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公开(公告)号:TW201426164A
公开(公告)日:2014-07-01
申请号:TW102145069
申请日:2013-12-09
发明人: 林本堅 , LIN, BURN JENG , 李信昌 , LEE, HSIN CHANG , 秦聖基 , CHIN, SHENG CHI
摘要: 本揭示描述光罩,此光罩包含低熱膨脹材料基底,至少兩個吸收層,以及將這兩個吸收層隔開的間隔層,第一吸收層沈積於低熱膨脹材料基底之上,此光罩更包含上塗層位於吸收層之上,間隔層的厚度約等於在晶圓基底上的凸起與晶圓基底之高度差乘以透鏡的縮小倍率的平方,吸收層包含階段式圖案。
简体摘要: 本揭示描述光罩,此光罩包含低热膨胀材料基底,至少两个吸收层,以及将这两个吸收层隔开的间隔层,第一吸收层沉积于低热膨胀材料基底之上,此光罩更包含上涂层位于吸收层之上,间隔层的厚度约等于在晶圆基底上的凸起与晶圆基底之高度差乘以透镜的缩小倍率的平方,吸收层包含阶段式图案。
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42.遮罩坯料基板、遮罩基板、曝光遮罩、遮罩坯料基板的製造方法及半導體製造方法 MASK BLANK SUBSTRATE, MASK BLANK, EXPOSURE MASK, MASK BLANK SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD 审中-公开
简体标题: 遮罩坯料基板、遮罩基板、曝光遮罩、遮罩坯料基板的制造方法及半导体制造方法 MASK BLANK SUBSTRATE, MASK BLANK, EXPOSURE MASK, MASK BLANK SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD公开(公告)号:TW201250780A
公开(公告)日:2012-12-16
申请号:TW101120586
申请日:2005-09-29
申请人: HOYA股份有限公司
CPC分类号: G03F1/60 , G03F1/50 , Y10T428/31616
摘要: 在一種曝光系統之遮罩台所吸住之遮罩坯料基板中,不包括由該遮罩台吸住一邊的遮罩坯料基板主表面,自外周邊端表面向內2mm區域,長方形平坦度量測區域的平坦度是0.6���m或較小,而且平坦度量測區域四個轉部之至少三個轉角部各具有外周邊側隆起的形狀。
简体摘要: 在一种曝光系统之遮罩台所吸住之遮罩坯料基板中,不包括由该遮罩台吸住一边的遮罩坯料基板主表面,自外周边端表面向内2mm区域,长方形平坦度量测区域的平坦度是0.6���m或较小,而且平坦度量测区域四个转部之至少三个转角部各具有外周边侧隆起的形状。
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43.光罩用玻璃基板及其製造方法 PHOTOMASK-FORMING GLASS SUBSTRATE AND MAKING METHOD 审中-公开
简体标题: 光罩用玻璃基板及其制造方法 PHOTOMASK-FORMING GLASS SUBSTRATE AND MAKING METHOD公开(公告)号:TW201133130A
公开(公告)日:2011-10-01
申请号:TW099143229
申请日:2010-12-10
申请人: 信越化學工業股份有限公司
CPC分类号: G03F1/60 , G03F1/14 , Y10T428/24488
