公开(公告)号：TW201709365A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105115059

申请日：2016-05-16

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 陳 軼偉 ,  CHEN, YI WEI ,  費 金宜 ,  PHOA, KINYIP ,  尼迪 尼迪 ,  NIDHI, NIDHI ,  林 睿彥 ,  LIN, JUI-YEN ,  石坤桓 ,  SHIH, KUN HUAN ,  楊曉東 ,  YANG, XIAODONG ,  賀菲斯 瓦力德 ,  HAFEZ, WALID M. ,  蔡 柯堤斯 ,  TSAI, CURTIS

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/90

摘要： 揭露使用貫穿本體通孔(TBV)而提供晶載電容之技術。依據若干實施例，TBV可形成於半導體層內，及介電層可形成於TBV及周圍半導體層之間。TBV可做為TBV電容器之一電極(例如陽極)，及介電層可做為TBV電容器之介電體。在若干實施例中，半導體層做為TBV電容器之另一電極(例如陰極)。為此，在若干實施例中，整個半導體層可包含低電阻率材料，反之，在若干其他實施例中，例如藉由選擇性摻雜該些位置，可僅沿TBV本地之側壁提供低電阻率區。在其他實施例中，形成於介電層及半導體層間之傳導層做為TBV電容器之另一電極(例如陰極)。

简体摘要： 揭露使用贯穿本体通孔(TBV)而提供晶载电容之技术。依据若干实施例，TBV可形成于半导体层内，及介电层可形成于TBV及周围半导体层之间。TBV可做为TBV电容器之一电极(例如阳极)，及介电层可做为TBV电容器之介电体。在若干实施例中，半导体层做为TBV电容器之另一电极(例如阴极)。为此，在若干实施例中，整个半导体层可包含低电阻率材料，反之，在若干其他实施例中，例如借由选择性掺杂该些位置，可仅沿TBV本地之侧壁提供低电阻率区。在其他实施例中，形成于介电层及半导体层间之传导层做为TBV电容器之另一电极(例如阴极)。

公开(公告)号：TW201705297A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105128487

申请日：2015-05-20

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 迪亞斯 奈維爾 ,  DIAS, NEVILLE ,  簡 嘉弘 ,  JAN, CHIA-HONG ,  賀菲斯 瓦力德 ,  HAFEZ, WALID M. ,  歐賴克法 羅曼 ,  OLAC-VAW, ROMAN W. ,  張旭佑 ,  CHANG, HSU YU ,  張婷 ,  CHANG, TING ,  瑞瑪斯維米 瑞豪 ,  RAMASWAMY, RAHUL ,  劉培基 ,  LIU, PEI CHI

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7853 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/41791 ,  H03D7/1425 ,  H03D7/1441 ,  H03D7/1458 ,  H03D7/1466 ,  H03D7/165

摘要： 實施方式包括裝置包含：非平面鰭部，具有第一部分、第二部分及第三部分，該第一部分、該第二部分及該第三部分各具有主軸及次軸且各相互單石；其中(a)該第一部分、該第二部分及該第三部分的該主軸相互平行，(b)該第一部分及該第二部分的該主軸相互非共線，(c)各該第一部分、該第二部分及該第三部分包含選自包括源極、汲極及通道的群組的電晶體的節點，(e)該第一部分、該第二部分及該第三部分包含至少一鰭部電晶體。其它實施方式於此敘述。

简体摘要： 实施方式包括设备包含：非平面鳍部，具有第一部分、第二部分及第三部分，该第一部分、该第二部分及该第三部分各具有主轴及次轴且各相互单石；其中(a)该第一部分、该第二部分及该第三部分的该主轴相互平行，(b)该第一部分及该第二部分的该主轴相互非共线，(c)各该第一部分、该第二部分及该第三部分包含选自包括源极、汲极及信道的群组的晶体管的节点，(e)该第一部分、该第二部分及该第三部分包含至少一鳍部晶体管。其它实施方式于此叙述。

公开(公告)号：TWI567940B

公开(公告)日：2017-01-21

申请号：TW103120699

申请日：2014-06-16

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 葉震亞 ,  YEH, JENG YA D. ,  簡嘉弘 ,  JAN, CHIA-HONG ,  賀菲斯 瓦力德 ,  HAFEZ, WALID M. ,  朴朱東 ,  PARK, JOODONG

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L23/62

CPC分类号： H01L27/11206 ,  H01L21/823431 ,  H01L23/5256 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI556399B

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW104100380

申请日：2015-01-07

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 李呈光 ,  LEE, CHEN GUAN ,  賀菲斯 瓦力德 ,  HAFEZ, WALID M. ,  簡 嘉弘 ,  JAN, CHIA-HONG

IPC分类号： H01L23/62

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/11206 ,  H01L29/66545 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI552311B

