公开(公告)号：TWI682497B

公开(公告)日：2020-01-11

申请号：TW107144312

申请日：2018-12-10

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 陳品彣 ,  CHEN, PIN WEN ,  汪于仕 ,  WANG, YU SHIH ,  賴加瀚 ,  LAI, CHIA HAN ,  傅美惠 ,  FU, MEI HUI ,  鄭雅憶 ,  CHENG, YA YI ,  陳怡利 ,  CHEN, I LI ,  林威戎 ,  LIN, WEI JUNG ,  張志維 ,  CHANG, CHIH WEI ,  蔡明興 ,  TSAI, MING HSING

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/30

公开(公告)号：TWI682445B

公开(公告)日：2020-01-11

申请号：TW107128306

申请日：2018-08-14

申请人： 大陸商長江存儲科技有限責任公司 ,  YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.

发明人： 王新勝 ,  WANG, XINSHENG ,  張莉 ,  ZHANG, LI ,  張高升 ,  ZHANG, GAOSHENG ,  萬先進 ,  WAN, XIANJIN ,  華 子群 ,  HUA, ZI QUN ,  王家文 ,  WANG, JIA WEN ,  丁滔滔 ,  DING, TAO TAO ,  朱 宏斌 ,  ZHU, HONGBIN ,  程 衛華 ,  CHENG, WEIHUA ,  楊 士寧 ,  YANG, SIMON SHI-NING

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L29/12

公开(公告)号：TWI682425B

公开(公告)日：2020-01-11

申请号：TW106139262

申请日：2017-11-14

申请人： 日商國際電氣股份有限公司 ,  KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION

发明人： 豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  大橋史 ,  OHASHI, NAOFUMI

IPC分类号： H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H01L21/30

公开(公告)号：TWI681442B

公开(公告)日：2020-01-01

申请号：TW105140448

申请日：2016-12-07

申请人： 日商東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 重冨賢一 ,  SHIGETOMI, KENICHI ,  七種剛 ,  SAIKUSA, TAKESHI ,  磧本栄一 ,  SEKIMOTO, EIICHI ,  福留生将 ,  FUKUDOME, TAKAYUKI ,  吉原孝介 ,  YOSHIHARA, KOUSUKE ,  榎木田卓 ,  ENOKIDA, SUGURU ,  竹下和宏 ,  TAKESHITA, KAZUHIRO ,  梅木和人 ,  UMEKI, KAZUTO

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/30

公开(公告)号：TWI680506B

公开(公告)日：2019-12-21

申请号：TW106146307

申请日：2011-12-20

申请人： 奧地利商EV集團E塔那有限公司 ,  EV GROUP E. THALLNER GMBH

发明人： 威普林格馬克斯 ,  WIMPLINGER,MARKUS ,  魏跟特湯瑪斯 ,  WAGENLEITNER,THOMAS ,  費伯特亞歷山卓 ,  FILBERT,ALEXANDER

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/50 ,  H01L21/68

公开(公告)号：TW201947664A

公开(公告)日：2019-12-16

申请号：TW108109161

申请日：2019-03-18

申请人： 美商微晶片科技公司 ,  MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED

发明人： 冷 耀儉 ,  LENG, YAOJIAN ,  哈姆林 波尼 ,  HAMLIN, BONNIE ,  泰勒 安卓 ,  TAYLOR, ANDREW ,  凡德里 珍妮特 ,  VANDERIET, JANET ,  薩托 賈斯丁 ,  SATO, JUSTIN

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/30

摘要： 一種用於製造一薄膜電阻器(TFR)模組的方法，該方法包括在一基材上方形成一TFR元件；將該TFR元件退火以降低該TFR元件的電阻溫度係數(TCR)；及在形成該TFR元件及退火之後，形成與該TFR元件接觸的一對導電TFR頭部。藉由在該等TFR頭部之前形成該TFR元件，該TFR元件可在不影響該等TFR頭部下進行退火，並因此可由具有不同退火性質的各種材料形成，例如SiCCr及SiCr。因此，該TFR元件可經退火以實現接近0ppm的一TCR，而不影響稍後形成的該等TFR頭部。該TFR模組可使用一大馬士革CMP方法並僅使用單一附加遮罩層來形成。此外，在該TFR元件之邊緣處的垂直延伸之「脊部」可被移除或消除以進一步改善TCR效能。

