公开(公告)号：TWI528550B

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW103146482

申请日：2014-12-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 聶君文 ,  NIEH, CHUN WEN ,  許宏彰 ,  HSU, HUNG CHANG ,  林威戎 ,  LIN, WEI JUNG ,  蔡彥明 ,  TSAI, YAN MING ,  李振銘 ,  LEE, CHEN MING ,  王美勻 ,  WANG, MEI YUN

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/283 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823871 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L27/092 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456 ,  H01L29/665

公开(公告)号：TWI679730B

公开(公告)日：2019-12-11

申请号：TW107135764

申请日：2018-10-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 汪于仕 ,  WANG, YU SHIH ,  毛賢為 ,  MAO, SHIAN WEI ,  蔡明興 ,  TSAI, MING HSING ,  林威戎 ,  LIN, WEI JUNG ,  張根育 ,  CHANG, KEN YU ,  蔡純怡 ,  TSAI, CHUN I

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

公开(公告)号：TW201733003A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105135667

申请日：2016-11-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃俊賢 ,  HUANG, CHUN HSIEN ,  李弘貿 ,  LEE, HONG MAO ,  陳昱愷 ,  CHEN, YU KAI ,  楊弦龍 ,  YANG, HSIEN LUNG ,  林威戎 ,  LIN, WEI JUNG

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76895 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76889 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871

Abstract: 本揭露提供一種半導體裝置之形成方法，包括：形成一源極/汲極特徵於一基板之上；形成一介電層於源極/汲極特徵之上；形成一接觸溝槽穿過介電層以曝露源極/汲極特徵；以一第一原子層沉積(ALD)製程沉積一氮化鈦(TiN)層於接觸溝槽；以及沉積一鈷層於接觸溝槽中的TiN層之上。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种半导体设备之形成方法，包括：形成一源极/汲极特征于一基板之上；形成一介电层于源极/汲极特征之上；形成一接触沟槽穿过介电层以曝露源极/汲极特征；以一第一原子层沉积(ALD)制程沉积一氮化钛(TiN)层于接触沟槽；以及沉积一钴层于接触沟槽中的TiN层之上。

公开(公告)号：TW201545341A

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：TW103146482

申请日：2014-12-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 聶君文 ,  NIEH, CHUN WEN ,  許宏彰 ,  HSU, HUNG CHANG ,  林威戎 ,  LIN, WEI JUNG ,  蔡彥明 ,  TSAI, YAN MING ,  李振銘 ,  LEE, CHEN MING ,  王美勻 ,  WANG, MEI YUN

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/283 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823871 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L27/092 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456 ,  H01L29/665

Abstract: 提供一種形成電性接觸的方法。形成第一和第二場效電晶體於半導體基板上。在形成於基板上的介電層中蝕刻出開口，其中這些開口延伸至上述場效電晶體的源極與汲極區域。形成硬罩幕於場效電晶體的源極與汲極區域之上。移除硬罩幕之第一部份，此第一部份係形成於第一場效電晶體的源極與汲極區域之上。形成第一矽化物層於第一場效電晶體的源極與汲極區域之上。移除硬罩幕之第二部份，此第二部份係形成於第二場效電晶體的源極與汲極區域之上。形成第二矽化物層於第二場效電晶體的源極與汲極區域之上。沉積金屬層於上述開口中，以填充開口。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种形成电性接触的方法。形成第一和第二场效应管于半导体基板上。在形成于基板上的介电层中蚀刻出开口，其中这些开口延伸至上述场效应管的源极与汲极区域。形成硬罩幕于场效应管的源极与汲极区域之上。移除硬罩幕之第一部份，此第一部份系形成于第一场效应管的源极与汲极区域之上。形成第一硅化物层于第一场效应管的源极与汲极区域之上。移除硬罩幕之第二部份，此第二部份系形成于第二场效应管的源极与汲极区域之上。形成第二硅化物层于第二场效应管的源极与汲极区域之上。沉积金属层于上述开口中，以填充开口。

公开(公告)号：TWI682497B

公开(公告)日：2020-01-11

申请号：TW107144312

申请日：2018-12-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳品彣 ,  CHEN, PIN WEN ,  汪于仕 ,  WANG, YU SHIH ,  賴加瀚 ,  LAI, CHIA HAN ,  傅美惠 ,  FU, MEI HUI ,  鄭雅憶 ,  CHENG, YA YI ,  陳怡利 ,  CHEN, I LI ,  林威戎 ,  LIN, WEI JUNG ,  張志維 ,  CHANG, CHIH WEI ,  蔡明興 ,  TSAI, MING HSING

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/30

公开(公告)号：TWI566278B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：TW103146000

申请日：2014-12-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡彥明 ,  TSAI, YAN MING ,  林威戎 ,  LIN, WEI JUNG ,  陳方正 ,  CHEN, FANG CHENG ,  吳啓明 ,  WU, CHII MING

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/456 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6659

公开(公告)号：TW201539547A

公开(公告)日：2015-10-16

申请号：TW103146000

申请日：2014-12-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡彥明 ,  TSAI, YAN MING ,  林威戎 ,  LIN, WEI JUNG ,  陳方正 ,  CHEN, FANG CHENG ,  吳啓明 ,  WU, CHII MING

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/456 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6659

Abstract: 本發明揭露形成矽化物接點於半導體裝置中的方法。上述方法包括提供半導體基板，其具有n型場效電晶體(nFET)區與p型場效電晶體(pFET)區；對nFET區中的n型掺雜矽(Si)與pFET區中的p型掺雜矽鍺(SiGe)進行預非晶佈植(PAI)製程，形成n型非晶矽(α-Si)結構與p型非晶矽鍺(α-SiGe)結構；沉積金屬層於α-Si結構與α-SiGe結構上；進行回火製程於半導體裝置上，並依據n型α-Si結構與p型α-SiGe結構之矽化物成長速率差異調整回火製程的升溫速率。在回火製程中完全消耗n型α-Si結構與p型α-SiGe結構，以形成非晶矽化物結構於nFET區與pFET區。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露形成硅化物接点于半导体设备中的方法。上述方法包括提供半导体基板，其具有n型场效应管(nFET)区与p型场效应管(pFET)区；对nFET区中的n型掺杂硅(Si)与pFET区中的p型掺杂硅锗(SiGe)进行预非晶布植(PAI)制程，形成n型非晶硅(α-Si)结构与p型非晶硅锗(α-SiGe)结构；沉积金属层于α-Si结构与α-SiGe结构上；进行回火制程于半导体设备上，并依据n型α-Si结构与p型α-SiGe结构之硅化物成长速率差异调整回火制程的升温速率。在回火制程中完全消耗n型α-Si结构与p型α-SiGe结构，以形成非晶硅化物结构于nFET区与pFET区。