利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

17 条记录 (耗时 0.02 秒)

    用於電子顯示器之像素架構
    12.
    发明专利
    用於電子顯示器之像素架構 审中-公开
    用于电子显示器之像素架构

    公开(公告)号：TW201405536A

    公开(公告)日：2014-02-01

    申请号：TW102121241

    申请日：2013-06-14

    申请人： 蘋果公司 ,  APPLE INC.

    发明人： 黃俊堯 ,  HUANG, CHUN YAO ,  金孔武 ,  KIM, KYUNG WOOK ,  張世昌 ,  CHANG, SHIH CHANG ,  李思賢 ,  LEE, SZU HSIEN ,  朴英培 ,  PARK, YOUNG BAE

    IPC分类号： G09G3/36

    CPC分类号： G09G3/3648 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G09G2300/0426

    摘要： 一種用於針對一電子裝置提供一視覺或視訊輸出之電子顯示器。該電子裝置包括經組態以啟動一第一像素列及一第二像素列之一電晶體層。對於該第一像素列及該第二像素列中之每一像素，該電晶體層包括一開關電晶體、一像素電極及一共同電極。該電子裝置進一步包括用於選擇性地啟動每一像素之一像素控制器。該像素控制器包括一第一閘極線、一第一驅動線及一第二驅動線。在操作期間，該第一閘極線針對該第一像素列中之一第一像素且針對該第二像素列中之一第二像素將一電荷提供至該像素電極，且該第一驅動線針對該第一像素啟動該開關電晶體，且該第二驅動線針對該第二像素啟動該開關電晶體。

    简体摘要： 一种用于针对一电子设备提供一视觉或视频输出之电子显示器。该电子设备包括经组态以启动一第一像素列及一第二像素列之一晶体管层。对于该第一像素列及该第二像素列中之每一像素，该晶体管层包括一开关晶体管、一像素电极及一共同电极。该电子设备进一步包括用于选择性地启动每一像素之一像素控制器。该像素控制器包括一第一闸极线、一第一驱动线及一第二驱动线。在操作期间，该第一闸极线针对该第一像素列中之一第一像素且针对该第二像素列中之一第二像素将一电荷提供至该像素电极，且该第一驱动线针对该第一像素启动该开关晶体管，且该第二驱动线针对该第二像素启动该开关晶体管。

    背通道蝕刻氧化物薄膜電晶體製程架構
    16.
    发明专利
    背通道蝕刻氧化物薄膜電晶體製程架構 审中-公开
    背信道蚀刻氧化物薄膜晶体管制程架构

    公开(公告)号：TW201428979A

    公开(公告)日：2014-07-16

    申请号：TW102137821

    申请日：2013-10-18

    申请人： 蘋果公司 ,  APPLE INC.

    发明人： 洪銘欽 ,  HUNG, MING CHIN ,  金孔武 ,  KIM, KYUNG WOOK ,  黃俊堯 ,  HUANG, CHUN YAO ,  朴英培 ,  PARK, YOUNG BAE ,  張世昌 ,  CHANG, SHIH CHANG ,  仲 正中Z ,  ZHONG, JOHN Z.

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

    摘要： 本發明提供一種用於製造用於一液晶顯示器之一背通道蝕刻(BCE)氧化物薄膜電晶體(TFT)之方法。該方法包括：在一基板之上形成一第一金屬層，該第一金屬層具有一第一部分及一第二部分；將一閘極絕緣體沈積於該第一金屬層之上；及將一半導體層安置於該閘極絕緣體之上。該方法亦包括沈積一半色調光阻以覆蓋該半導體層之一第一部分及該第一金屬層之該第一部分。該半色調光阻具有一第一部分及比該第一部分厚之一第二部分。該第一部分在該第一金屬層之該第二部分上方具有一介層孔。該半色調光阻之該第二部分覆蓋該第一金屬層之該第一部分。該方法進一步包括：經由該介層孔蝕刻該閘極絕緣體之一部分，以便曝露該第一金屬層之該第二部分；移除該半色調光阻之該第一部分，同時保留該半色調光阻之該第二部分；及進行蝕刻以移除該半導體層之未由該半色調光阻覆蓋的一第二部分。

    简体摘要： 本发明提供一种用于制造用于一液晶显示器之一背信道蚀刻(BCE)氧化物薄膜晶体管(TFT)之方法。该方法包括：在一基板之上形成一第一金属层，该第一金属层具有一第一部分及一第二部分；将一闸极绝缘体沉积于该第一金属层之上；及将一半导体层安置于该闸极绝缘体之上。该方法亦包括沉积一半色调光阻以覆盖该半导体层之一第一部分及该第一金属层之该第一部分。该半色调光阻具有一第一部分及比该第一部分厚之一第二部分。该第一部分在该第一金属层之该第二部分上方具有一介层孔。该半色调光阻之该第二部分覆盖该第一金属层之该第一部分。该方法进一步包括：经由该介层孔蚀刻该闸极绝缘体之一部分，以便曝露该第一金属层之该第二部分；移除该半色调光阻之该第一部分，同时保留该半色调光阻之该第二部分；及进行蚀刻以移除该半导体层之未由该半色调光阻覆盖的一第二部分。

    具有具降低負載之氧化物薄膜電晶體（ＴＦＴ）之顯示像素
    17.
    发明专利
    具有具降低負載之氧化物薄膜電晶體（ＴＦＴ）之顯示像素 审中-公开
    具有具降低负载之氧化物薄膜晶体管（ＴＦＴ）之显示像素

    公开(公告)号：TW201306140A

    公开(公告)日：2013-02-01

    申请号：TW101122526

    申请日：2012-06-22

    申请人： 蘋果公司 ,  APPLE INC.

    发明人： 黃俊堯 ,  HUANG, CHUN YAO ,  朴英培 ,  PARK, YOUNG BAE ,  張世昌 ,  CHANG, SHIH CHANG

    IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12

    CPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

    摘要： 所揭示實施例係關於用於一顯示裝置10中之一薄膜電晶體(TFT)90。該顯示裝置10可包括具有配置成列及行之多個像素82的一液晶顯示器(LCD)面板12，其中每一列對應於一閘極線且每一行對應於一源極線。像素82中之每一者包括一像素電極92及一TFT 90。TFT 90可包括位於一源極與一汲極之間的一金屬氧化物半導體通道。對於每一TFT 90，可在該源極及/或該汲極下方之一區中在閘極線84中形成孔。該等孔可經形成以使得該源極及該汲極僅部分與該等孔重疊。該等孔之存在減小該閘極線84之面積，此可降低寄生電容且改良負載。此可提供改良之面板效能，改良之面板效能可減少某些視覺假影之出現。

    简体摘要： 所揭示实施例系关于用于一显示设备10中之一薄膜晶体管(TFT)90。该显示设备10可包括具有配置成列及行之多个像素82的一液晶显示器(LCD)皮肤12，其中每一列对应于一闸极线且每一行对应于一源极线。像素82中之每一者包括一像素电极92及一TFT 90。TFT 90可包括位于一源极与一汲极之间的一金属氧化物半导体信道。对于每一TFT 90，可在该源极及/或该汲极下方之一区中在闸极线84中形成孔。该等孔可经形成以使得该源极及该汲极仅部分与该等孔重叠。该等孔之存在减小该闸极线84之面积，此可降低寄生电容且改良负载。此可提供改良之皮肤性能，改良之皮肤性能可减少某些视觉假影之出现。