摘要: 本發明之解決手段為一種光罩用玻璃基板,其特徵為:在形成光罩的保持部所處之正方形形狀的基板之表面的周緣之邊當中之相對向的2邊的各邊往內側2mm與10mm之間,並且位於從各邊的長度方向兩端扣除2mm的部分之範圍之兩個帶狀區中,根據從任意的共通基準平面往各帶狀區內的各座標之距離所計算出之帶狀區的兩個最小平方平面的法線彼此所成之角度為10秒以下,並且兩個帶狀區的高度為0.5μm以下。本發明之效果如下,在IC等的製造時為重要之微影技術中所使用之二氧化矽玻璃系等的光罩用玻璃基板中,可在與以往的檢查步驟為相同之步驟中,生產性佳地提供一種當藉由真空吸附盤等將光罩固定在光罩曝光時的光罩承載台時,光罩全體的表面形狀變化受到抑制之玻璃基板。
简体摘要: 本发明之解决手段为一种光罩用玻璃基板,其特征为:在形成光罩的保持部所处之正方形形状的基板之表面的周缘之边当中之相对向的2边的各边往内侧2mm与10mm之间,并且位于从各边的长度方向两端扣除2mm的部分之范围之两个带状区中,根据从任意的共通基准平面往各带状区内的各座标之距离所计算出之带状区的两个最小平方平面的法线彼此所成之角度为10秒以下,并且两个带状区的高度为0.5μm以下。本发明之效果如下,在IC等的制造时为重要之微影技术中所使用之二氧化硅玻璃系等的光罩用玻璃基板中,可在与以往的检查步骤为相同之步骤中,生产性佳地提供一种当借由真空吸附盘等将光罩固定在光罩曝光时的光罩承载台时,光罩全体的表面形状变化受到抑制之玻璃基板。
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44.光微影影像遮罩組件 IMAGE MASK ASSEMBLY FOR PHOTOLITHOGRAPHY 审中-公开
简体标题: 光微影影像遮罩组件 IMAGE MASK ASSEMBLY FOR PHOTOLITHOGRAPHY公开(公告)号:TW201033726A
公开(公告)日:2010-09-16
申请号:TW098138913
申请日:2009-11-16
申请人: 康寧公司
IPC分类号: G03F
摘要: 本發明一種光微影裝置的影像遮罩組件。影像遮罩組件包括:影像遮罩,合成熔融矽石薄膜以保護影像遮罩,固定影像遮罩以及薄膜的框架。影像遮罩包含合成熔融矽石片,影像遮罩包括具有至少一層以及圖案寫在合成熔融矽石片之表面上。本發明亦提供製造影像遮罩以及合成熔融矽石薄膜之方法。
简体摘要: 本发明一种光微影设备的影像遮罩组件。影像遮罩组件包括:影像遮罩,合成熔融硅石薄膜以保护影像遮罩,固定影像遮罩以及薄膜的框架。影像遮罩包含合成熔融硅石片,影像遮罩包括具有至少一层以及图案写在合成熔融硅石片之表面上。本发明亦提供制造影像遮罩以及合成熔融硅石薄膜之方法。
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公开(公告)号:TW201015210A
公开(公告)日:2010-04-16
申请号:TW098132955
申请日:2009-09-29
申请人: JSR股份有限公司
发明人: 原康夫
IPC分类号: G03F
CPC分类号: G03F1/60
摘要: 本發明的課題係提供一種光罩,其係即使未使用玻璃作為基材,亦可應對近年的印刷電路基板的圖型的細線化或要求精度的嚴格化,且,與使用聚酯薄膜作為基材時具有同等的便利性。本發明的解決手段係一種光罩,其係至少由:由以高分子化合物作為主成分之薄膜或薄板所成的基材、與被配設於前述基材的至少一側的面之遮光層、與被配設於前述基材的至少一側的面之框架所構成;前述光罩係於使用及保管的氣體環境中,前述基材在張力施加的狀態下被固定於前述框架。
简体摘要: 本发明的课题系提供一种光罩,其系即使未使用玻璃作为基材,亦可应对近年的印刷电路基板的图型的细线化或要求精度的严格化,且,与使用聚酯薄膜作为基材时具有同等的便利性。本发明的解决手段系一种光罩,其系至少由:由以高分子化合物作为主成分之薄膜或薄板所成的基材、与被配设于前述基材的至少一侧的面之遮光层、与被配设于前述基材的至少一侧的面之框架所构成;前述光罩系于使用及保管的气体环境中,前述基材在张力施加的状态下被固定于前述框架。