简体摘要： 一种用于制造一薄膜电阻器(TFR)模块的方法，该方法包括在一基材上方形成一TFR组件；将该TFR组件退火以降低该TFR组件的电阻温度系数(TCR)；及在形成该TFR组件及退火之后，形成与该TFR组件接触的一对导电TFR头部。借由在该等TFR头部之前形成该TFR组件，该TFR组件可在不影响该等TFR头部下进行退火，并因此可由具有不同退火性质的各种材料形成，例如SiCCr及SiCr。因此，该TFR组件可经退火以实现接近0ppm的一TCR，而不影响稍后形成的该等TFR头部。该TFR模块可使用一大马士革CMP方法并仅使用单一附加遮罩层来形成。此外，在该TFR组件之边缘处的垂直延伸之“嵴部”可被移除或消除以进一步改善TCR性能。

公开(公告)号：TW201947643A

公开(公告)日：2019-12-16

申请号：TW108108055

申请日：2019-03-11

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  蘇安治 ,  SU, AN-JHIH ,  吳集錫 ,  WU, CHI-HSI ,  葉德強 ,  YEH, DER-CHYANG ,  吳倉聚 ,  WU, TSANG-JIUH ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN-CHIH ,  葉名世 ,  YEH, MING-SHIH

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/60

摘要： 實施例提供一種用於將垂直取向的組件的頂部電極耦合到基底的高高寬比通孔，其中組件的頂部電極藉由導電橋接件耦合到通孔，且其中組件的底部電極耦合到基底。一些實施例藉由組件晶圓來安裝組件且在將組件安裝到基底的同時將組件分離。一些實施例將各別的組件安裝到基底。

简体摘要： 实施例提供一种用于将垂直取向的组件的顶部电极耦合到基底的高高宽比通孔，其中组件的顶部电极借由导电桥接件耦合到通孔，且其中组件的底部电极耦合到基底。一些实施例借由组件晶圆来安装组件且在将组件安装到基底的同时将组件分离。一些实施例将各别的组件安装到基底。

公开(公告)号：TWI677017B

公开(公告)日：2019-11-11

申请号：TW104120021

申请日：2015-06-22

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 魯偉 ,  LU, WEI ,  王志宏 ,  WANG, ZHIHONG ,  涂文強 ,  TU, WEN-CHIANG ,  王哲甫 ,  WANG, ZHEFU ,  依拉維尼寒森G ,  IRAVANI, HASSAN G. ,  史威克柏格斯勞A ,  SWEDEK, BOGUSLAW A. ,  瑞德可佛瑞德C ,  REDEKER, FRED C. ,  麥克克林塔克威廉H ,  MCCLINTOCK, WILLIAM H.

IPC分类号： H01L21/30

公开(公告)号：TWI671811B

公开(公告)日：2019-09-11

申请号：TW105128321

申请日：2010-05-12

申请人： 美國伊利諾大學理事會 ,  THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS

发明人： 羅傑斯 約翰A ,  ROGERS, JOHN A. ,  努茲若 勞弗 ,  NUZZO, RALPH ,  金勳植 ,  KIM, HOON-SIK ,  布魯克諾 艾瑞克 ,  BRUECKNER, ERIC ,  朴商一 ,  PARK, SANG II ,  金洛煥 ,  KIM, RAK HWAN

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L27/15

公开(公告)号：TWI671376B

公开(公告)日：2019-09-11

申请号：TW104118373

申请日：2015-06-05

申请人： 日商電化股份有限公司 ,  DENKA COMPANY LIMITED

发明人： 石田泰則 ,  ISHIDA, YASUNORI ,  栗村啓之 ,  KURIMURA, HIROYUKI ,  宇野弘基 ,  UNO, HIROKI ,  關上浩 ,  SEKIGAMI, HIROSHI ,  玉井希 ,  TAMAI, NOZOMI ,  宮崎隼人 ,  MIYAZAKI, HAYATO

IPC分类号： C09J4/02 ,  C09J11/06 ,  C09J11/04 ,  C09J7/20 ,  B32B27/00 ,  C09J5/00 ,  B28D5/00 ,  B28D7/04 ,  C30B33/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/30