-
公开(公告)号:TWI528550B
公开(公告)日:2016-04-01
申请号:TW103146482
申请日:2014-12-31
Inventor: 聶君文 , NIEH, CHUN WEN , 許宏彰 , HSU, HUNG CHANG , 林威戎 , LIN, WEI JUNG , 蔡彥明 , TSAI, YAN MING , 李振銘 , LEE, CHEN MING , 王美勻 , WANG, MEI YUN
IPC: H01L29/45 , H01L21/283 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/823871 , H01L21/283 , H01L21/28518 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L27/092 , H01L29/41725 , H01L29/45 , H01L29/456 , H01L29/665
-
公开(公告)号:TWI679730B
公开(公告)日:2019-12-11
申请号:TW107135764
申请日:2018-10-11
Inventor: 汪于仕 , WANG, YU SHIH , 毛賢為 , MAO, SHIAN WEI , 蔡明興 , TSAI, MING HSING , 林威戎 , LIN, WEI JUNG , 張根育 , CHANG, KEN YU , 蔡純怡 , TSAI, CHUN I
IPC: H01L21/768 , H01L21/60 , H01L23/48
-
公开(公告)号:TW201733003A
公开(公告)日:2017-09-16
申请号:TW105135667
申请日:2016-11-03
Inventor: 黃俊賢 , HUANG, CHUN HSIEN , 李弘貿 , LEE, HONG MAO , 陳昱愷 , CHEN, YU KAI , 楊弦龍 , YANG, HSIEN LUNG , 林威戎 , LIN, WEI JUNG
IPC: H01L21/768 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76895 , H01L21/76805 , H01L21/76807 , H01L21/76843 , H01L21/76889 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823871
Abstract: 本揭露提供一種半導體裝置之形成方法,包括:形成一源極/汲極特徵於一基板之上;形成一介電層於源極/汲極特徵之上;形成一接觸溝槽穿過介電層以曝露源極/汲極特徵;以一第一原子層沉積(ALD)製程沉積一氮化鈦(TiN)層於接觸溝槽;以及沉積一鈷層於接觸溝槽中的TiN層之上。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种半导体设备之形成方法,包括:形成一源极/汲极特征于一基板之上;形成一介电层于源极/汲极特征之上;形成一接触沟槽穿过介电层以曝露源极/汲极特征;以一第一原子层沉积(ALD)制程沉积一氮化钛(TiN)层于接触沟槽;以及沉积一钴层于接触沟槽中的TiN层之上。
-
公开(公告)号:TW201545341A
公开(公告)日:2015-12-01
申请号:TW103146482
申请日:2014-12-31
Inventor: 聶君文 , NIEH, CHUN WEN , 許宏彰 , HSU, HUNG CHANG , 林威戎 , LIN, WEI JUNG , 蔡彥明 , TSAI, YAN MING , 李振銘 , LEE, CHEN MING , 王美勻 , WANG, MEI YUN
IPC: H01L29/45 , H01L21/283 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/823871 , H01L21/283 , H01L21/28518 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L27/092 , H01L29/41725 , H01L29/45 , H01L29/456 , H01L29/665
Abstract: 提供一種形成電性接觸的方法。形成第一和第二場效電晶體於半導體基板上。在形成於基板上的介電層中蝕刻出開口,其中這些開口延伸至上述場效電晶體的源極與汲極區域。形成硬罩幕於場效電晶體的源極與汲極區域之上。移除硬罩幕之第一部份,此第一部份係形成於第一場效電晶體的源極與汲極區域之上。形成第一矽化物層於第一場效電晶體的源極與汲極區域之上。移除硬罩幕之第二部份,此第二部份係形成於第二場效電晶體的源極與汲極區域之上。形成第二矽化物層於第二場效電晶體的源極與汲極區域之上。沉積金屬層於上述開口中,以填充開口。
