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    具有二維分裂雙光電二極體對之圖像感測器
    21.
    发明专利
    具有二維分裂雙光電二極體對之圖像感測器 审中-公开
    具有二维分裂双光电二极管对之图像传感器

    公开(公告)号：TW201842760A

    公开(公告)日：2018-12-01

    申请号：TW107106438

    申请日：2018-02-26

    申请人： 美商豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 陳 剛 ,  CHEN, GANG ,  王 勤 ,  WANG, QIN ,  毛 杜立 ,  MAO, DULI ,  戴 戴森 H ,  TAI, DYSON H. ,  葛蘭特 林德賽 艾力克山德 ,  GRANT, LINDSAY ALEXANDER

    IPC分类号： H04N5/232 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378 ,  H04N9/04

    摘要： 本發明揭示一種圖像感測器，其包含一分裂雙光電二極體(DPD)對陣列。該分裂DPD對陣列之第一群組完全由第一維分裂DPD對組成或完全由第二維分裂DPD對組成。由該等第一維分裂DPD對組成之該分裂DPD對陣列之各第一群組相鄰於由該等第二維分裂DPD對組成之該分裂DPD對陣列之另一第一群組。該第一維正交於該第二維。複數個浮動擴散(FD)區域配置於該等分裂DPD對之各第一群組中。複數個轉移電晶體之各者耦合至一各自分裂DPD對之一各自光電二極體，且耦合於該各自光電二極體與該複數個FD區域之一各自者之間。

    简体摘要： 本发明揭示一种图像传感器，其包含一分裂双光电二极管(DPD)对数组。该分裂DPD对数组之第一群组完全由第一维分裂DPD对组成或完全由第二维分裂DPD对组成。由该等第一维分裂DPD对组成之该分裂DPD对数组之各第一群组相邻于由该等第二维分裂DPD对组成之该分裂DPD对数组之另一第一群组。该第一维正交于该第二维。复数个浮动扩散(FD)区域配置于该等分裂DPD对之各第一群组中。复数个转移晶体管之各者耦合至一各自分裂DPD对之一各自光电二极管，且耦合于该各自光电二极管与该复数个FD区域之一各自者之间。

    具有混合深溝槽隔離之圖像感測器
    22.
    发明专利
    具有混合深溝槽隔離之圖像感測器 审中-公开
    具有混合深沟槽隔离之图像传感器

    公开(公告)号：TW201830681A

    公开(公告)日：2018-08-16

    申请号：TW106137993

    申请日：2017-11-02

    申请人： 美商豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 熊志偉 ,  HSIUNG, CHIH-WEI ,  毛 杜立 ,  MAO, DULI ,  凡尼賈 文生 ,  VENEZIA, VINCENT ,  陳 剛 ,  CHEN, GANG ,  戴 戴森 H ,  TAI, DYSON H.

    IPC分类号： H01L27/146

    摘要： 一種圖像感測器包含安置於一半導體材料中位於半導體材料之一第一側與一第二側之間的複數個光電二極體。該圖像感測器亦包含安置於半導體材料中之複數個混合深溝槽隔離(DTI)結構，其中複數個光電二極體中之個別光電二極體由個別混合DTI結構分隔開。個別混合DTI結構包含自半導體材料之第一側朝向第二側延伸之一淺部分，且淺部分包含一介電質區域及一金屬區域，使得介電質區域之至少部分安置於半導體材料與金屬區域之間。混合DTI結構亦包含一深部分，深部分自淺部分延伸且安置於淺部分與半導體材料之第二側之間。

    简体摘要： 一种图像传感器包含安置于一半导体材料中位于半导体材料之一第一侧与一第二侧之间的复数个光电二极管。该图像传感器亦包含安置于半导体材料中之复数个混合深沟槽隔离(DTI)结构，其中复数个光电二极管中之个别光电二极管由个别混合DTI结构分隔开。个别混合DTI结构包含自半导体材料之第一侧朝向第二侧延伸之一浅部分，且浅部分包含一介电质区域及一金属区域，使得介电质区域之至少部分安置于半导体材料与金属区域之间。混合DTI结构亦包含一深部分，深部分自浅部分延伸且安置于浅部分与半导体材料之第二侧之间。

    具有多步蝕刻之光通道
    25.
    发明专利
    具有多步蝕刻之光通道 审中-公开
    具有多步蚀刻之光信道

    公开(公告)号：TW201731084A

    公开(公告)日：2017-09-01

    申请号：TW105130349

    申请日：2016-09-20

    申请人： 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 錢胤 ,  QIAN, YIN ,  戴 戴森 H ,  TAI, DYSON H. ,  繆佳君 ,  MIAO, CHIA-CHUN ,  陸震偉 ,  LU, CHEN-WEI

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14625 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685

    摘要： 本發明揭示一種影像感測器，其包含安置在一半導體層中之複數個光電二極體、一第一隔離層及一介電質填充物。該介電質填充物安置在該第一隔離層中之一溝渠中，且該第一隔離層安置在該半導體層與該介電質填充物之間。至少一額外隔離層安置成靠近該第一隔離層，且該至少一額外隔離層中之複數個光通道延伸通過該至少一額外隔離層至該介電質填充物。該複數個光通道經安置以將光引導至該複數個光電二極體中。

