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公开(公告)号：TWI605602B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW102137575
申请日：2013-10-17
发明人： 山本晃永 , YAMAMOTO, KOEI , 永野輝昌 , NAGANO, TERUMASA , 山村和久 , YAMAMURA, KAZUHISA , 里健一 , SATO, KENICHI , 土屋龍太郎 , TSUCHIYA, RYUTARO
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/08 , H01L31/109
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/1443 , H01L27/1446 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/14636 , H01L28/24 , H01L31/02027 , H01L31/022416 , H01L31/022466 , H01L31/107
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公开(公告)号：TW201640663A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105105547
申请日：2016-02-24
发明人： 楊武璋 , YANG, WU ZANG , 劉家穎 , LIU, CHIA YING , 熊志偉 , HSIUNG, CHIH WEI , 艾群詠 , AI, CHUN YUNG , 戴 戴森H , TAI, DYSON H. , 麥西堤 多明尼克 , MASSETTI, DOMINIC
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369
CPC分类号： H01L27/14692 , H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14629 , H01L27/14636 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/90
摘要： 本發明揭示一種影像感測器畫素及影像感測器及一種製造影像感測器畫素及影像感測器之方法。該影像畫素包含一感光性電容器及一電晶體網路。該感光性電容器包含一電極、一導電層、一介電層及一感光性半導體材料。該導電層經安置於該電極周圍，且該介電層形成於該導電層與該電極之間。該感光性半導體材料係用於回應於影像光產生一影像信號且經安置於該介電層與該電極之間。該電晶體網路經耦合以從該感光性電容器之該電極讀出該影像信號。
简体摘要： 本发明揭示一种影像传感器像素及影像传感器及一种制造影像传感器像素及影像传感器之方法。该影像像素包含一感光性电容器及一晶体管网络。该感光性电容器包含一电极、一导电层、一介电层及一感光性半导体材料。该导电层经安置于该电极周围，且该介电层形成于该导电层与该电极之间。该感光性半导体材料系用于回应于影像光产生一影像信号且经安置于该介电层与该电极之间。该晶体管网络经耦合以从该感光性电容器之该电极读出该影像信号。
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公开(公告)号：TW201637186A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105104361
申请日：2016-02-15
发明人： 林蔚峰 , LIN, WEI FENG , 黃吉志 , HUANG, CHI CHIH
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14618 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/14612 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L27/14698 , H01L2224/11
摘要： 用以製造一或多個曲面影像感測器系統之方法包含(a)在相對於大氣壓力之升高壓力處，接合透光基板至具有至少一像素陣列的影像感測器晶圓，以形成複合晶圓，該複合晶圓具有在透光基板與各像素陣列間之個別氣密封接腔穴，以及(b)薄化該複合晶圓的影像感測器晶圓，以引起影像感測器晶圓之形變，而自各像素陣列形成凹狀曲面像素陣列。曲面影像感測器系統包含(a)影像感測器基板，具有凹狀光接收表面及沿著該凹狀光接收表面設置的像素陣列，(b)透光基板，其藉由接合層而被接合至影像感測器基板，以及(c)氣密封接腔穴，至少被凹狀光接收表面、透光基板、及接合層定界限。
简体摘要： 用以制造一或多个曲面影像传感器系统之方法包含(a)在相对于大气压力之升高压力处，接合透光基板至具有至少一像素数组的影像传感器晶圆，以形成复合晶圆，该复合晶圆具有在透光基板与各像素数组间之个别气密封接腔穴，以及(b)薄化该复合晶圆的影像传感器晶圆，以引起影像传感器晶圆之形变，而自各像素数组形成凹状曲面像素数组。曲面影像传感器系统包含(a)影像传感器基板，具有凹状光接收表面及沿着该凹状光接收表面设置的像素数组，(b)透光基板，其借由接合层而被接合至影像传感器基板，以及(c)气密封接腔穴，至少被凹状光接收表面、透光基板、及接合层定界限。