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46.基板之兩面形狀測定裝置及基板之兩面形狀測定方法 APPARATUS AND METHODS FOR MEASURING SHAPE OF BOTH SIDES OF A PLATE 审中-公开
简体标题: 基板之两面形状测定设备及基板之两面形状测定方法 APPARATUS AND METHODS FOR MEASURING SHAPE OF BOTH SIDES OF A PLATE公开(公告)号:TW200712438A
公开(公告)日:2007-04-01
申请号:TW095126962
申请日:2006-07-24
发明人: 秋山重隆 AKIYAMA, SHIGETAKA , 田中辰一 TANAKA, SHINICHI , 秋山貴信 AKIYAMA, TAKANOBU , 上田勝宣 UEDA, KATSUNOBU , 喜多康之 KITA, YASUYUKI
IPC分类号: G01B
CPC分类号: G03F7/70791 , G01B11/306 , G03F1/60 , G03F1/84 , G03F7/70783
摘要: 本發明係基板的兩面形狀測定裝置,測定裝置本體係具有:在金屬製的底面上的一端部大致配置成垂直狀態之縱型定盤的基準平面、及與該基準平面大致平行保持被測定基板的保持機構、及位移計掃描設備。上述位移計掃描設備具備搭載第1(第2)位移計的第1氣滑座、搭載第3位移計的第2氣滑座,沿著一對的V溝來移動於水平軸方向。並且,第1(第2)氣滑座會移動於垂直軸方向。藉由上述第1(第2)位移計的掃描來測定被測定基板的板面的一面的表面形狀,同時藉由上述第3位移計的掃描來測定上述板面的另一面的表面形狀。
简体摘要: 本发明系基板的两面形状测定设备,测定设备本体系具有:在金属制的底面上的一端部大致配置成垂直状态之纵型定盘的基准平面、及与该基准平面大致平行保持被测定基板的保持机构、及位移计扫描设备。上述位移计扫描设备具备搭载第1(第2)位移计的第1气滑座、搭载第3位移计的第2气滑座,沿着一对的V沟来移动于水平轴方向。并且,第1(第2)气滑座会移动于垂直轴方向。借由上述第1(第2)位移计的扫描来测定被测定基板的板面的一面的表面形状,同时借由上述第3位移计的扫描来测定上述板面的另一面的表面形状。
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47.用於光罩基底的透明基板及光罩基底 TRANSPARENT SUBSTRATRE FOR MASK BLANK AND MASK BLANK 有权
简体标题: 用于光罩基底的透明基板及光罩基底 TRANSPARENT SUBSTRATRE FOR MASK BLANK AND MASK BLANK公开(公告)号:TWI275902B
公开(公告)日:2007-03-11
申请号:TW094131288
申请日:2005-09-12
CPC分类号: G03F1/38 , G03F1/32 , G03F1/60 , Y10T428/31616
摘要: 在一用於一光罩基底之透明基板中,藉由將一預定角落部分切除成為一斜斷面以形成一基板記號,其中該透明基板必需具有一預定光學特性。該記號之形狀係依據該基板之光學特性所決定。
简体摘要: 在一用于一光罩基底之透明基板中,借由将一预定角落部分切除成为一斜断面以形成一基板记号,其中该透明基板必需具有一预定光学特性。该记号之形状系依据该基板之光学特性所决定。
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48.