    简体摘要： 本发明揭示一种影像传感器，其包含安置在一半导体层中之复数个光电二极管、一第一隔离层及一介电质填充物。该介电质填充物安置在该第一隔离层中之一沟渠中，且该第一隔离层安置在该半导体层与该介电质填充物之间。至少一额外隔离层安置成靠近该第一隔离层，且该至少一额外隔离层中之复数个光信道延伸通过该至少一额外隔离层至该介电质填充物。该复数个光信道经安置以将光引导至该复数个光电二极管中。

    具有對高強度之光降低敏感度之高動態範圍圖像感測器
    26.
    发明专利
    具有對高強度之光降低敏感度之高動態範圍圖像感測器 审中-公开
    具有对高强度之光降低敏感度之高动态范围图像传感器

    公开(公告)号：TW201801295A

    公开(公告)日：2018-01-01

    申请号：TW105133611

    申请日：2016-10-18

    申请人： 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 錢胤 ,  QIAN, YIN ,  張明 ,  ZHANG, MING ,  陸震偉 ,  LU, CHEN-WEI ,  李 津 ,  LI, JIN ,  繆佳君 ,  MIAO, CHIA-CHUN ,  戴 戴森 H ,  TAI, DYSON H.

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14607 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689

    摘要： 一種影像感測器包含在一半導體基板中彼此穿插之第一複數個光電二極體及第二複數個光電二極體。入射光待被引導穿過該半導體基板之一表面至該第一複數個光電二極體及該第二複數個光電二極體中。相較於該第二複數個光電二極體，該第一複數個光電二極體對該入射光具有更大敏感度。一金屬膜層安置於該第二複數個光電二極體上方之該半導體基板之該表面上方，且未安置於該第一複數個光電二極體上方。一金屬格柵安置於該半導體基板之該表面上方，且包含第一複數個開口，該入射光穿過該第一複數個開口被引導至該第一複數個光電二極體中。該金屬格柵進一步包含第二複數個開口，該入射光穿過該第二複數個開口被引導穿過該金屬膜層至該第二複數個光電二極體中。

    简体摘要： 一种影像传感器包含在一半导体基板中彼此穿插之第一复数个光电二极管及第二复数个光电二极管。入射光待被引导穿过该半导体基板之一表面至该第一复数个光电二极管及该第二复数个光电二极管中。相较于该第二复数个光电二极管，该第一复数个光电二极管对该入射光具有更大敏感度。一金属膜层安置于该第二复数个光电二极管上方之该半导体基板之该表面上方，且未安置于该第一复数个光电二极管上方。一金属格栅安置于该半导体基板之该表面上方，且包含第一复数个开口，该入射光穿过该第一复数个开口被引导至该第一复数个光电二极管中。该金属格栅进一步包含第二复数个开口，该入射光穿过该第二复数个开口被引导穿过该金属膜层至该第二复数个光电二极管中。

    貫穿半導體通孔覆蓋層作為蝕刻停止層
    28.
    发明专利
    貫穿半導體通孔覆蓋層作為蝕刻停止層 审中-公开
    贯穿半导体通孔覆盖层作为蚀刻停止层

    公开(公告)号：TW201740550A

    公开(公告)日：2017-11-16

    申请号：TW106101472

    申请日：2017-01-17

    申请人： 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 鄭 源偉 ,  ZHENG, YUANWEI ,  陳 剛 ,  CHEN, GANG ,  毛 杜立 ,  MAO, DULI ,  戴 戴森 H ,  TAI, DYSON H.

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/1469

    摘要： 一種影像感測器製作方法包含提供一半導體材料、一絕緣層及一邏輯層，其中該半導體材料包含複數個光電二極體。形成自該半導體材料穿過該絕緣層且延伸至該邏輯層中之一貫穿半導體通孔。以一覆蓋層覆蓋該貫穿半導體通孔。在該半導體材料中之一第一溝渠中安置一金屬墊。在該覆蓋層上及該半導體材料中之該第一溝渠中沈積絕緣材料。在該絕緣材料中之一第二溝渠中沈積一抗蝕劑，且該絕緣材料中之該第二溝渠與該金屬墊對準。移除該絕緣材料以曝露該覆蓋層，且亦移除該覆蓋層接近於該複數個光電二極體安置之一部分。接近於該複數個光電二極體形成一金屬柵格。

    简体摘要： 一种影像传感器制作方法包含提供一半导体材料、一绝缘层及一逻辑层，其中该半导体材料包含复数个光电二极管。形成自该半导体材料穿过该绝缘层且延伸至该逻辑层中之一贯穿半导体通孔。以一覆盖层覆盖该贯穿半导体通孔。在该半导体材料中之一第一沟渠中安置一金属垫。在该覆盖层上及该半导体材料中之该第一沟渠中沉积绝缘材料。在该绝缘材料中之一第二沟渠中沉积一抗蚀剂，且该绝缘材料中之该第二沟渠与该金属垫对准。移除该绝缘材料以曝露该覆盖层，且亦移除该覆盖层接近于该复数个光电二极管安置之一部分。接近于该复数个光电二极管形成一金属栅格。