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    半導體裝置及其製造方法
    4.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201810403A

    公开(公告)日：2018-03-16

    申请号：TW106119381

    申请日：2017-06-12

    申请人： 日商瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

    发明人： 關川宏昭 ,  SEKIKAWA, HIROAKI

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/67

    CPC分类号： H01L27/1464 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687

    摘要： 本發明之目的在於當在背面照射型的固體拍攝元件中形成貫通劃線區域的半導體基板的溝槽時，防止因為形成該溝槽的蝕刻步驟或令半導體晶片單片化的切割步驟而導致固體拍攝元件受到污染。為了達成上述目的，本發明在形成覆蓋電晶體Q1的電極的表面等的矽化物層S1時，為了防止在劃線區域1D中形成覆蓋半導體基板SB的主面的矽化物層S1，而在矽化物層S1的形成步驟之前用絶緣膜IF2覆蓋半導體基板SB的主面。

    简体摘要： 本发明之目的在于当在背面照射型的固体拍摄组件中形成贯通划线区域的半导体基板的沟槽时，防止因为形成该沟槽的蚀刻步骤或令半导体芯片单片化的切割步骤而导致固体拍摄组件受到污染。为了达成上述目的，本发明在形成覆盖晶体管Q1的电极的表面等的硅化物层S1时，为了防止在划线区域1D中形成覆盖半导体基板SB的主面的硅化物层S1，而在硅化物层S1的形成步骤之前用绝缘膜IF2覆盖半导体基板SB的主面。

    影像感測器、接墊結構以及接墊結構的製造方法
    8.
    发明专利
    影像感測器、接墊結構以及接墊結構的製造方法 审中-公开
    影像传感器、接垫结构以及接垫结构的制造方法

    公开(公告)号：TW201737450A

    公开(公告)日：2017-10-16

    申请号：TW106112327

    申请日：2017-04-13

    申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    发明人： 鄭慶鴻 ,  CHENG, CHING-HUNG ,  張凱峯 ,  CHANG, KAI-FUNG

    IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/488 ,  H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14632 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/05

    摘要： 一種具有用於達成高接合結構的接觸窗陣列的接墊結構。在某些實施例中，半導體基材包括接墊開口。內連線結構位於半導體基材下方，且包括層間介電（ILD）層、配線層及接觸窗陣列。配線層及接觸窗陣列位於層間介電層中。此外，接觸窗陣列與配線層鄰接且位於配線層與半導體基材之間。接墊覆蓋接墊開口中的接觸窗陣列，且突出至層間介電層中以在接觸窗陣列的相對兩側上接觸配線層。亦提供一種製造接墊結構的方法及具有接墊結構的影像感測器。

    简体摘要： 一种具有用于达成高接合结构的接触窗数组的接垫结构。在某些实施例中，半导体基材包括接垫开口。内连接结构位于半导体基材下方，且包括层间介电（ILD）层、配线层及接触窗数组。配线层及接触窗数组位于层间介电层中。此外，接触窗数组与配线层邻接且位于配线层与半导体基材之间。接垫覆盖接垫开口中的接触窗数组，且突出至层间介电层中以在接触窗数组的相对两侧上接触配线层。亦提供一种制造接垫结构的方法及具有接垫结构的影像传感器。

    偏壓深溝槽隔雜
    9.
    发明专利
    偏壓深溝槽隔雜 审中-公开
    偏压深沟槽隔杂

    公开(公告)号：TW201735336A

    公开(公告)日：2017-10-01

    申请号：TW106108343

    申请日：2017-03-14

    申请人： 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 鄭 源偉 ,  ZHENG, YUANWEI ,  陳 剛 ,  CHEN, GANG ,  毛 杜立 ,  MAO, DULI ,  戴 戴森 H ,  TAI, DYSON H. ,  馬 誼 ,  MA, YI

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/76

    CPC分类号： H01L27/1463 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14689

    摘要： 本發明揭示一種影像感測器，該影像感測器包含經安置在一半導體材料中之複數個光電二極體，及經耦合至一負電壓源之一穿半導體通孔。深溝槽隔離結構係安置在該複數個光電二極體中之個別光電二極體之間，以電且光學地隔離該等個別光電二極體。該等深溝槽隔離結構包含經耦合至該穿半導體通孔之一導電材料，及經安置在該等深溝槽隔離結構之側壁上且介於該半導體材料與該導電材料之間之一介電材料。

    简体摘要： 本发明揭示一种影像传感器，该影像传感器包含经安置在一半导体材料中之复数个光电二极管，及经耦合至一负电压源之一穿半导体通孔。深沟槽隔离结构系安置在该复数个光电二极管中之个别光电二极管之间，以电且光学地隔离该等个别光电二极管。该等深沟槽隔离结构包含经耦合至该穿半导体通孔之一导电材料，及经安置在该等深沟槽隔离结构之侧壁上且介于该半导体材料与该导电材料之间之一介电材料。

    深溝槽隔離結構及其形成方法
    10.
    发明专利
    深溝槽隔離結構及其形成方法 审中-公开
    深沟槽隔离结构及其形成方法

    公开(公告)号：TW201735244A

    公开(公告)日：2017-10-01

    申请号：TW105139145

    申请日：2016-11-28

    申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

    发明人： 鄭有宏 ,  CHENG, YU-HUNG ,  杜友倫 ,  TU, YEUR-LUEN ,  林東毅 ,  LIN, TUNG-I ,  吳政龍 ,  WU, CHENG-LUNG ,  陳韋立 ,  CHEN, WEI-LI

    IPC分类号： H01L21/76

    CPC分类号： H01L27/14683 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464

    摘要： 本發明實施例提供深溝槽隔離(DTI)結構及其形成方法。一種方法包含在一基板中形成複數個光敏區域。在該基板中形成一凹部，該基板包括一第一半導體材料，該凹部經插置於鄰近光敏區域之間。藉由沿著該凹部之側壁移除該基板之一損壞層而擴大該凹部，藉此形成一擴大凹部。在該擴大凹部之側壁及一底部上形成一磊晶區域，該磊晶區域之至少一部分包括一第二半導體材料，該第二半導體材料不同於該第一半導體材料。在該磊晶區域上形成一介電區域，該磊晶區域沿著該介電區域之一側壁延伸。

    简体摘要： 本发明实施例提供深沟槽隔离(DTI)结构及其形成方法。一种方法包含在一基板中形成复数个光敏区域。在该基板中形成一凹部，该基板包括一第一半导体材料，该凹部经插置于邻近光敏区域之间。借由沿着该凹部之侧壁移除该基板之一损坏层而扩大该凹部，借此形成一扩大凹部。在该扩大凹部之侧壁及一底部上形成一磊晶区域，该磊晶区域之至少一部分包括一第二半导体材料，该第二半导体材料不同于该第一半导体材料。在该磊晶区域上形成一介电区域，该磊晶区域沿着该介电区域之一侧壁延伸。