Abstract in simplified Chinese: 提供一种形成电性接触的方法。形成第一和第二场效应管于半导体基板上。在形成于基板上的介电层中蚀刻出开口,其中这些开口延伸至上述场效应管的源极与汲极区域。形成硬罩幕于场效应管的源极与汲极区域之上。移除硬罩幕之第一部份,此第一部份系形成于第一场效应管的源极与汲极区域之上。形成第一硅化物层于第一场效应管的源极与汲极区域之上。移除硬罩幕之第二部份,此第二部份系形成于第二场效应管的源极与汲极区域之上。形成第二硅化物层于第二场效应管的源极与汲极区域之上。沉积金属层于上述开口中,以填充开口。
-
公开(公告)号:TWI682497B
公开(公告)日:2020-01-11
申请号:TW107144312
申请日:2018-12-10
Inventor: 陳品彣 , CHEN, PIN WEN , 汪于仕 , WANG, YU SHIH , 賴加瀚 , LAI, CHIA HAN , 傅美惠 , FU, MEI HUI , 鄭雅憶 , CHENG, YA YI , 陳怡利 , CHEN, I LI , 林威戎 , LIN, WEI JUNG , 張志維 , CHANG, CHIH WEI , 蔡明興 , TSAI, MING HSING
-
公开(公告)号:TWI566278B
公开(公告)日:2017-01-11
申请号:TW103146000
申请日:2014-12-29
Inventor: 蔡彥明 , TSAI, YAN MING , 林威戎 , LIN, WEI JUNG , 陳方正 , CHEN, FANG CHENG , 吳啓明 , WU, CHII MING
IPC: H01L21/265 , H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/8238 , H01L29/16
CPC classification number: H01L29/456 , H01L21/26506 , H01L21/28518 , H01L21/324 , H01L21/76814 , H01L21/76831 , H01L21/823814 , H01L27/092 , H01L27/0922 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/41725 , H01L29/45 , H01L29/6659
-
公开(公告)号:TW201539547A
公开(公告)日:2015-10-16
申请号:TW103146000
申请日:2014-12-29
Inventor: 蔡彥明 , TSAI, YAN MING , 林威戎 , LIN, WEI JUNG , 陳方正 , CHEN, FANG CHENG , 吳啓明 , WU, CHII MING
IPC: H01L21/265 , H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/8238 , H01L29/16
CPC classification number: H01L29/456 , H01L21/26506 , H01L21/28518 , H01L21/324 , H01L21/76814 , H01L21/76831 , H01L21/823814 , H01L27/092 , H01L27/0922 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/41725 , H01L29/45 , H01L29/6659
Abstract: 本發明揭露形成矽化物接點於半導體裝置中的方法。上述方法包括提供半導體基板,其具有n型場效電晶體(nFET)區與p型場效電晶體(pFET)區;對nFET區中的n型掺雜矽(Si)與pFET區中的p型掺雜矽鍺(SiGe)進行預非晶佈植(PAI)製程,形成n型非晶矽(α-Si)結構與p型非晶矽鍺(α-SiGe)結構;沉積金屬層於α-Si結構與α-SiGe結構上;進行回火製程於半導體裝置上,並依據n型α-Si結構與p型α-SiGe結構之矽化物成長速率差異調整回火製程的升溫速率。在回火製程中完全消耗n型α-Si結構與p型α-SiGe結構,以形成非晶矽化物結構於nFET區與pFET區。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露形成硅化物接点于半导体设备中的方法。上述方法包括提供半导体基板,其具有n型场效应管(nFET)区与p型场效应管(pFET)区;对nFET区中的n型掺杂硅(Si)与pFET区中的p型掺杂硅锗(SiGe)进行预非晶布植(PAI)制程,形成n型非晶硅(α-Si)结构与p型非晶硅锗(α-SiGe)结构;沉积金属层于α-Si结构与α-SiGe结构上;进行回火制程于半导体设备上,并依据n型α-Si结构与p型α-SiGe结构之硅化物成长速率差异调整回火制程的升温速率。在回火制程中完全消耗n型α-Si结构与p型α-SiGe结构,以形成非晶硅化物结构于nFET区与pFET区。
-
-
-
-
-
-