公开(公告)号:TW200700342A
公开(公告)日:2007-01-01
申请号:TW095121598
申请日:2006-06-16
CPC分类号: G03F7/70791 , C03C19/00 , G02F2001/133302 , G03F1/60
摘要: 本發明提供一種經保持於水平時之表面平坦度/對角線長度為4.8�10^–5以下之對角線長度在500mm以上的大型玻璃基板。如將本發明之大型玻璃基板使用於曝光時,則可提升曝光精密度,特別是重疊精密度(super position accuracy)及解像度,而能達成高精細的大型面板的曝光之同時,可輕減曝光修正的負擔,且可獲致面板的收率之提升。
简体摘要: 本发明提供一种经保持于水平时之表面平坦度/对角线长度为4.8�10^–5以下之对角线长度在500mm以上的大型玻璃基板。如将本发明之大型玻璃基板使用于曝光时,则可提升曝光精密度,特别是重叠精密度(super position accuracy)及解像度,而能达成高精细的大型皮肤的曝光之同时,可轻减曝光修正的负担,且可获致皮肤的收率之提升。
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49.遮罩胚料基板、遮罩基板、曝光遮罩、遮罩坯料基板的製造方法及半導體製造方法 MASK BLANK SUBSTRATE, MASK BLANK, EXPOSURE MASK, MASK BLANK SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD 审中-公开
简体标题: 遮罩胚料基板、遮罩基板、曝光遮罩、遮罩坯料基板的制造方法及半导体制造方法 MASK BLANK SUBSTRATE, MASK BLANK, EXPOSURE MASK, MASK BLANK SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD公开(公告)号:TW200620409A
公开(公告)日:2006-06-16
申请号:TW094133880
申请日:2005-09-29
CPC分类号: G03F1/60 , G03F1/50 , Y10T428/31616
摘要: 在一種曝光系統之遮罩台所夾住之遮罩坯料基板中,不包括由該遮罩台夾住一邊的遮罩坯料基板主表面,自外周邊端表面向內2mm區域,長方形平坦度量測區域的平坦度是0.6μm或較小,而且平坦度量測區域四個轉部之至少三個轉角各具有外周邊側昇高的形狀。
简体摘要: 在一种曝光系统之遮罩台所夹住之遮罩坯料基板中,不包括由该遮罩台夹住一边的遮罩坯料基板主表面,自外周边端表面向内2mm区域,长方形平坦度量测区域的平坦度是0.6μm或较小,而且平坦度量测区域四个转部之至少三个转角各具有外周边侧升高的形状。
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50.光罩基底提供系統,光罩基底提供方法,光罩基底透明基材製造方法,光罩基底製造方法,及光罩製造方法 MASK BLANK PROVIDING SYSTEM, MASK BLANK PROVIDING METHOD, MASK BLANK TRANSPARENT SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD, MASK BLANK MANUFACTURING METHOD, AND MASK MANUFACTURING METHOD 审中-公开
简体标题: 光罩基底提供系统,光罩基底提供方法,光罩基底透明基材制造方法,光罩基底制造方法,及光罩制造方法 MASK BLANK PROVIDING SYSTEM, MASK BLANK PROVIDING METHOD, MASK BLANK TRANSPARENT SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD, MASK BLANK MANUFACTURING METHOD, AND MASK MANUFACTURING METHOD公开(公告)号:TW200617584A
公开(公告)日:2006-06-01
申请号:TW094131764
申请日:2005-09-15
发明人: 鈴木修 SUZUKI, OSAMU , 赤川裕之 AKAGAWA, HIROYUKI , 田邊勝 TANABE, MASARU , 川口厚 KAWAGUCHI, ATSUSHI , 石橋直純 ISHIBASHI, NAOZUMI
CPC分类号: G03F1/60 , G03F1/50 , Y10T428/31616
摘要: 光罩基底製造單位,藉由在光罩基底透明基板上形成要製成光罩圖案之薄膜,製造光罩基底。當提供光罩基底給光罩製造單位時,光罩基底製造單位會將光罩基底透明基板的光學特性資訊(穿透率變化),和光罩基底的光學特性資訊(穿透率變化/或相差變化)提供給光罩製造單位。光罩基底透明基板的光學特性資訊,會從製造光罩基底透明基板之材料處理單位提供給光罩基底製造單位。
简体摘要: 光罩基底制造单位,借由在光罩基底透明基板上形成要制成光罩图案之薄膜,制造光罩基底。当提供光罩基底给光罩制造单位时,光罩基底制造单位会将光罩基底透明基板的光学特性信息(穿透率变化),和光罩基底的光学特性信息(穿透率变化/或相差变化)提供给光罩制造单位。光罩基底透明基板的光学特性信息,会从制造光罩基底透明基板之材料处理单位提供给光罩基底制造单位。
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