利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

73 条记录 (耗时 0.025 秒)

    反射型光罩基底及其製造方法、反射型光罩及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法
    3.
    发明专利
    反射型光罩基底及其製造方法、反射型光罩及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法 审中-公开
    反射型光罩基底及其制造方法、反射型光罩及其制造方法、以及半导体设备之制造方法

    公开(公告)号：TW201614362A

    公开(公告)日：2016-04-16

    申请号：TW104130654

    申请日：2015-09-16

    申请人： HOYA股份有限公司 ,  HOYA CORPORATION

    发明人： 笑喜勉 ,  SHOKI, TSUTOMU ,  淺川竜男 ,  ASAKAWA, TATSUO ,  小坂井弘文 ,  KOZAKAI, HIROFUMI

    IPC分类号： G03F1/24

    CPC分类号： H01L21/0274 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/18 ,  C23C14/185 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/35 ,  C23C14/46 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  G03F1/24 ,  G03F1/48 ,  G03F1/54 ,  G03F1/76 ,  G03F1/80 ,  G03F1/86 ,  G03F7/2002

    摘要： 本發明提供一種防止利用電子束檢查光罩缺陷時之電荷累積並且具有平滑性較高之多層反射膜的低缺陷之反射型光罩基底、以及反射型光罩及其製造方法。 一種反射型光罩基底及使用該光罩基底所製造之反射型光罩，該反射型光罩基底係於基板上積層有導電性基底膜、反射曝光之光之多層反射膜及吸收曝光之光之吸收體膜的EUV微影用反射型光罩基底，並且上述導電性基底膜包含：與上述多層反射膜鄰接而設置之膜厚為1nm以上且10nm以下之鉭系材料或釕系材料之單層膜、或具有與上述多層反射膜鄰接而設置之膜厚為1nm以上且10nm以下之鉭系材料層及設置於該鉭系材料層與上述基板之間之導電性材料層的積層膜。又，使用該反射型光罩而製造半導體裝置。

    简体摘要： 本发明提供一种防止利用电子束检查光罩缺陷时之电荷累积并且具有平滑性较高之多层反射膜的低缺陷之反射型光罩基底、以及反射型光罩及其制造方法。 一种反射型光罩基底及使用该光罩基底所制造之反射型光罩，该反射型光罩基底系于基板上积层有导电性基底膜、反射曝光之光之多层反射膜及吸收曝光之光之吸收体膜的EUV微影用反射型光罩基底，并且上述导电性基底膜包含：与上述多层反射膜邻接而设置之膜厚为1nm以上且10nm以下之钽系材料或钌系材料之单层膜、或具有与上述多层反射膜邻接而设置之膜厚为1nm以上且10nm以下之钽系材料层及设置于该钽系材料层与上述基板之间之导电性材料层的积层膜。又，使用该反射型光罩而制造半导体设备。

    光罩與其製備方法
    5.
    发明专利
    光罩與其製備方法 审中-公开
    光罩与其制备方法

    公开(公告)号：TW201344344A

    公开(公告)日：2013-11-01

    申请号：TW101140052

    申请日：2012-10-30

    申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LIMITED

    发明人： 林雲躍 ,  LIN, YUN YUE ,  連大成 ,  LIEN, TA CHENG ,  李信昌 ,  LEE, HSIN CHANG ,  嚴濤南 ,  YEN, ANTHONY ,  陳嘉仁 ,  CHEN, CHIA JEN

    IPC分类号： G03F1/64

    CPC分类号： G03F1/48 ,  G03F1/22 ,  G03F1/26 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32 ,  G03F1/50

    摘要： 本發明提供之光罩包含低熱膨脹材料(LTEM)基板、圖案化不透明層位於低熱膨脹材料基板上、圖案化蓋層位於圖案化不透明層上、以及蓋層沉積在低熱膨脹材料基板下作為保護層。圖案化蓋層包括過渡金屬材料以抑制霧化缺陷。圖案化蓋層包含金屬氧化物、金屬氮化物、或金屬氮氧化物。圖案化蓋層材料可與微影環境中的氫化化合物反應，形成原子等級的氫化鈍化層。上述鈍化層在抑制光引發的霧化缺陷成長於光罩表面上具有極佳能力，可改良製程週期時間並降低製程成本。