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公开(公告)号：TW201635509A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104142744
申请日：2015-12-18
申请人： E2V半導體公司 , E2V SEMICONDUCTORS
发明人： 佛瑞爾 皮爾 , FEREYRE, PIERRE , 梅爾 費德瑞克 , MAYER, FREDERIC , 都尼 帕斯卡 , DOUINE, PASCAL , 里格扎特 希爾瑞 , LIGOZAT, THIERRY , 迪斯派瑞 布魯諾 , DIASPARRA, BRUNO , 普雷沃斯特 文森 , PREVOST, VINCENT
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/14607 , H01L27/14621 , H01L27/14645 , H01L27/14649 , H01L27/3227
摘要： 本發明相關於彩色圖像感測器。 為從良好亮度解析度及未過度地為矽對近紅外線照射之靈敏度所衰減的顏色精準度二者獲益，本發明提議使用未以彩色濾波器塗佈且散佈在該矩陣中的白色像素(T)產生包含以彩色濾波器塗佈之散佈在該矩陣中的彩色像素(R)、(G)、(B)之像素的馬賽克。該等彩色像素包括與該等白色像素之該等光二極體不同地構成的光二極體，該不同構成使得該等彩色像素的該等光二極體對紅外線照射具有比該等白色像素之該等光二極體更低的靈敏度。
简体摘要： 本发明相关于彩色图像传感器。 为从良好亮度分辨率及未过度地为硅对近红外线照射之灵敏度所衰减的颜色精准度二者获益，本发明提议使用未以彩色滤波器涂布且散布在该矩阵中的白色像素(T)产生包含以彩色滤波器涂布之散布在该矩阵中的彩色像素(R)、(G)、(B)之像素的马赛克。该等彩色像素包括与该等白色像素之该等光二极管不同地构成的光二极管，该不同构成使得该等彩色像素的该等光二极管对红外线照射具有比该等白色像素之该等光二极管更低的灵敏度。
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公开(公告)号：TW201628181A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW105112856
申请日：2014-03-27
发明人： 柳政澔 , LYU, JEONG-HO , 真鍋宗平 , MANABE, SOHEI
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14627 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14645
摘要： 本發明揭示一種供在一高動態範圍影像感測器中使用之影像感測器像素，該影像感測器像素包含一第一光電二極體及一第二光電二極體。該第一光電二極體包含一第一經摻雜區域、一第一經輕摻雜區域及安置於該第一經摻雜區域與該第一經輕摻雜區域之間的一第一經高摻雜區域。該第二光電二極體具有實質上等於該第一光電二極體之一第一全井容量之一第二全井容量。該第二光電二極體包含一第二經摻雜區域、一第二經輕摻雜區域及安置於該第二經摻雜區域與該第二經輕摻雜區域之間的一第二經高摻雜區域。該第一光電二極體可用於量測低光且該第二光電二極體可用於量測亮光。
简体摘要： 本发明揭示一种供在一高动态范围影像传感器中使用之影像传感器像素，该影像传感器像素包含一第一光电二极管及一第二光电二极管。该第一光电二极管包含一第一经掺杂区域、一第一经轻掺杂区域及安置于该第一经掺杂区域与该第一经轻掺杂区域之间的一第一经高掺杂区域。该第二光电二极管具有实质上等于该第一光电二极管之一第一全井容量之一第二全井容量。该第二光电二极管包含一第二经掺杂区域、一第二经轻掺杂区域及安置于该第二经掺杂区域与该第二经轻掺杂区域之间的一第二经高掺杂区域。该第一光电二极管可用于量测低光且该第二光电二极管可用于量测亮光。
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公开(公告)号：TW201618166A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104123347
申请日：2015-07-20
发明人： 神野健 , KAMINO, TAKESHI , 後藤洋太郎 , GOTO, YOTARO
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/311 , H01L27/146 , H01L29/66
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L21/265 , H01L21/26513 , H01L21/26586 , H01L21/31116 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/1462 , H01L27/14689 , H01L29/66568 , H01L29/6659
摘要： 本發明使半導體裝置的性能提高。本發明之半導體裝置包含：光電二極體PD，其具有電荷累積層（n型半導體區域NW）與表面層（p型半導體區域PR）；以及轉移電晶體TX，其具有閘極電極Gt與浮置擴散部FD。形成於第1導電型的電荷累積層（n型半導體區域NW）之上的第2導電型的表面層（p型半導體區域PR），係由低雜質濃度的第1副區域PR1與高雜質濃度的第2副區域PR2所構成，第1副區域PR1配置在比第2副區域PR2更接近浮置擴散部FD之側。
