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公开(公告)号：TWI584070B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW102114197
申请日：2013-04-22
发明人： 名越俊昌 , NAGOSHI, TOSHIMASA , 田中恵生 , TANAKA, SHIGEO , 蔵渕和彦 , KURAFUCHI, KAZUHIKO
CPC分类号： C08L63/00 , G03F7/0047 , G03F7/027 , G03F7/031 , G03F7/038 , G03F7/0388 , H05K3/287 , H05K2201/0209 , C08L53/00 , C08L77/00
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公开(公告)号：TW201714256A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105129002
申请日：2016-09-07
发明人： 中子偉夫 , NAKAKO, HIDEO , 蔵渕和彦 , KURAFUCHI, KAZUHIKO , 江尻芳則 , EJIRI, YOSHINORI , 石川大 , ISHIKAWA, DAI , 須鎌千絵 , SUGAMA, CHIE , 川名祐貴 , KAWANA, YUKI
CPC分类号： B22F1/00 , B22F7/08 , C09J1/00 , H01L21/52 , H01L2224/32245 , H01L2224/33 , H01L2224/371 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/40225 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 本發明的接合體具備第一構件、第二構件以及將第一構件與第二構件接合的燒結金屬層，燒結金屬層包含源自片狀的銅粒子的結構，所述片狀的銅粒子相對於第一構件或第二構件與燒結金屬層的界面而大致平行地配向，以燒結金屬層的體積為基準，燒結金屬層中的銅的含量為65體積%以上。
简体摘要： 本发明的接合体具备第一构件、第二构件以及将第一构件与第二构件接合的烧结金属层，烧结金属层包含源自片状的铜粒子的结构，所述片状的铜粒子相对于第一构件或第二构件与烧结金属层的界面而大致平行地配向，以烧结金属层的体积为基准，烧结金属层中的铜的含量为65体积%以上。
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公开(公告)号：TW201330746A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101137326
申请日：2012-10-09
发明人： 蔵渕和彦 , KURAFUCHI, KAZUHIKO , 藤本大輔 , FUJIMOTO, DAISUKE , 山田薫平 , YAMADA, KUNPEI , 名越俊昌 , NAGOSHI, TOSHIMASA
CPC分类号： H05K3/06 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/4857 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H05K1/03 , H05K3/105 , H05K3/108 , H05K3/4673 , H05K3/4697 , H05K2203/0582 , Y10T29/49162
摘要： 本發明的具有導體電路的構造體的製造方法中，根據於熱硬化性樹脂層中形成的開口的形狀，而於第1圖案化步驟中將第1感光性樹脂層圖案化，藉此可設置各種形狀的開口。另外，該具有導體電路的構造體的製造方法與利用雷射形成開口的情況不同，除了可同時形成多個開口以外，亦可減少開口周邊的樹脂的殘渣。因此，即便於半導體元件的接腳數增加而需要設置多個微細的開口的情況下，亦可相當高效率地製造具有優異的可靠性的構造體。
简体摘要： 本发明的具有导体电路的构造体的制造方法中，根据于热硬化性树脂层中形成的开口的形状，而于第1图案化步骤中将第1感光性树脂层图案化，借此可设置各种形状的开口。另外，该具有导体电路的构造体的制造方法与利用激光形成开口的情况不同，除了可同时形成多个开口以外，亦可减少开口周边的树脂的残渣。因此，即便于半导体组件的接脚数增加而需要设置多个微细的开口的情况下，亦可相当高效率地制造具有优异的可靠性的构造体。
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