公开(公告)号：TWI622142B

公开(公告)日：2018-04-21

申请号：TW105136156

申请日：2016-11-07

Applicant: 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

Inventor： 王朝仁 ,  WANG, CHAO-JEN ,  張志嘉 ,  CHANG, CHIH-CHIA ,  何家充 ,  HO, JIA-CHONG

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L24/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/19 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81

公开(公告)号：TWI621188B

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：TW104138285

申请日：2015-11-19

Applicant: 東芝記憶體股份有限公司 ,  TOSHIBA MEMORY CORPORATION

Inventor： 渡辺慎也 ,  WATANABE, SHINYA ,  南部俊弘 ,  NAMBU, TOSHIHIRO

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/535 ,  H01L23/522 ,  H01L23/58

CPC classification number: G01R31/2856 ,  H01L21/76898 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/11529 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0601 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01404 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/83

公开(公告)号：TWI620196B

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW105143236

申请日：2016-12-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 辛格 賽爾 普特 ,  SINGH, SAHIL PREET ,  陳蓉萱 ,  CHEN, JUNG-HSUAN ,  陳炎輝 ,  CHEN, YEN-HUEI ,  加德 維那希 ,  CHANDER, AVINASH ,  應 大元 ,  YING, ALBERT

IPC: G11C7/18

CPC classification number: G11C11/419 ,  G11C7/1075 ,  G11C8/16 ,  G11C11/412 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/1104 ,  H01L28/00

公开(公告)号：TW201813053A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106116501

申请日：2017-05-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 廖忠志 ,  LIAW, JHON JHY

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L27/112

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116 ,  H01L27/11213 ,  H01L27/11293

Abstract: 本揭露提供一記憶體元件，其包含一記憶體單元陣列。一第一位元線耦合到記憶體單元陣列的第一行的複數記憶體單元。第一位元線係設置在一第一金屬層上。一第二位元線耦合到此第一位元線。第二位元線係設置在一第二金屬層上且經由至少一通孔耦合到此第一位元線。一字元線耦合到記憶體單元陣列的一列。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一内存组件，其包含一内存单元数组。一第一比特线耦合到内存单元数组的第一行的复数内存单元。第一比特线系设置在一第一金属层上。一第二比特线耦合到此第一比特线。第二比特线系设置在一第二金属层上且经由至少一通孔耦合到此第一比特线。一字符线耦合到内存单元数组的一列。

公开(公告)号：TW201812996A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106106416

申请日：2017-02-24

Applicant: 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

Inventor： 拉伯特 恩德 ,  LABONTE, ANDRE ,  謝 瑞龍 ,  XIE, RUILONG ,  張洵淵 ,  ZHANG, XUNYUAN

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L23/535 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76889 ,  H01L21/823431 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/535 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 一種方法，提供在Rx區中具有FinFET之結構，該FinFET包括通道、源極/汲極(S/D)區及閘極，該閘極包括閘極金屬。在具有高k介電性襯墊與核心之閘極上方形成覆蓋體。該閘極之諸側上布置溝槽矽化物(TS)。使該TS凹陷至高於該閘極之層階且低於該覆蓋體之層階的層階。在該結構上方布置氧化物層。在該Rx區裡的氧化物層內圖型化CB溝槽，以在該CB溝槽之中間部分處使核心與襯墊曝露。相對於襯墊而選擇性蝕刻核心，以將CB溝槽延展至閘極金屬處之底端。金屬化CB溝槽以形成CB接觸部。

Abstract in simplified Chinese: 一种方法，提供在Rx区中具有FinFET之结构，该FinFET包括信道、源极/汲极(S/D)区及闸极，该闸极包括闸极金属。在具有高k介电性衬垫与内核之闸极上方形成覆盖体。该闸极之诸侧上布置沟槽硅化物(TS)。使该TS凹陷至高于该闸极之层阶且低于该覆盖体之层阶的层阶。在该结构上方布置氧化物层。在该Rx区里的氧化物层内图型化CB沟槽，以在该CB沟槽之中间部分处使内核与衬垫曝露。相对于衬垫而选择性蚀刻内核，以将CB沟槽延展至闸极金属处之底端。金属化CB沟槽以形成CB接触部。

公开(公告)号：TW201812995A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106106411

申请日：2017-02-24

Applicant: 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

Inventor： 張洵淵 ,  ZHANG, XUNYUAN ,  蒙特 法蘭克W ,  MONT, FRANK W. ,  萊恩 埃羅爾 特德 ,  RYAN, ERROL TODD

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/53252 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295

Abstract: 本發明提供製造積體電路裝置以形成具有改進黏附性的低電阻率互連的裝置及方法。一種方法包括例如：獲得中間半導體互連裝置，該中間半導體互連裝置具有基板、覆蓋層，以及包括一組溝槽及一組通孔的介電矩陣；將金屬互連材料直接沉積在該介電矩陣的頂部表面上方並與其接觸，其中，該金屬互連材料填充該組溝槽及該組通孔；在該裝置的頂部表面上方沉積阻擋層；退火該阻擋層，以使該阻擋層擴散至該金屬互連材料的底部表面；平坦化該中間半導體互連裝置的頂部表面；以及在該中間半導體互連裝置上方沉積介電覆蓋層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供制造集成电路设备以形成具有改进黏附性的低电阻率互连的设备及方法。一种方法包括例如：获得中间半导体互连设备，该中间半导体互连设备具有基板、覆盖层，以及包括一组沟槽及一组通孔的介电矩阵；将金属互连材料直接沉积在该介电矩阵的顶部表面上方并与其接触，其中，该金属互连材料填充该组沟槽及该组通孔；在该设备的顶部表面上方沉积阻挡层；退火该阻挡层，以使该阻挡层扩散至该金属互连材料的底部表面；平坦化该中间半导体互连设备的顶部表面；以及在该中间半导体互连设备上方沉积介电复盖层。

公开(公告)号：TWI618811B

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：TW102126696

申请日：2013-07-25

Applicant: 諾發系統有限公司 ,  NOVELLUS SYSTEMS, INC.