    简体摘要： 本发明提供之光罩包含低热膨胀材料(LTEM)基板、图案化不透明层位于低热膨胀材料基板上、图案化盖层位于图案化不透明层上、以及盖层沉积在低热膨胀材料基板下作为保护层。图案化盖层包括过渡金属材料以抑制雾化缺陷。图案化盖层包含金属氧化物、金属氮化物、或金属氮氧化物。图案化盖层材料可与微影环境中的氢化化合物反应，形成原子等级的氢化钝化层。上述钝化层在抑制光引发的雾化缺陷成长于光罩表面上具有极佳能力，可改良制程周期时间并降低制程成本。

    照相乳劑面保護層轉印紙以及照相乳劑面保護層形成方法及藉此方法而製成之具有保護層之光罩
    7.
    发明专利
    照相乳劑面保護層轉印紙以及照相乳劑面保護層形成方法及藉此方法而製成之具有保護層之光罩 失效
    照相乳剂面保护层转印纸以及照相乳剂面保护层形成方法及借此方法而制成之具有保护层之光罩

    公开(公告)号：TW507114B

    公开(公告)日：2002-10-21

    申请号：TW090113337

    申请日：2001-08-30

    申请人： 日本製紙股份有限公司

    发明人： 高田俊彥 ,  佐久間真 ,  永島和夫 ,  大村知伸

    IPC分类号： G03F

    CPC分类号： G03F1/54 ,  G03F1/48

    摘要： 本發明在於提供一種照相乳劑面保護層轉印紙，其係在具有離型性之支持體的任一方之表面上設有具有黏著性之未硬化的照相乳劑面保護層之轉印紙，其特徵為，該未硬化之照相乳劑面保護層為含有具有親水性基的單官能基之(甲基)丙烯酸酯、及多官能基之(甲基)丙烯酸酯之電離放射線硬化型樹脂組成物。由於上述轉印紙之接著層，不僅耐刮傷性優異、且與乳劑面之密著性亦優異，且耐溶劑性亦優異，因此，特別是經由用作為光罩之乳劑面之保護層，可製得能夠長時間安定使用之光罩。

    简体摘要： 本发明在于提供一种照相乳剂面保护层转印纸，其系在具有离型性之支持体的任一方之表面上设有具有黏着性之未硬化的照相乳剂面保护层之转印纸，其特征为，该未硬化之照相乳剂面保护层为含有具有亲水性基的单官能基之(甲基)丙烯酸酯、及多官能基之(甲基)丙烯酸酯之电离放射线硬化型树脂组成物。由于上述转印纸之接着层，不仅耐刮伤性优异、且与乳剂面之密着性亦优异，且耐溶剂性亦优异，因此，特别是经由用作为光罩之乳剂面之保护层，可制得能够长时间安定使用之光罩。

    光罩基底、轉印用光罩、轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法
    9.
    发明专利
    光罩基底、轉印用光罩、轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法 审中-公开
    光罩基底、转印用光罩、转印用光罩之制造方法及半导体设备之制造方法

    公开(公告)号：TW201708940A

    公开(公告)日：2017-03-01

    申请号：TW105114764

    申请日：2016-05-12

    申请人： HOYA股份有限公司 ,  HOYA CORPORATION

    发明人： 野澤順 ,  NOZAWA, OSAMU ,  梶原猛伯 ,  KAJIWARA, TAKENORI ,  大久保亮 ,  OHKUBO, RYO

    IPC分类号： G03F1/80 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F1/26 ,  G03F1/48

    摘要： 本發明提供具備如下蝕刻擋止膜之光罩基底，該蝕刻擋止膜同時滿足3個特性，即，與透光性基板相比較，對於在圖案形成用薄膜上形成圖案時所進行的藉由氟系氣體之乾式蝕刻之耐受性較高，對於藥液洗淨之耐受性亦高，且對於曝光之光之透過率亦高。 本發明之特徵在於：其係於透光性基板之主表面上具備圖案形成用薄膜之光罩基底，圖案形成用薄膜含有矽，於透光性基板與圖案形成用薄膜之間具有蝕刻擋止膜，且蝕刻擋止膜含有矽、鋁及氧。

    简体摘要： 本发明提供具备如下蚀刻挡止膜之光罩基底，该蚀刻挡止膜同时满足3个特性，即，与透光性基板相比较，对于在图案形成用薄膜上形成图案时所进行的借由氟系气体之干式蚀刻之耐受性较高，对于药液洗净之耐受性亦高，且对于曝光之光之透过率亦高。 本发明之特征在于：其系于透光性基板之主表面上具备图案形成用薄膜之光罩基底，图案形成用薄膜含有硅，于透光性基板与图案形成用薄膜之间具有蚀刻挡止膜，且蚀刻挡止膜含有硅、铝及氧。