耦合电容器耦接到数组控制闸极/源极线。第一源极耦接到数组控制闸极/源极线。选择晶体管具有选择闸极、第二源极和第二汲极。选择闸极耦接到字线。第二源极耦接到第一汲极。第二汲极耦接到比特线。

    具有金屬層－絕緣層－金屬層共面的電容結構及其形成方法
    6.
    发明专利
    具有金屬層－絕緣層－金屬層共面的電容結構及其形成方法 审中-公开
    具有金属层－绝缘层－金属层共面的电容结构及其形成方法

    公开(公告)号：TW201719757A

    公开(公告)日：2017-06-01

    申请号：TW105129107

    申请日：2016-09-08

    申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

    发明人： 徐晨祐 ,  HSU, CHERN YOW ,  劉世昌 ,  LIU, SHIH CHANG

    IPC分类号： H01L21/3213

    CPC分类号： H01L28/87 ,  H01L21/3212 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60

    摘要： 一種在一基板上製造一金屬層-絕緣層-金屬層(MIM)電容器結構之方法包含：在該基板上方形成一經圖案化金屬層；在該經圖案化金屬層上方形成一絕緣體層；在該絕緣體層上方形成一第二金屬層；移除該絕緣層之部分及該第二金屬層之部分，藉此形成由該經圖案化金屬層、該絕緣體層及該第二金屬層形成之一實質上共面表面；移除該第二金屬層之一部分及該經圖案化金屬層之一部分以自該絕緣體層形成突出超過該第一金屬層及該第二金屬層之一鰭狀物；及在該鰭狀物上方形成一金屬間介電層。

    简体摘要： 一种在一基板上制造一金属层-绝缘层-金属层(MIM)电容器结构之方法包含：在该基板上方形成一经图案化金属层；在该经图案化金属层上方形成一绝缘体层；在该绝缘体层上方形成一第二金属层；移除该绝缘层之部分及该第二金属层之部分，借此形成由该经图案化金属层、该绝缘体层及该第二金属层形成之一实质上共面表面；移除该第二金属层之一部分及该经图案化金属层之一部分以自该绝缘体层形成突出超过该第一金属层及该第二金属层之一鳍状物；及在该鳍状物上方形成一金属间介电层。

    塊體以及絕緣層覆矽半導體裝置之協整
    7.
    发明专利
    塊體以及絕緣層覆矽半導體裝置之協整 审中-公开
    块体以及绝缘层覆硅半导体设备之协整

    公开(公告)号：TW201717325A

    公开(公告)日：2017-05-16

    申请号：TW105139443

    申请日：2015-11-19

    申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

    发明人： 巴爾斯 彼特 ,  BAARS, PETER ,  摩爾 漢斯 彼特 ,  MOLL, HANS-PETER ,  候尼史奇爾 詹 ,  HOENTSCHEL, JAN

    IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/335

    CPC分类号： H01L27/1207 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7838

    摘要： 一種形成半導體裝置結構的方法，包括：提供具有絕緣體上半導體(semiconductor-on-insulator；SOI)配置的基板，該SOI基板包括形成於氧化物埋層(buried oxide layer；BOX層)上的半導體層，該BOX層設於半導體塊體基板上，形成溝槽隔離結構，以在該SOI基板內劃定第一區及第二區，移除該第一區中的該半導體層及該BOX層，以暴露該第一區內的該半導體塊體基板，在該第一區中的被暴露之該半導體塊體基板中及上方形成具有電極的第一半導體裝置，在該第二區中形成第二半導體裝置，該第二半導體裝置包括設於該第二區中的該半導體層及該BOX層上方的閘極結構，以及執行拋光製程，以定義該電極與該閘極結構實質上延伸到的共同高度水平。

    简体摘要： 一种形成半导体设备结构的方法，包括：提供具有绝缘体上半导体(semiconductor-on-insulator；SOI)配置的基板，该SOI基板包括形成于氧化物埋层(buried oxide layer；BOX层)上的半导体层，该BOX层设于半导体块体基板上，形成沟槽隔离结构，以在该SOI基板内划定第一区及第二区，移除该第一区中的该半导体层及该BOX层，以暴露该第一区内的该半导体块体基板，在该第一区中的被暴露之该半导体块体基板中及上方形成具有电极的第一半导体设备，在该第二区中形成第二半导体设备，该第二半导体设备包括设于该第二区中的该半导体层及该BOX层上方的闸极结构，以及运行抛光制程，以定义该电极与该闸极结构实质上延伸到的共同高度水平。