Inventor： 雷偉 ,  LEI, WEI ,  高舉文 ,  GAO, JUWEN

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/34 ,  C23C16/38 ,  H01C17/14

CPC classification number: C01B35/146 ,  C23C16/30 ,  C23C16/342 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53266 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201810376A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106118647

申请日：2017-06-06

Applicant: 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 凡卡塔蘇巴拉馬尼恩 艾斯華倫納德 ,  VENKATASUBRAMANIAN, ESWARANAND ,  羅伊 蘇史密辛哈 ,  ROY, SUSMIT SINGHA ,  曼納 帕拉米特 ,  MANNA, PRAMIT ,  馬禮克 亞伯希吉特巴蘇 ,  MALLICK, ABHIJIT BASU

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

CPC classification number: H01L21/76816 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 本揭示內容的實施例提供一種用以形成硬遮罩層的設備及方法，可利用硬遮罩層將圖案或特徵轉移到膜堆疊，所述膜堆疊具有精確的輪廓和維度控制，以製造三維(3D)堆疊的半導體元件。在一個實施例中，一種在基板上形成硬遮罩層的方法包括：藉由在處理腔室中供應種晶層氣體混合物，在膜堆疊上形成種晶層，該種晶層包含硼，該膜堆疊設置於基板上；藉由在處理腔室中供應過渡層氣體混合物，在該種晶層上形成過渡層，該過渡層包含硼及鎢；以及藉由在處理腔室中供應主要沉積氣體混合物，在該過渡層上形成主體硬遮罩層。

Abstract in simplified Chinese: 本揭示内容的实施例提供一种用以形成硬遮罩层的设备及方法，可利用硬遮罩层将图案或特征转移到膜堆栈，所述膜堆栈具有精确的轮廓和维度控制，以制造三维(3D)堆栈的半导体组件。在一个实施例中，一种在基板上形成硬遮罩层的方法包括：借由在处理腔室中供应种晶层气体混合物，在膜堆栈上形成种晶层，该种晶层包含硼，该膜堆栈设置于基板上；借由在处理腔室中供应过渡层气体混合物，在该种晶层上形成过渡层，该过渡层包含硼及钨；以及借由在处理腔室中供应主要沉积气体混合物，在该过渡层上形成主体硬遮罩层。

公开(公告)号：TW201807782A

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW106115908

申请日：2017-05-15

Applicant: 三星電機股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.

Inventor： 邊大亭 ,  BYUN, DAE JUNG ,  金炳鎬 ,  KIM, BYUNG HO ,  韓平和 ,  HAN, PYUNG HWA ,  崔朱伶 ,  CHOI, JOO YOUNG ,  申雄熙 ,  SHIN, UNG HUI

IPC: H01L23/10

CPC classification number: H01L24/09 ,  H01L23/28 ,  H01L23/5226 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511

Abstract: 一種扇出型半導體封裝，包括第一互連構件、半導體晶片、第二互連構件以及包封體。第一互連構件具有貫穿孔；半導體晶片配置於貫穿孔中並具有連接墊配置於上的主動面及非主動面；第二互連構件配置於第一互連構件及半導體晶片主動面上並包括電性連接至連接墊的重佈線層；而包封體包覆半導體晶片的第一互連構件至少部分。第一互連構件包括：與第二互連構件接觸的第一絕緣層、配置於與第二互連構件接觸的第一絕緣層一表面上並電性連接至連接墊的第一重佈線層，以及配置於有第一重佈線層配置並環繞貫穿孔的第一絕緣層一表面上的阻擋層。

Abstract in simplified Chinese: 一种扇出型半导体封装，包括第一互连构件、半导体芯片、第二互连构件以及包封体。第一互连构件具有贯穿孔；半导体芯片配置于贯穿孔中并具有连接垫配置于上的主动面及非主动面；第二互连构件配置于第一互连构件及半导体芯片主动面上并包括电性连接至连接垫的重布线层；而包封体包覆半导体芯片的第一互连构件至少部分。第一互连构件包括：与第二互连构件接触的第一绝缘层、配置于与第二互连构件接触的第一绝缘层一表面上并电性连接至连接垫的第一重布线层，以及配置于有第一重布线层配置并环绕贯穿孔的第一绝缘层一表面上的阻挡层。

公开(公告)号：TWI612636B

公开(公告)日：2018-01-21

申请号：TW103146206

申请日：2014-12-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳佳惠 ,  CHEN, CHIA HUI ,  馬威宇 ,  MA, WEI YU ,  陳國基 ,  CHEN, KUO JI

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/60 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/092 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00