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW104108118

申请日：2013-09-04

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 葉正亞 ,  YEH, JENG YA D. ,  汎德佛 彼德 ,  VANDERVOORN, PETER J. ,  賀菲斯 瓦力德 ,  HAFEZ, WALID M. ,  簡嘉弘 ,  JAN, CHIA-HONG ,  蔡 柯堤斯 ,  TSAI, CURTIS ,  朴朱東 ,  PARK, JOODONG

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/823431 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0886 ,  H01L28/20 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

公开(公告)号：TW201620043A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：TW104122557

申请日：2015-07-13

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 歐雷瓦 羅門 ,  OLAC-VAW, ROMAN ,  賀菲斯 瓦力德 ,  HAFEZ, WALID M. ,  簡 嘉弘 ,  JAN, CHIA-HONG ,  張旭佑 ,  CHANG, HSU YU ,  張婷 ,  CHANG, TING ,  瑞瑪斯維米 瑞豪 ,  RAMASWAMY, RAHUL ,  劉培基 ,  LIU, PEI CHI ,  迪亞斯 奈維爾 ,  DIAS, NEVILLE

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/42376 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/535 ,  H01L23/66 ,  H01L27/088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

摘要： 半導體裝置包括具有閘極電極的電晶體，該閘極電極具有在閘極電極長度上單調地逐漸改變的功函數，以及製造此裝置的方法。在實施例中，閘極金屬功函數係在閘極電極之源極與汲極邊緣之間逐漸改變，用以提升高電壓性能。在實施例中，閘極金屬的厚度從源極邊緣處的非零值逐漸改變到汲極邊緣處之較大的厚度。在另些實施例中，具有閘極金屬厚度逐漸改變的高電壓電晶體與使用標稱厚度之閘極電極金屬的另一電晶體被集成在一起。在實施例中，製造半導體裝置的方法包括藉由相對於圍繞的介電質非均勻地凹入第一開口內的第一閘極金屬，以逐漸改變介於源極端與汲極端之間的閘極金屬厚度。

简体摘要： 半导体设备包括具有闸极电极的晶体管，该闸极电极具有在闸极电极长度上单调地逐渐改变的功函数，以及制造此设备的方法。在实施例中，闸极金属功函数系在闸极电极之源极与汲极边缘之间逐渐改变，用以提升高电压性能。在实施例中，闸极金属的厚度从源极边缘处的非零值逐渐改变到汲极边缘处之较大的厚度。在另些实施例中，具有闸极金属厚度逐渐改变的高电压晶体管与使用标称厚度之闸极电极金属的另一晶体管被集成在一起。在实施例中，制造半导体设备的方法包括借由相对于围绕的介电质非均匀地凹入第一开口内的第一闸极金属，以逐渐改变介于源极端与汲极端之间的闸极金属厚度。

公开(公告)号：TW201614852A

公开(公告)日：2016-04-16

申请号：TW104118477

申请日：2015-06-08

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 賀菲斯 瓦力德 ,  HAFEZ, WALID M. ,  簡 嘉弘 ,  JAN, CHIA-HONG

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0649 ,  H01L27/098 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66166 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8605

摘要： 固態源極擴散接面被敘述用於鰭片為主之電子元件。於一範例中，鰭片係形成在基板上。第一摻雜劑型的玻片被沈積在該基板之上及在該鰭片的下部之上。第二摻雜劑型的玻片被沈積在該基板及該鰭片之上。該玻片被退火，以使該等摻雜劑開始進入該鰭片及該基板。該玻片被移去，且第一及第二接觸部被形成在該鰭片之上，而不會接觸該鰭片的下部。

简体摘要： 固态源极扩散接面被叙述用于鳍片为主之电子组件。于一范例中，鳍片系形成在基板上。第一掺杂剂型的玻片被沉积在该基板之上及在该鳍片的下部之上。第二掺杂剂型的玻片被沉积在该基板及该鳍片之上。该玻片被退火，以使该等掺杂剂开始进入该鳍片及该基板。该玻片被移去，且第一及第二接触部被形成在该鳍片之上，而不会接触该鳍片的下部。

公开(公告)号：TW201607037A

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：TW104115019

申请日：2015-05-12

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 尼迪 尼迪 ,  NIDHI, NIDHI ,  簡 嘉弘 ,  JAN, CHIA-HONG ,  賀菲斯 瓦力德 ,  HAFEZ, WALID M.