简体摘要： 本发明使半导体设备的性能提高。本发明之半导体设备包含：光电二极管PD，其具有电荷累积层（n型半导体区域NW）与表面层（p型半导体区域PR）；以及转移晶体管TX，其具有闸极电极Gt与浮置扩散部FD。形成于第1导电型的电荷累积层（n型半导体区域NW）之上的第2导电型的表面层（p型半导体区域PR），系由低杂质浓度的第1副区域PR1与高杂质浓度的第2副区域PR2所构成，第1副区域PR1配置在比第2副区域PR2更接近浮置扩散部FD之侧。
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公开(公告)号：TWI532158B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW102117939
申请日：2013-05-21
发明人： 陳剛 , CHEN, GANG , 毛 杜立 , MAO, DULI , 戴幸志 , TAI, HSIN CHIH
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1461 , H01L27/14607 , H01L27/14612 , H01L27/14645 , H01L27/14649 , H01L27/14689
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公开(公告)号：TW201607010A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104107736
申请日：2015-03-11
申请人： 精工電子有限公司 , SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人： 小山威 , KOYAMA, TAKESHI
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/1463
摘要： 提供具有抑制發生於Si基板的深處位置之載子的橫擴散所致之鄰接之光二極體的作用(像素間串擾)之半導體受光元件的影像感測器。 於鄰接之光二極體間利用雷射作出改質層，產生再結合位準，抑制像素間串擾。
简体摘要： 提供具有抑制发生于Si基板的深处位置之载子的横扩散所致之邻接之光二极管的作用(像素间串扰)之半导体受光组件的影像传感器。 于邻接之光二极管间利用激光作出改质层，产生再结合位准，抑制像素间串扰。
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公开(公告)号：TWI516122B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW102143565
申请日：2010-03-02
申请人： 新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人： 馬淵圭司 , MABUCHI, KEIJI
IPC分类号： H04N5/335 , H01L27/146
CPC分类号： H04N5/35563 , H01L27/14607 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H04N5/23229 , H04N5/3575 , H04N5/363 , H04N5/365 , H04N5/37213 , H04N5/3742 , H04N5/3765 , H04N5/378
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公开(公告)号：TW201526213A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103111546
申请日：2014-03-27
发明人： 柳政澔 , LYU, JEONG-HO , 真鍋宗平 , MANABE, SOHEI
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/355
CPC分类号： H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14627 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14645
摘要： 本發明揭示一種供在一高動態範圍影像感測器中使用之影像感測器像素，該影像感測器像素包含一第一光電二極體及一第二光電二極體。該第一光電二極體包含一第一經摻雜區域、一第一經輕摻雜區域及安置於該第一經摻雜區域與該第一經輕摻雜區域之間的一第一經高摻雜區域。該第二光電二極體具有實質上等於該第一光電二極體之一第一全井容量之一第二全井容量。該第二光電二極體包含一第二經摻雜區域、一第二經輕摻雜區域及安置於該第二經摻雜區域與該第二經輕摻雜區域之間的一第二經高摻雜區域。該第一光電二極體可用於量測低光且該第二光電二極體可用於量測亮光。
简体摘要： 本发明揭示一种供在一高动态范围影像传感器中使用之影像传感器像素，该影像传感器像素包含一第一光电二极管及一第二光电二极管。该第一光电二极管包含一第一经掺杂区域、一第一经轻掺杂区域及安置于该第一经掺杂区域与该第一经轻掺杂区域之间的一第一经高掺杂区域。该第二光电二极管具有实质上等于该第一光电二极管之一第一全井容量之一第二全井容量。该第二光电二极管包含一第二经掺杂区域、一第二经轻掺杂区域及安置于该第二经掺杂区域与该第二经轻掺杂区域之间的一第二经高掺杂区域。该第一光电二极管可用于量测低光且该第二光电二极管可用于量测亮光。
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