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公开(公告)号：TWI635622B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW104118794
申请日：2015-06-10
发明人： 陳靜儀 , CHEN, CHINGYI , 童鴻鈞 , TONG, HUNGCHUN , 楊立誠 , YANG, LICHENG , 戴文婉 , TAI, WENWAN , 李育群 , LEE, YUCHUN , 蔡宗良 , TSAI, TZONGLIANG
IPC分类号： H01L33/08 , C09K11/06 , F21S2/00 , G02F1/13357
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公开(公告)号：TWI613275B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105132612
申请日：2016-10-07
发明人： 王宏嘉 , WANG, HUNG CHIA , 張學杰 , ZHANG, XUE-JIE , 林欣穎 , LIN, SHIN YING , 湯安慈 , TANG, AN CIH , 劉如熹 , LIU, RU SHI , 蔡宗良 , TSAI, TZONG LIANG , 李育群 , LEE, YU CHUN , 陳靜儀 , CHEN, CHING YI , 童鴻鈞 , TONG, HUNG CHUN
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公开(公告)号：TWI587548B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW104129508
申请日：2015-09-07
发明人： 陳若翔 , CHEN, JO SHUNG , 林志豪 , LIN, CHIH HAO , 蔡宗良 , TSAI, TZONG LIANG
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/486 , H01L33/60 , H01L2224/16245 , H01L2933/0066
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公开(公告)号：TWI509836B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW102138494
申请日：2013-10-24
发明人： 許乃偉 , HSU, NAIWEI , 王德忠 , WANG, TECHUNG , 蔡宗良 , TSAI, TZONGLIANG
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/40
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公开(公告)号：TW201532314A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103104848
申请日：2014-02-14
发明人： 薛芳昌 , HSUEH, FANG CHANG , 林志豪 , LIN, CHIH HAO , 許哲瑋 , HSU, CHE WEI , 蘇信綸 , SU, HSIN LUN , 蔡宗良 , TSAI, TZONG LIANG
IPC分类号： H01L33/48
摘要： 本發明揭露一種發光二極體封裝體，包括一殼體，設置於一基底上，殼體朝基底方向凹陷形成一容置空間，容置空間底部具有一開口，以裸露部份基底，其中容置空間的側壁包括具有一底端及一頂端的一凹曲面部，以及鄰接於凹曲面部的頂端的一斜面部。一發光二極體晶片設置於裸露基底上。一封裝材料填入殼體的容置空間內，其中封裝材料的一上表面具有一透鏡結構。
简体摘要： 本发明揭露一种发光二极管封装体，包括一壳体，设置于一基底上，壳体朝基底方向凹陷形成一容置空间，容置空间底部具有一开口，以裸露部份基底，其中容置空间的侧壁包括具有一底端及一顶端的一凹曲面部，以及邻接于凹曲面部的顶端的一斜面部。一发光二极管芯片设置于裸露基底上。一封装材料填入壳体的容置空间内，其中封装材料的一上表面具有一透镜结构。
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公开(公告)号：TW201519481A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW102139967
申请日：2013-11-04
发明人： 許文杰 , HSU, WENCHIEH , 蔡宗良 , TSAI, TZONGLIANG
IPC分类号： H01L33/58
CPC分类号： H01L33/44
摘要： 一種發光二極體結構包含一第一型半導體層、一發光層、一第二型半導體層、複數第一取光提升結構以及一透明導電層。發光層係設置於部分第一型半導體層上。第二型半導體層係設置於發光層上，其折射率為n1。第一取光提升結構係設置於第二型半導體層上，其折射率為n2。每一第一取光提升結構彼此互相間隔，且均具有至少一相對第二型半導體層上表面傾斜之出光斜面。透明導電層適順性地(conformably)覆蓋第一取光提升結構及第二型半導體層，且其折射率為n3，其中n2>n3。
简体摘要： 一种发光二极管结构包含一第一型半导体层、一发光层、一第二型半导体层、复数第一取光提升结构以及一透明导电层。发光层系设置于部分第一型半导体层上。第二型半导体层系设置于发光层上，其折射率为n1。第一取光提升结构系设置于第二型半导体层上，其折射率为n2。每一第一取光提升结构彼此互相间隔，且均具有至少一相对第二型半导体层上表面倾斜之出光斜面。透明导电层适顺性地(conformably)覆盖第一取光提升结构及第二型半导体层，且其折射率为n3，其中n2>n3。
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公开(公告)号：TWI629807B
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：TW105133568
申请日：2016-10-18
发明人： 林志豪 , LIN, CHIH HAO , 吳慧茹 , WU, HUI RU , 陳若翔 , CHEN, JO HSIANG , 蔡宗良 , TSAI, TZONG LIANG
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公开(公告)号：TW201817041A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW105133568
申请日：2016-10-18
发明人： 林志豪 , LIN, CHIH HAO , 吳慧茹 , WU, HUI RU , 陳若翔 , CHEN, JO HSIANG , 蔡宗良 , TSAI, TZONG LIANG
摘要： 一種出光增強裝置包含波長轉換件及波長控制件。波長轉換件包含透光基板與波長轉換材料。波長轉換材料位於透光基板內，能夠將含有第一波長之部分光線轉換為第二波長之光線。波長控制件位於透光基板之一面，能夠將含有第一波長之部分光線反射回透光基板內，並且至少讓含有第二波長之光線通過。透光基板面對波長控制件之表面之粗糙度為0~1微米或0~0.3微米。
简体摘要： 一种出光增强设备包含波长转换件及波长控制件。波长转换件包含透光基板与波长转换材料。波长转换材料位于透光基板内，能够将含有第一波长之部分光线转换为第二波长之光线。波长控制件位于透光基板之一面，能够将含有第一波长之部分光线反射回透光基板内，并且至少让含有第二波长之光线通过。透光基板面对波长控制件之表面之粗糙度为0~1微米或0~0.3微米。
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公开(公告)号：TW201816077A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW105133722
申请日：2016-10-19
发明人： 王仁宏 , WANG, REN HONG , 周文理 , ZHOU, WEN-LI , 劉如熹 , LIU, RU SHI , 陳靜儀 , CHEN, CHING YI , 戴文婉 , TAI, WEN WAN , 李育群 , LEE, YU CHUN , 蔡宗良 , TSAI, TZONG LIANG
摘要： 含有片狀結晶體之氟化物螢光粉及其製造方法與應用。氟化物螢光粉為經Mn4+活化的氟化物螢光粉，具有化學通式A2[MF6]：Mn4+。A為Li、Na、K、Rb、Cs、NH4或上述之組合。M為Ge、Si、Sn、Ti、Zr或上述之組合。
简体摘要： 含有片状结晶体之氟化物萤光粉及其制造方法与应用。氟化物萤光粉为经Mn4+活化的氟化物萤光粉，具有化学通式A2[MF6]：Mn4+。A为Li、Na、K、Rb、Cs、NH4或上述之组合。M为Ge、Si、Sn、Ti、Zr或上述之组合。
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公开(公告)号：TWI615458B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW105135067
申请日：2016-10-28
发明人： 陳靜儀 , CHEN, CHING YI , 戴文婉 , TAI, WEN WAN , 李育群 , LEE, YU CHUN , 蔡宗良 , TSAI, TZONG LIANG
CPC分类号： H01L33/502 , C09K11/727 , C09K11/7774 , F21K9/64 , F21V9/30 , F21Y2115/10 , H01L33/0095 , H01L33/56 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
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