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/402 ,  H01L21/26513 ,  H01L23/66 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/401 ,  H01L29/404 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

摘要： 提出一種具有延伸汲極結構的平面和非平面場效應電晶體、及用以製造上述結構的技術。在一實施例中，場板電極係設置於一延伸汲極上，具有一場板介電質在兩者之間。場板係設置比電晶體閘極更遠離電晶體汲極。在另一實施例中，延伸汲極電晶體具有源極和汲極接觸金屬，約為場板和源極及/或汲極接觸金屬之一間距的兩倍。在另一實施例中，不同於閘極介電質的隔離介電質設置於延伸汲極與場板之間。在另一實施例中，場板可能直接地耦接至電晶體閘極電極或一虛擬閘極電極之一或更多者而無需上層互連。在一實施例中，深阱植入物可能設置於一輕摻雜延伸汲極與一基板之間以減少汲極主體接面電容並提高電晶體效能。

简体摘要： 提出一种具有延伸汲极结构的平面和非平面场效应晶体管、及用以制造上述结构的技术。在一实施例中，场板电极系设置于一延伸汲极上，具有一场板介电质在两者之间。场板系设置比晶体管闸极更远离晶体管汲极。在另一实施例中，延伸汲极晶体管具有源极和汲极接触金属，约为场板和源极及/或汲极接触金属之一间距的两倍。在另一实施例中，不同于闸极介电质的隔离介电质设置于延伸汲极与场板之间。在另一实施例中，场板可能直接地耦接至晶体管闸极电极或一虚拟闸极电极之一或更多者而无需上层互连。在一实施例中，深阱植入物可能设置于一轻掺杂延伸汲极与一基板之间以减少汲极主体接面电容并提高晶体管性能。

公开(公告)号：TW201528436A

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：TW103132258

申请日：2014-09-18

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 朴朱東 ,  PARK, JOODONG ,  哈瑪撒帝 古賓納 ,  BHIMARASETTI, GOPINATH ,  瑞瑪斯維米 瑞豪 ,  RAMASWAMY, RAHUL ,  簡 嘉弘 ,  JAN, CHIA-HONG ,  賀菲斯 瓦力德 ,  HAFEZ, WALID M. ,  葉震亞 ,  YEH, JENG YA D. ,  蔡 柯堤斯 ,  TSAI, CURTIS

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L27/10826 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10879 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7854

摘要： 描述用於嵌式動態隨機存取記憶體(eDRAM)的低洩漏非平面存取電晶體及製造用於eDRAM的低洩漏非平面存取電晶體之方法。例如，半導體裝置包括半導體鰭片，其係配置於基底之上並包括一配置於兩寬鰭片區之間的窄鰭片區。閘極電極堆疊被配置為與該半導體鰭片之該窄鰭片區共形，該閘極電極堆疊包括一配置於閘極電介質層上之閘極電極。該閘極電介質層包括下層及上層，該下層係由該半導體鰭片之氧化物所組成。包括一對源極/汲極區，該些源極/汲極區之每一者係配置於該寬鰭片區之一相應者中。

简体摘要： 描述用于嵌式动态随机存取内存(eDRAM)的低泄漏非平面存取晶体管及制造用于eDRAM的低泄漏非平面存取晶体管之方法。例如，半导体设备包括半导体鳍片，其系配置于基底之上并包括一配置于两宽鳍片区之间的窄鳍片区。闸极电极堆栈被配置为与该半导体鳍片之该窄鳍片区共形，该闸极电极堆栈包括一配置于闸极电介质层上之闸极电极。该闸极电介质层包括下层及上层，该下层系由该半导体鳍片之氧化物所组成。包括一对源极/汲极区，该些源极/汲极区之每一者系配置于该宽鳍片区之一相应者中。

公开(公告)号：TW201526121A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：TW103132986

申请日：2014-09-24

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 簡 嘉弘 ,  JAN, CHIA-HONG ,  賀菲斯 瓦力德 ,  HAFEZ, WALID M. ,  蔡 柯堤斯 ,  TSAI, CURTIS ,  葉震亞 ,  YEH, JENG YA D. ,  朴朱東 ,  PARK, JOODONG

IPC分类号： H01L21/36

CPC分类号： H01L29/7851 ,  H01L27/12 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78642

摘要： 本發明說明了用於系統單晶片(SoC)應用的垂直非平面半導體裝置及垂直非平面半導體裝置的製造方法。例如，一半導體裝置包含被配置在一基材之上的一半導體鰭，該半導體鰭具有一凹入部分及一最上方部分。一源極區被配置在該半導體鰭的該凹入部分中。一汲極區被配置在該半導體鰭的該最上方部分中。一閘極電極被配置在該源極區與該汲極區之間的該半導體鰭的該最上方部分之上。

简体摘要： 本发明说明了用于系统单芯片(SoC)应用的垂直非平面半导体设备及垂直非平面半导体设备的制造方法。例如，一半导体设备包含被配置在一基材之上的一半导体鳍，该半导体鳍具有一凹入部分及一最上方部分。一源极区被配置在该半导体鳍的该凹入部分中。一汲极区被配置在该半导体鳍的该最上方部分中。一闸极电极被配置在该源极区与该汲极区之间的该半导体鳍的该最上方部分之上。