公开(公告)号：TWI604608B

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW104143552

申请日：2012-09-21

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 雪克瑪力卡勒強斯瓦密 ,  MALLIKARJUNASWAMY,SHEKAR ,  弗蘭茨娃赫爾伯特 ,  HEBERT,FRANCOIS

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/8248

CPC分类号： H01L29/735 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7835

公开(公告)号：TW201730917A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105121364

申请日：2016-07-06

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 關 文豪 ,  KWAN, MAN-HO ,  姚福偉 ,  YAO, FU WEI ,  蘇如意 ,  SU, RU YI ,  蔡俊琳 ,  TSAI, CHUN LIN ,  克爾尼斯基 亞歷山大 ,  KALNITSKY, ALEXANDER

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/761 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8258 ,  H01L23/535 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/205

CPC分类号： H01L21/8252 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/8258 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0688 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/16 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78 ,  H01L29/866

摘要： 在一些實施例中，一種半導體結構包括一第一裝置及一第二裝置。該第一裝置具有一第一表面。該第一裝置包括由一第一材料系統定義之一第一主動區。該第二裝置具有一第二表面。該第二表面與該第一表面共面。該第二裝置包括由一第二材料系統定義之一第二主動區。該第二材料系統不同於該第一材料系統。

简体摘要： 在一些实施例中，一种半导体结构包括一第一设备及一第二设备。该第一设备具有一第一表面。该第一设备包括由一第一材料系统定义之一第一主动区。该第二设备具有一第二表面。该第二表面与该第一表面共面。该第二设备包括由一第二材料系统定义之一第二主动区。该第二材料系统不同于该第一材料系统。

公开(公告)号：TWI595625B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：TW102145872

申请日：2013-12-12

申请人： 精工半導體有限公司 ,  SII SEMICONDUCTOR CORPORATION

发明人： 桜井仁美 ,  SAKURAI, HITOMI ,  廣瀬嘉胤 ,  HIROSE, YOSHITSUGU

IPC分类号： H01L23/60 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/761 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0921

公开(公告)号：TW201703157A

公开(公告)日：2017-01-16

申请号：TW105113137

申请日：2016-04-27

申请人： 季諾半導體股份有限公司 ,  ZENO SEMICONDUCTOR, INC. ,  韓珍優 ,  HAN, JIN-WOO ,  魏迪傑 尤諾歐德 ,  WIDJAJA, YUNIARTO ,  歐貝克 凡 ,  OR-BACH, ZVI ,  梅許瓦 迪內希 ,  MAHESHWARI, DINESH

发明人： 韓珍優 ,  HAN, JIN-WOO ,  魏迪傑 尤諾歐德 ,  WIDJAJA, YUNIARTO ,  歐貝克 凡 ,  OR-BACH, ZVI ,  梅許瓦 迪內希 ,  MAHESHWARI, DINESH

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7841 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： 本文介紹了一個金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)，通過MOSFET固有的雙極面結型電晶體(BJT)提高導通電流。本文還提供了MOS電晶體的工作方法。

简体摘要： 本文介绍了一个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，通过MOSFET固有的双极面结型晶体管(BJT)提高导通电流。本文还提供了MOS晶体管的工作方法。

公开(公告)号：TWI559496B

公开(公告)日：2016-11-21

申请号：TW102149400

申请日：2013-12-31

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LIMITED

发明人： 洪照俊 ,  HORNG, JAW JUINN ,  葉人豪 ,  YEH, JEN HAO ,  楊富智 ,  YANG, FU CHIH ,  陳重輝 ,  CHEN, CHUNG HUI

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L23/60 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/761 ,  H01L29/02 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/7816

公开(公告)号：TWI536461B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：TW103102883

申请日：2014-01-27

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 陳家忠 ,  CHEN, CHIA CHUNG ,  黃崎峰 ,  HUANG, CHI FENG ,  傅淑芳 ,  FU, SHU FANG ,  葉子禎 ,  YEH, TZU JIN ,  周淳朴 ,  JOU, CHEWN PU

IPC分类号： H01L21/335

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/761 ,  H01L21/7624 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/10 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/45 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6672 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI523236B

公开(公告)日：2016-02-21

申请号：TW103101275

申请日：2014-01-14

申请人： 電裝股份有限公司 ,  DENSO CORPORATION ,  豐田自動車股份有限公司 ,  TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA

发明人： 森野友生 ,  MORINO, TOMOO ,  水野祥司 ,  MIZUNO, SHOJI ,  竹內有一 ,  TAKEUCHI, YUICHI ,  添野明高 ,  SOENO, AKITAKA ,  渡辺行彦 ,  WATANABE, YUKIHIKO

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L21/761 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7815

公开(公告)号：TWI520327B

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：TW101127314

申请日：2012-07-27

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 安荷 叭剌 ,  BHALLA, ANUP ,  馬督兒 博德 ,  BOBDE, MADHUR ,  丁永平 ,  DING, YONGPING ,  張曉天 ,  ZHANG, XIAOTIAN ,  何 約瑟 ,  HO, YUEH-SE

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7395 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66333

公开(公告)号：TW201601253A

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW104120780

申请日：2015-06-26

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 瑪力卡勒強斯瓦密 雪克 ,  MALLIKARJUNASWAMY, SHEKAR

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0646 ,  H01L21/761 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/1083

摘要： 一種積體電路包括一個第一導電類型的第一阱，形成在半導體層中，第一阱罩住有源元件，並且連接到第一阱電勢；一個第二導電類型的第二阱，形成在半導體層中，包圍著第一阱，第二阱罩住有源元件，並且連接到第二阱電勢；一個第二導電類型的掩埋層，形成在第一阱下方，並且部分重疊包圍著第一阱的第二阱。在一個較佳實施例中，積體電路包括一個第二導電類型的第三阱，取代掩埋層，第三阱含有第一阱，並且部分基底包圍著第一阱的第二阱。

简体摘要： 一种集成电路包括一个第一导电类型的第一阱，形成在半导体层中，第一阱罩住有源组件，并且连接到第一阱电势；一个第二导电类型的第二阱，形成在半导体层中，包围着第一阱，第二阱罩住有源组件，并且连接到第二阱电势；一个第二导电类型的掩埋层，形成在第一阱下方，并且部分重叠包围着第一阱的第二阱。在一个较佳实施例中，集成电路包括一个第二导电类型的第三阱，取代掩埋层，第三阱含有第一阱，并且部分基底包围着第一阱的第二阱。

公开(公告)号：TWI473248B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：TW101134244

申请日：2012-09-19

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 秀明 土子 ,  HIDEAKI, TSUCHIKO

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L29/7322 ,  H01L21/74 ,  H01L21/761 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/823493 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0635 ,  H01L27/0814 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/10 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/8611